韓国Samsung Electronicsは1月3日、50ナノメートル(nm)製造プロセスによる容量16GビットのNAND型フラッシュメモリの出荷を開始したと発表した。2007年第1四半期中に量産開始の見込み。
同社のMLC(multi-level cell)技術を採用しており、ページサイズは4Kバイトで、従来の2KバイトのMLC NAND型フラッシュメモリと比較すると、データ読み出し速度が2倍以上速く、書き込み性能も150%向上しているという。
Samsungは、このメモリのSolid State Disk(SSD)などへの採用を見込んでいる。
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