IBMと米大学、500GHzチップをデモ
米IBMと米ジョージア工科大学は6月20日、500GHz以上のクロック周波数で動作できる初の半導体チップの実験デモを行った。
研究者らは、シリコンゲルマニウム（SiGe）チップを華氏マイナス451度に冷やすことでこの速度を達成した。SiGeチップは低温の方が高速で動作する。これほどの低温状態が自然に見られるのは宇宙空間のみだが、今回の実験では、液体ヘリウムなどを使って人工的に超低温状態を作り上げた。
今回テストされたチップは、IBMの200ミリウエハーで、第4世代SiGe技術のプロトタイプから作られた。このチップは室温では約350GHzで動作する。コンピュータシミュレーションでは、この技術は、いつかは室温でもさらに高い周波数（1000GHz、つまり1テラHz近く）を実現する可能性があることが示された。
SiGeはシリコンの電気特性をゲルマニウムで強化し、より効率的にチップを動作させるプロセス技術。IBMは1998年に業界初の標準的なSiGeチップの量産を開始した。
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