NECは4月17日、LSIチップ内のデータ伝送を光で行う「光配線」の実現に向け、シリコン(Si)ナノフォトニクスの基本技術を開発したと発表した。光電気変換部を、LSIに搭載可能な10μメートル角程度に小型化できるという。
既に開発したSiナノフォトダイオードに超小型アンプを組み合わせて小型化した。これを光波長多重技術に適用し、銅配線に比べ100倍以上の情報量を低電力かつ高速に伝送可能になるという。
LSIの動作速度の高速化に伴いチップ周辺のデータ伝送量も増大しており、NECによると2015年の情報機器・ネットワーク機器では、プロセッサコア周辺のデータ伝送量が毎秒1Tビットを超えると予想。従来の電気配線では処理が困難になるため、チップ内光配線技術の実用化が期待されている。
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