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「ジャンク」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

最新記事一覧

これまで、各種形状の単パルス損失が発生した時の温度上昇の求め方について技術的な検証を含めて説明してきました。ただ、実機においては単パルスではなく同じ損失が繰り返し発生します。今回はこの繰り返し損失波形の温度上昇について考えていきます。

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SiC(炭化ケイ素)は、スイッチング周波数やジャンクション温度が高いことから、今や自動車業界においてSi(シリコン)IGBTデバイスの後継になる存在として認識されるようになった。しかし電動化というテーマは、自動車に始まり自動車で終わる、というわけではない。本稿では、幅広い市場での拡大が見込まれるSiCのポテンシャルについて考察する。

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「おいしいものは、脂肪と糖でできている。」という有名なコピーがある。カラフルでカロリーが高そうな食べ物は「健康」とは対極にある存在かと思われたが、ドーナツやアイス、カレーなどが「健康食」として食べられる未来が来るかもしれない。なぜ?

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国土交通省、東京都、中央区、首都高速道路で構成する検討会は、国の重要文化財である「日本橋」を覆う首都高を地下化するルート案を示した。工事区間は、神田橋JCT(ジャンクション)〜江戸橋JCT間の約1.8km(キロメートル)で、このうち地下に潜るのは約1kmほどで、東京駅北側のJR線の手前にあたる新常盤橋付近から地下化し、都営浅草線の手前の江戸橋近くで地上に出る。

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「美食のW杯」があることをご存じだろうか。2年に1度、料理人にとって最も栄誉のある「コンクール」が開催されていて、これまで北欧諸国の優勝が目立つ。そんな中で、2017年に優勝したのは「米国」。ジャンクフードのイメージが強い米国が、なぜ優勝を手にできたのか。

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手ごろなシーケンサーを探していたところ、ネットオークションでいくつかの出力接点不良を抱えたジャンク品のシーケンサーを見つけ、早速落札した。そこで、今回はこのジャンク品のシーケンサーを修理、改造した様子を紹介していこう。

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EDN Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、IGBTとダイオードを1パッケージに封止したパワーモジュールにおける、平均およびピーク時のジャンクション(接合部)温度を計算する方法を解説します。

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1つのダイで構成される半導体デバイスのジャンクション(接合部)温度の計算方法はよく知られています。ダイの電力損失を測定し、ダイとパッケージ間の熱抵抗を掛けて、ケースから接合部への温度上昇を計算すれば求められます。しかし、IGBTとダイオードを1パッケージに封止したパワーモジュールの場合はどうすれば良いでしょう。ここでは、IGBTとダイオードの熱抵抗を用いて平均およびピーク時のジャンクション温度を計算する方法を解説します。

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