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「電源設計(エレクトロニクス)」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

最新記事一覧

車載電源システムにおいて12Vから48Vへの移行が加速している。そうした中、電源設計では48Vシステムに特有の課題も浮上してきた。日清紡マイクロデバイスは、12Vシステム向けで培ったノウハウをベースに、48Vシステム向け電源の課題解決に貢献するソリューションの展開を強化している。電源IC単体の提供にとどまらず、受託設計や幅広いサポートを含め、トータルで48Vシステムへの移行を支える。

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onsemiが、Qorvoから子会社United Silicon Carbide(UnitedSiC)を含むSiC(炭化ケイ素) JFET事業を買収すると発表した。買収額は1億1500万米ドルで、2025年第1四半期に完了する予定だ。同技術の取得によって、AI/データセンターや自動車市場などでの成長加速を狙う。

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AI(人工知能)やEV(電気自動車)などの普及で電力消費量が増加し、電源供給システムはより省スペースでより大電力を供給する電力密度の向上が求められている。Texas Instruments(TI)が発表したパワーモジュールは、磁気部品と電源チップをワンパッケージに集積する新しい技術「MagPack」を用いることで電力密度を2倍に高めた。

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米MPSは、GaN FETを内蔵したフライバックレギュレータの製品群を拡大している。次世代パワー半導体の材料として期待されるGaNだが、Si MOSFETに比べてGaN FETの扱いは格段に難しい。ゲート駆動がSi MOSFETのように容易ではなく、緻密な制御を要求されるからだ。その難しさを取り除き、GaNソリューションを採用しやすくするのがMPSのGaN FET内蔵フライバックレギュレータだ。

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マイクロプロセッサ(MPU)を使用したボードを開発するユーザーが抱えるさまざまな悩みに対し、マイクロプロセッサメーカーのエンジニアが回答していく連載「マイクロプロセッサQ&Aハンドブック」。今回は、「回路設計時の重要ポイント」について紹介します。

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電源/パワーエレクトロニクス分野では、GaN/SiCパワーデバイスの採用が進んでいる。そこで課題になっているのが、回路設計時のシミュレーションだ。スマートエナジー研究所が手掛ける高速回路シミュレーターは損失解析の機能などを拡充し、GaN/SiCパワーデバイスを用いた高効率電源の回路設計を支援する。

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MPS(Monolithic Power Systems)は、DC/DC電源モジュールなどの電源ICに強みを持つファブレス半導体メーカーだ。だが同社の強みはそれだけではない。近年、力を入れているのが電子機器の「入り口」とも言えるAC/DCソリューションだ。用途に適したアーキテクチャの選択が難しいAC/DC電源設計のために、MPSは使い勝手に優れた製品群を拡充している。

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今回から電源設計の超初心者向けにDC/DCコンバーターの設計を説明していきます。この連載で主として使用する式はインダクタンスに関する式および、キャパシタンスに関する2つの式だけです。2つの式から導かれるインダクタンスとキャパシタンスの電気的性質を使って入門書などに記載されている基本的なコンバーターの設計をどこまで説明できるかを考えていきます。

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自動車や産業機器などの電気システムでは、EMI(電磁干渉)対策が重要性を増している。Texas Instruments(TI)が開発したスタンドアロンのアクティブEMIフィルタICを使えば、設計や実装が難しかったアクティブEMIフィルタを容易に構成できる。従来の受動EMIフィルタよりも大幅な小型化も可能だ。

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為替レートの影響もあって、最近はCPUを始めとするPCパーツの割高感が増す傾向にある。「それでも、最新世代のCPUを使って自作PCを作りたい!」という人は、マザーボードに着目すると予算を節約できるかもしれない。この記事では、ASUS JAPANの「PRIME Z790-A WIFI-CSM」で“強くて手頃”な第13世代Coreプロセッサ搭載自作PCを作ってみようと思う。

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機器の小型化や低コスト化を背景に、電源設計において電力密度の向上に対するニーズが高まっている。Texas Instruments(TI)はそれに応えるべく、半導体デバイスそのものの特性からパッケージ、発熱や放熱、電源回路の制御方式まで、多岐にわたるアプローチで電力密度を高める電源製品の開発に取り組んでいる。

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省エネ化/低炭素社会のキーデバイスとして、化合物半導体であるGaN(窒化ガリウム)を用いたパワー半導体が注目を集めている。本連載では、次世代パワー半導体とも称されるGaNパワー半導体に関する基礎知識から、各電源トポロジーにおけるシリコンパワー半導体との比較まで徹底解説していく。第2回である今回は、GaN FETの特徴であるスイッチングスピードに関して、他の素子と比較しながら解説する。

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Wolfspeed(旧Cree)は2021年10月、同社の社名変更と同時に、大規模なデザインウィンを獲得したことを発表した。同社は、電気自動車(EV)向けSiC(炭化ケイ素)半導体の開発および生産に関して、GM(General Motors)とサプライチェーン契約を結んだ。2021年8月には、STMicroelectronics(ST)との複数年契約を拡大し、150mmのベアおよびエピタキシャルSiCウエハーの供給に関する8億米ドルの契約を結んでいる。

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Texas Instruments(TI)は、同社のGaN(窒化ガリウム)技術と「C2000」リアルタイムマイクロコントローラーをDelta Electronicsのパワーエレクトロニクス技術と組み合わせて、データセンター向けのエンタープライズサーバ電源ユニット(PSU)を開発したと発表した。

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