大容量DRAMとLSIを積層・高速接続するSiP技術、NECエレが開発

公開 2006年06月09日 18時37分

[ITmedia]

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　NECエレクトロニクスとNECは6月9日、Gビットクラスの大容量DRAMチップとロジックLSIを積層し、DRAM－ロジックLSI間を従来比10倍以上高速な100Gbpsで通信できるシステムインパッケージ（SiP）技術を開発したと発表した。

　大容量動画を処理するシステムの実装面積の小型化や省電力化が可能といい、携帯機器でハイビジョン並みの動画処理が実現できるという。NECエレクトロニクスは2007年度第1四半期をめどに製品化する計画。

　新技術は「SMAFTI」（スマフティ）。ロジックLSIと大容量メモリを、微細な突起電極（バンプ）により50μメートルピッチで接続し、高速データ伝送と低消費電力化、省スペース化を可能にする超狭ピッチ技術などで構成する。

　現在の動画処理用LSIでは、メモリをロジックLSIと同チップ上に作り込むシステムオンチップ（SoC）技術が使われるのが一般的。だがメモリの大容量化が難しいため、複数のチップを同一パッケージに収めるSiP技術が使われることもある。ただ、チップ間をワイヤーで接続するなどしてチップ間通信速度が遅くなったり、チップを横置きに並べるなどして面積が大きくなる、といった課題があった。

　SMAFTIは省スペースかつチップ間の高速な通信が可能な上、複数チップをLSI製造工程でパッケージ化できるなど、設計と製造をそれぞれ大幅に効率化できるとしている。

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