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NTTは、AIとロボットを組み合わせた自律実験によって半導体材料の成膜条件を最適化するとともに、その過程で得られたデータから、人が理解／転用できる「成膜ルール」を抽出する技術を実証した。次世代パワー半導体材料として期待されるβ型酸化ガリウム（β-Ga2O3）を用いた実験では、「スパッタ法として世界で初めて」（NTT）の単結晶薄膜の作製にも成功した。
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FLOSFIAは、「TECHNO-FRONTIER 2023」に出展し、最新の研究開発の成果を説明した。p型半導体「（IrGa）2O3（酸化イリジウムガリウム）」を用いたSBD（ショットキーバリアダイオード）は2023年内のサンプル出荷を目指していて、n型半導体を使用した酸化ガリウムSBDは同年内に量産開始を予定している。【訂正あり】
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大阪大学の研究グループは、抵抗変化型メモリ素子の「メモリスタ」を、300℃以上の高温環境で動作させることに成功した。航空宇宙や耐放射線といった極限環境での利用が可能となる。
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ノベルクリスタルテクノロジーは、ロームを引受先とする第5回第三者割当増資を行った。今回の増資で得た資金と、ロームとのパートナーシップにより、β型酸化ガリウムエピウエハーの事業化を加速していく。
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情報通信研究機構（NICT）は、2014年4月をメドに次世代パワーデバイス材料の1つである酸化ガリウムを使ったデバイスの実用化を目指した本格的な開発プロジェクトを発足させる。国内電機メーカーや材料メーカー、半導体製造装置メーカー、大学などと連携して2020年までに酸化ガリウムパワー半導体デバイスの実用化を目指す。
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