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Samsung、2027年に1.4nmプロセスでの半導体量産の計画
» 2022年10月04日 11時53分 公開
[ITmedia]
韓国Samsung Electronicsは10月3日（米国時間）、カリフォルニア州サンノゼで開催したファウンドリの年次イベントで、半導体大量生産で2025年に2nm（ナノメートル）プロセスを、2027年に1.4nmプロセスを導入する計画を発表した。
同社は6月、3nmプロセスによる半導体の量産を開始したと発表している。このプロセスは世界の半導体業界で初めてGAA（gate-all-around）技術を導入したものだった。2nm、1.4nmプロセスでもこのGAAをさらに強化して採用するとしている。
Samsungは、HPC、自動車、5G、IoTなど、高性能で低電力の半導体を必要とする市場を積極的にターゲットにしていく計画。2027年までに、今年の3倍以上の高度なノードの生産能力拡大を目指すとしている。
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