　iSuppliの分解調査班は7月11日の発売日に入手したiPhone 3Gを分解して部品の製造メーカーおよび製造・組み立てコストの分析を実施した。この新モデルは最新機能を詰め込む代わりにコスト削減を志向した、前モデルを進化させた設計となっており、市場シェアを高め世界規模での存在感を高めるという目的に合致したものだと担当者は結論付けている。

　iSuppliが推定した174.33ドルは部品コストと組み立てコストを合算したもの。ソフトウェア開発、出荷、流通、こん包、バンドルされたアクセサリなどのコストは含まれない。同社は実機が登場する前の6月時点で部品コストを173ドルと推計していた。

　174.33ドルという数字は2007年6月に登場した初代iPhone（2G）でiSuppliが推定した227ドルを大きく下回る。

　HSDPA、WCDMA、EDGEをサポートする携帯通信用ベースバンドチップとしてはInfineon Technologiesを採用し、TriQuint Semiconductor製WCDMA Power Amplifier Module（PAM）3個を組み合わせることで全世界で販売できるだけの周波数カバレージを実現している。アプリケーションプロセッサはSamsung製。GPSユニットはInfineon製。分解した端末では、NANDフラッシュメモリ（8Gバイト）は東芝製だった。

　iPhone 3Gは初代iPhoneと異なり、プリント基板は大型の1枚となった（初代は2枚構成）。一般的に携帯電話で使われている6層ではなく、より高価な10層基板を採用している。バッテリーはハンダ付けではなく、取り外し可能になっている（初代と同様）。

　Appleは8Gバイトモデルを499ドルで販売しているため、iSuppliは製造コストに知的所有権使用料として50ドルを追加した224.33ドルを原価としており、販売価格の55％になると推定している。

iPhone 3Gの構成部品とそのメーカー（分解結果）
部品	メーカー名
ディスプレイ	不明
タッチスクリーン	不明
8GバイトNANDフラッシュメモリ	東芝セミコンダクター
HSDPA、WCDMA、EDGE対応ベースバンド（ARM926 & ARM7デュアルコア）	Infineon
アプリケーションプロセッサ	Samsung Semiconductor
カメラ	不明
2メガピクセルCMOS	Micron Technology
Marvell製88W8686 WLANおよびCSR製BC6 ROM Bluetooshを含む	村田製作所
1GビットMobile-DDR SDRAM	Samsung Semiconductor
バッテリー	不明
WCDMA、HSDPA対応130nm RF CMOS	Infineon
128MビットNORフラッシュと64MビットpSRAM	Numonyx
シングルチップのGPSレシーバ	Infineon
電源管理IC（電話部）	Infineon
電源管理IC（アプリケーションプロセッサ部）	NXP Semiconductors
マルチタッチコントローラ	Broadcom
オーディオコーデック	Wolfson Microelectronics
クアッドバンドのGSM、EDGE対応パワーアンプ	TriQuint Semiconductor
加速度センサー	STMicroelectronics
トライバンドWCDMAパワーアンプモジュール	TriQuit Semiconducor
モバイル機器用ディスプレイ信号シリアルインタフェース（24ビット）	Liniear Technology
USB充電チップ	Liniear Technology
DC-DCブースト型同期整流方式コンバータ	Liniear Technology
トライバンドHSDPA用低ノイズアンプ	Infineon
8MビットのNORフラッシュ	Silicon Storage Technology
GPS用低ノイズアンプ	Infineon
スイッチングレギュレータ	Liniear Technology
アナログIC	Maxim
資料：iSuppli