IBM、STMicroelectronicsと32nm、22nm技術で提携

　スイスSTMicroelectronicsと米IBMは7月24日、半導体製造の次世代プロセス技術開発での提携を発表した。両社はそれぞれ、相手企業の施設内に技術開発チームを送り込み、32ナノメートル（nm）および22nmのCMOSプロセス技術や300ミリウエハー製造関連の研究のほか、コアバルクCMOS技術やSoC（System-on-Chip）技術の開発などを共同で行う。

　米ニューヨーク州にあるIBMの技術開発センターでは、バルクCMOS技術の開発を共同で行う。フランスにあるSTの300ミリウエハー関連施設では、組み込みメモリやアナログRF回路などのさまざまな派生技術の開発を行うという。

　IBMは、シンガポールChartered Semiconductor Manufacturingや韓国Samsung Electronicsなどと半導体プロセス技術の開発などで提携。企業間で「Common Platform」を採用し、半導体供給の安定化を図っている。今回の提携に伴い、STはIBMの技術アライアンスに参加、両社が共同開発する新しいプロセス技術は、Common Platform採用パートナーの工場およびSTの300ミリウエハー工場で量産に利用される予定。

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