最新記事一覧
新興の不揮発性メモリと並行して、3D NAND型フラッシュメモリの開発も続いている。DRAMやSCM（ストレージクラスメモリ）との性能のギャップを少しでも埋めるためにどのような技術開発が進んでいるのだろうか。
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東北大学は、二酸化バナジウムの薄膜における水素の拡散運動を原子レベルで解明した。室温付近で電気抵抗が大きく変化する特性から、次世代半導体デバイス材料として注目されている。
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東北大学らの研究グループは、素粒子「ミュオン」を用いて、二酸化バナジウム（VO2）における水素の拡散運動を解明したと発表した。研究成果は高密度の抵抗変化型メモリ（ReRAM）開発につながる可能性が高いとみられる。
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インフィニオン テクノロジーズは、エッジデバイス向けのマイクロコントローラー「PSoC Edge」を発表した。高応答性コンピューティングや制御アプリケーション向けに設計され、MLアクセラレーション機能を搭載する。
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活発な投資が続くTSMC。本稿では、TSMCの半導体製造プロセスのロードマップをまとめる。
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TSMCは2023年8月、ドイツ・ドレスデンに欧州初の半導体工場を設置する計画を正式に発表した。今回、TSMCへのインタビューなどを通じて、同社の狙いと世界半導体産業への影響を考察した。
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Continental Automotiveは、電気および電子アーキテクチャ用のモジュール式プラットフォーム開発のため、Infineon Technologiesと協業する。ZCUのプラットフォームに、Infineonの「AURIX TC4x」マイクロコントローラーを採用する。
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新興メモリが、新たな局面を迎えている。しかし、これまでの数年間に、同分野の成長に貢献するような知名度の高い相変化メモリ（PCM）は現れていない。【訂正あり】
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米国のファウンドリーであるSkyWater Technology（以下、SkyWater）のCEO（最高経営責任者）を務めるThomas Sonderman氏は、数十億米ドル規模の重い設備投資を顧客に移行して、コストの大部分を担ってもらうという新しいタイプの半導体ファウンドリーを構築している。
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Intelは、「Optane」の製品群でメモリの“ある課題”を克服することを狙っていた。その意図は、NAND型フラッシュメモリを搭載するSSDの台頭を想起させるものだった。
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新型コロナウイルス感染症（COVID-19）のパンデミックはリモートワークの普及を促した。その結果、エンドポイントが指数関数的に急増し、作業負荷の分散化が進行。堅牢なセキュリティの必要性に光が当てられるようになった。NVIDIAの最新DPU「「BlueField-2」は、そうした分散型のコンピュータ環境が普及していることを示すものだ。
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2022年8月、米国の半導体支援の法案「CHIPS法（正式名称：CHIPS and Science Act）」の可決に伴い、400億米ドルを投じて米国での生産活動を拡張すると発表したMicron Technology（以下、Micron）。同年9月1日（米国時間）には、米国で20年ぶりにメモリ工場を建設する計画も発表した。EE Times Japanは、Micronのモバイルビジネス部門でシニアバイスプレジデント兼ゼネラルマネジャーを務めるRaj Talluri氏および、Micron本社に取材し、市場動向や新しいメモリ技術に対するMicronの見解について聞いた。
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Intelはこれまで数年間にわたり、NAND型フラッシュメモリとDRAMとの間のストレージ／メモリ階層を実現する技術として、3D XPointメモリの「Optane」を推進してきた。しかし2022年7月、同年第2四半期の業績発表の中で、そのOptane技術の開発を断念することについて、ひっそりと言及した。
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イスラエルのWeebit Nanoは、ReRAM技術の商用化に向けて最も積極的に取り組んできた企業の1つだ。同社は7年間に及ぶ研究開発の末、今回ついに業界で初めてReRAM IPモジュールの公開デモを披露するに至った。
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半導体メモリの国際学会「International Memory Workshop2022（以下IMW2022）」から、筆者が注目した2つの論文を紹介する。Micron Technologyとキオクシアの論文で、いずれも3D NAND型フラッシュメモリに関する発表である。
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人工知能（AI）とインメモリコンピューティングへの関心が著しく高まる中、ReRAM（抵抗変化型メモリ）は人間の脳を模倣する能力を解き放つ鍵になり得る。とはいえ、まだ課題は残っている。
