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» 2006年02月21日 18時24分 公開

IBMの新液浸技術は国内材料メーカーの成果

[ITmedia]

 半導体の線幅29.9ナノメートルを達成した米IBMの新液浸露光技術(関連記事参照)は、国内高分子化学メーカーのJSRが開発した技術の成果でもある。

 IBMの新技術は、2004年末にJSRが発表した高屈折率液体と、JSR製アルゴンフッ素(ArF)レジストを使って実験し、30ナノメートル以下の露光に成功した。両社は半導体製造技術で従来から協力していた。

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