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» 2005年12月06日 08時05分 UPDATE

STとIntel、携帯向けフラッシュメモリサブシステムを統一

STとIntelは90ナノメートルと65ナノメートルのNORフラッシュ製品向けメモリサブシステムを共同開発し、OEMの開発コスト引き下げと多機能電話の製品化にかかる時間短縮を目指す。

[ITmedia]

 半導体企業のSTMicroelectronicsと米Intelは12月5日、携帯電話向けのフラッシュメモリサブシステムを統一すると発表した。携帯電話のメモリ設計簡素化を図り、OEMの開発コスト引き下げと多機能電話の製品化にかかる時間短縮を目指す。

 両社で共通の規格に基づいたハードおよびソフト対応のメモリ製品を提供。これにより、STMicroelectronicsとIntelが投入する次世代NORフラッシュ製品に、携帯電話メーカーが迅速に移行できるようにする狙い。

 両社では90ナノメートルと65ナノメートルのNORフラッシュ製品向けメモリサブシステムを共同開発。共通規格を採用した初の製品は、90ナノメートル技術を使った512MビットのMulti-Level Cell(MLC)NOR製品となる。

 調査会社iSuppliの調べによれば、携帯電話に組み込んで出荷されているフラッシュメモリの92.8%はNORフラッシュが占めており、IntelとSTを合わせた携帯電話向けNORフラシュメモリのシェアは40%強となっている。

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