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富士通セミコンダクターメモリソリューションは、12MビットのReRAM「MB85AS12MT」を開発した。2×3mmと小型ながら、大容量、低消費電力のため、補聴器やスマートウォッチなどのウェアラブルデバイスに適する。
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MONOistやEE Times Japanに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は2021年10〜12月に公開した人工知能関係のニュースをまとめた「人工知能ニュースまとめ（2021年10〜12月）」をお送りする。
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過去に商用化の成功例がない「ホログラフィックデータストレージ」（HSD）の研究をMicrosoftが進めている。既存の商用ストレージにはないメリットをもたらす、革新的なストレージは誕生するのか。
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ホログラフィックデータストレージ（HDS）は、一度書き込んだデータを変更できないWORMが基本だった。だがMicrosoftが手掛けるHDSは昔の研究とは方向性が異なる。何が変わったのか。
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本格的なアナログAI（人工知能）チップの開発に取り組む新興企業Rain Neuromorphicsは、シリーズAの投資ラウンドで2500万米ドルを調達した。この資金は製品開発の他、エンジニアならびにサポートスタッフを3倍にすることに投じられる予定だ。
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光学ストレージの一種である「ホログラフィックデータストレージ」（HDS）。過去に失敗に終わった取り組みもあるが、この技術が死んだわけではない。HDSがこれから革新を起こす可能性を深掘りする。
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次世代メモリ技術の開発を手掛けるイスラエルのWeebit Nanoとフランスの研究機関であるCEA-Letiは、抵抗変化型メモリ（ReRAM）技術の開発における進展を報告した。この中には、CEA-Letiが“最新の手法”と呼ぶ、印加電圧に応じて、ReRAMデバイスをメモリとしてだけでなくエネルギーストレージ素子としても動作可能にする技術も含まれている。
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Rain Neuromorphicsが、脳型アナログアーキテクチャのデモチップをテープアウトした。ランダムに接続されたメモリスタの3Dアレイを用い、ニューラルネットワークトレーニング／推論などを超低消費電力で計算することが可能だという。
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ヌヴォトン・テクノロジージャパンは、「ET＆IoT 2021」において、メモリコンピューティング技術を用いたエッジAI（人工知能）マイコンを披露した。ReRAM上でAIの推論処理を行うことにより、消費電力を約10mWに抑えるとともに、AI推論エンジンのコード量も約10分の1に圧縮できるという。
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オンラインゲーム用サーバを提供するGPORTALは、メインメモリの拡張のためにIntelの「Optane」を採用した。CPUやメモリ、Optaneの動作モードを使い分けることで各種オンラインゲームの要件を満たしているという。
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人気オンラインゲームをホスティングするGPORTALは、Intelの永続メモリモジュール「Optane」を使い始めた。DRAMとほとんど変わらない使用感で、コスト削減とメモリの拡張を実現している。なぜOptaneを採用したのか。
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韓国Samsung Electronicsは、米ハーバード大学と共同で、人間の脳の構造を1つの半導体チップにコピー＆ペーストする研究を行っていると発表した。
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米国の半導体市場調査会社であるObjective AnalysisとCoughlin Associatesは、共同執筆した年次レポートの中で「次世代メモリが、さらなる急成長を遂げようとしている」という見解を示した。次世代メモリ市場は2031年までに、440億米ドル規模に達する見込みだという。
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抵抗変化メモリ（ReRAM）を手掛けるCrossBarは、同社の技術をReRAMベースのPUF（物理的複製防止機能）キーとして、ハードウェアセキュリティアプリケーションで使用するために適用するという。
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2021年6月13〜19日に開催されるLSI関連の国際学会「VLSIシンポジウム2021」。「VLSI Circuitsシンポジウム」の注目論文を紹介する。これらの注目論文は、VLSIシンポジウム委員会が2021年4月に行った記者会見で紹介したものとなっている。
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今回は、MRAMおよびSTTT-MRAMの開発ベンチャーであるAvalanche Technologyの製品事例を紹介する。
