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» 2009年10月29日 13時17分 UPDATE

IntelとNumonyx、相変化メモリの新技術を開発

IntelとNumonyxが、複数のメモリセルをプロセッサダイ上で重ねることで高密度PCMを実現する技術を開発した。

[ITmedia]

 米Intelとフラッシュメモリ企業Numonyxは10月28日、次世代不揮発性メモリ「PCM(相変化メモリ)」で、高密度メモリを実現可能にする新技術を開発したと発表した。

 この技術は、1つのプロセッサダイ上に複数のPCMメモリセルを積み重ねることを可能にするというもの。研究者らは「PCMS(相変化メモリ・スイッチ)」と呼ばれる積層可能なメモリセルの開発に成功した。これを積み重ねることで、より高密度のメモリを実現できるという。彼らはこの技術を基盤とした64メガビットの試作チップを披露した。

 PCMはフラッシュメモリの代替候補と目されており、CD-RWなどで使われているカルコゲナイドという化合物を用いている。カルコゲナイドは熱を加えることで高抵抗の非結晶状態から低抵抗の非結晶状態に変化する。PCMはこの状態の変化を用いてデータを記録する。

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