InfineonとIBM、相変化メモリ技術を共同研究

InfineonとIBMは、無形物質や結晶構造といった特殊素材の状態を変化させることでデータを保存するメモリ新技術の共同研究に取り組む。

» 2005年05月24日 08時08分 公開
[ITmedia]

 半導体企業の独Infineon Technologiesと米IBM、台湾のMacronix Internationalは5月23日、相変化メモリ(phase-change memory=PCM)と呼ばれる新しいコンピュータメモリ技術の可能性を探る共同研究に取り組むと発表した。

 PCMではデータを電気として保存するのではなく、無形物質や結晶構造といった特殊素材の状態を変化させることでデータを保存する新技術。まだ初期の段階にあるが、電源を切ってもデータを保持できる高速・高密度のデータストレージが実現できる可能性があるという。

 共同研究ではIBMの基本素材および物理学研究力と、Infineonが持つ各種メモリ技術および製品の研究・開発・量産能力、および不揮発性メモリ技術に関するMacronixのノウハウを活用する。

 研究は米ニューヨーク州とカリフォルニア州にあるIBMの研究施設で行われ、3社の従業員約20〜25人を配置する。

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