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今回から、「次世代メモリ（Emerging Memory）」の講演部分を紹介する。
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特集はデータ保護手段としてのスナップショットのメリット／デメリット解説と生体認証の欠点と解決策。他にフラッシュメモリ後継技術の候補であるReRAMの解説と動向、量子コンピュータによる暗号解読リスク対抗策などの記事をお届けする。
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高速なデータ処理への需要を受け、拡大しつつあるのがIntelの「Optane」などを含む新興メモリ市場だ。メモリ分野は将来的にどう変わるのか。
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本シリーズの最終回となる今回は、シングルダイ（1枚のシリコンダイ）にモノリシックに成長させる3次元集積化技術について解説する。
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次世代メモリ技術の開発を手掛けるイスラエルのWeebit Nanoは、シリコン酸化物（SiOx）抵抗変化メモリ（ReRAM）技術を活用した最新の研究成果を発表した。同社が開発した脳からヒントを得た人工知能（AI）システムは、学習タスクを監視せずに実行して、高精度な結果を提供することができるという。
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主要メモリベンダー各社が「ストレージクラスメモリ」（SCM）の開発を進めており、ストレージアレイやサーバへの採用も進む。市場はどう動くのか。
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メインメモリとストレージの中間的な役割を果たす「ストレージクラスメモリ」（SCM）。メモリやストレージとどう違い、どう使えるのだろうか。
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NAND型フラッシュメモリより1000倍高速で消費電力は1000分の1というReRAM。このReRAMを開発しているイスラエルのスタートアップ企業の取り組みを紹介する。
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東京大学生産技術研究所の准教授を務める小林正治氏らは、IGZOトランジスタと抵抗変化型不揮発性メモリを3次元集積したデバイスの開発に成功した。ディープラーニングの多層ニューラルネットワークを1チップ上に多層構造で実装可能になる。
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東京大学生産技術研究所の小林正治准教授らは、膜厚が極めて薄い酸化物半導体「IGZO」を用いたトランジスタと、抵抗変化型不揮発性メモリ（RRAM）を3次元集積したデバイスを開発し、インメモリコンピューティングの機能実証に成功した。
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半導体メモリの国際学会「インターナショナル・メモリ・ワークショップ（IMW）2020」が5月17日〜20日の4日間、バーチャル方式で開催された。本稿では、チュートリアルの資料を基に、NAND型フラッシュメモリメーカー各社の現状とロードマップを紹介する。
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2020年6月15〜18日（以下、特に記載がない限り全てハワイ時間）に開催される半導体デバイス／回路技術に関する国際会議「VLSIシンポジウム 2020」。本来は米国・ハワイで開催される予定だったが、新型コロナウイルス感染症（COVID-19）の影響で、初のオンライン開催となる。VLSIシンポジウム委員会は2020年5月20日、記者説明会をオンラインで開催し、概要を説明した。
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メインメモリとストレージの在り方を変える可能性を秘める「ストレージクラスメモリ」。その主要技術「MRAM」とは何か。DRAMやNAND型フラッシュメモリと何が違うのか。
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DRAMとNAND型フラッシュメモリの中間的な性質を持つ「ストレージクラスメモリ」。メインメモリとしてもストレージとしても使えるストレージクラスメモリとは何者なのか。代表的な技術と製品を紹介する。
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パナソニック インダストリアルソリューションズ社は、IoTデバイスや産業機器向けに、独自のセキュリティ機能を有する多機能セキュアICを開発した。2020年2月よりサンプル出荷を開始する。
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パナソニックは、多機能セキュアIC「MN67S3C0」シリーズを発表した。IC内部で固有認証鍵の生成と消去ができることから、IoTや産業用機器に追加実装するだけで、重要データを保護できる。
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次世代不揮発メモリの一つである抵抗変化メモリ（ReRAM）は、その大部分がまだ研究開発の段階にあるが、AI（人工知能）技術の進化で、注目が高まっている。
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EDN Japan／EE Times Japanの過去掲載記事で振り返ります。
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