米Intelと米Micron Technologyは11月24日、34ナノメートル(nm)製造プロセスによる32Gビットのマルチレベルセル(MLC)NAND型フラッシュメモリの量産を開始したと発表した。製造は両社の合弁企業IM Flash Technologies(IMFT)で行う。
SSDへの採用を念頭に開発された新メモリは、48ピンTSOP(Thin Small Out-Line Package)を使用。172平方ミリというサイズで、デジタルカメラ、メディアプレーヤーなど小型フォームファクターへの採用を見込んでいる。
IMFTにおける34nmプロセスへの移行は予定より早く進行しており、米ユタ州のリーハイ工場では、年内に製造能力の50%以上が移行する見通しという。
また両社は、34nmプロセスによる低密度のマルチレベルセルと、シングルレベルセル(SLC)のNAND型フラッシュについても、2009年前半にサンプル出荷を開始する計画。
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