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» 2007年01月05日 07時31分 UPDATE

Samsung、16GビットNAND型フラッシュのサンプル出荷開始

Samsungは、50nm製造プロセスによる16GビットNAND型フラッシュメモリのサンプル出荷を開始した。

[ITmedia]
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 韓国Samsung Electronicsは1月3日、50ナノメートル(nm)製造プロセスによる容量16GビットのNAND型フラッシュメモリの出荷を開始したと発表した。2007年第1四半期中に量産開始の見込み。

 同社のMLC(multi-level cell)技術を採用しており、ページサイズは4Kバイトで、従来の2KバイトのMLC NAND型フラッシュメモリと比較すると、データ読み出し速度が2倍以上速く、書き込み性能も150%向上しているという。

 Samsungは、このメモリのSolid State Disk(SSD)などへの採用を見込んでいる。

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