最新記事一覧
次世代パワー半導体材料として活用が進む炭化ケイ素（SiC）だが、その応用先はパワー半導体のみにとどまらない。高温動作や耐放射線性といったシリコン（Si）を大きく上回る特性を生かし、極限環境で動作するLSIへの応用に向けた研究が進んでいる。SiC LSIの利点や実用化に向けた研究動向について、広島大学 半導体産業技術研究所 教授 黒木伸一郎氏に聞いた。
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メモリとストレージの市場アナリストとして知られるJim Handy氏の講演を紹介するシリーズの後編。メモリのファウンドリー事業の可能性や、決して新しくはないプロセッサインメモリ技術、ストレージ化する半導体メモリなどを取り上げる。
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2025年8月に開催された「FMS」の講演を紹介するシリーズ。今回はメモリとストレージの市場アナリストとして知られるJim Handy氏の講演を前後編でご紹介する。
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東京大学の研究グループは、ヌヴォトンテクノロジージャパンと共同で、低電力エッジAI半導体である「ReRAM CiM」について、多値記憶によるメモリの大容量化を実現しつつ、10年間にわたる高い信頼性を両立させた。
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SRAMは、さまざまな場所で必要とされるがイノベーションが起こらない、「配管」のような存在だと見なされている。Marvell Technologyは「業界初」（同社）だという2nmのカスタムSRAMを開発し、SRAMのイノベーションを目指している。
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EE Times Europeの独占インタビューで、CEA-LetiおよびSTMicroelectronicsが、エッジAIの普及／進化において重要な「メモリの壁」を突破するために進めている研究の最新状況ついて語った。
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TSMCはオランダで開催したイベントにおいて、ドイツ・ミュンヘンに「European Design Center（欧州設計センター）」を設立すると発表した。2025年第3四半期（7〜9月）に開設し、欧州の顧客企業をサポートしていく予定だ。
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磁気抵抗メモリ（MRAM）／抵抗変化型メモリ（ReRAM）などの新興メモリは、宇宙や防衛など、特殊な用途だけでなく、車載などでも採用できる準備が整ってきた。
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サンケン電気は、TSMCの22ULLプロセスおよびRRAM技術を活用し、RISC-V CPUコアを搭載した先端的なMCUを共同開発した。さまざまなパワー制御アルゴリズムを高性能処理できる。
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サンケン電気は、TSMCの22nm超低リーク（22ULL）プロセスとRRAM（抵抗性ランダムアクセスメモリ）技術を活用し、RISC-V CPUコア内蔵の「パワー制御システム向けMCU」を共同開発した。2025年第4四半期（10〜12月）より量産を始める。
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フローディア（Floadia）が、SONOS構造のフラッシュメモリを用いて超低消費電力で推論を行うCiM（Computing in Memory）技術を開発中だ。GPUに比べ1000分の1ほどの消費電力で積和演算を実行できるという。2025年春ごろには試作チップができ上がる。
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福岡市美野島の福岡拠点には、補聴器の開発部門がある。今回の取材では、耳掛け型補聴器であるR5シリーズの開発チームに話を聞くことができた。
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東京大学の研究グループは、産業技術総合研究所や広島大学、海洋研究開発機構と共同で、印加された磁場の履歴を記憶でき、これを巨大な抵抗変化として読み出せるメモリ（メモリスタ）を実現した。
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TDKは、「CEATEC 2024」において、人の脳を模倣したニューロモルフィックデバイスを構成するメモリスタを独自のスピントロニクス技術で実現した「スピンメモリスタ」を披露した。
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TDKは、スピントロニクス技術を活用するニューロモーフィック素子として「スピンメモリスタ」を開発した。AIで多用される積和演算を、GPUに比べて100分の1の消費電力で実行できるという。フランスCEAと東北大学との協業により、2030年の量産技術の確立を目指す。TDKは、スピンメモリスタのデモを「CEATEC 2024」で公開する予定だ。
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富士通セミコンダクターメモリソリューションは、2025年1月1日付で「RAMXEED」に社名を変更すると発表した。
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日本原子力研究開発機構（JAEA）と物質・材料研究機構（NIMS）の研究グループは、次世代不揮発メモリ材料として注目されているアモルファスアルミ酸化物（AlOx）について、不揮発メモリ機能の発現と構造の関係性を明らかにした。
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インフィニオン テクノロジーズは、本格的なAI搭載を実現するIoT機器向けの新マイコン「PSOC Edge」を発表した。「PSOC Edge」は、特定顧客へのサンプル出荷を開始している。
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オーストラリアのReRAMメーカーである4DS Memoryが開発ロードマップを公開した。同社は、プラセオジムを用いる独自のプロセスを持つ。IoT（モノのインターネット）アプリケーションなどでReRAMの採用が加速するとみる専門家もいる中、ReRAMメーカー各社にとっては、いかにコストを削減していくかが、勝敗を分けるカギとなる。
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新興の不揮発性メモリと並行して、3D NAND型フラッシュメモリの開発も続いている。DRAMやSCM（ストレージクラスメモリ）との性能のギャップを少しでも埋めるためにどのような技術開発が進んでいるのだろうか。
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東北大学は、二酸化バナジウムの薄膜における水素の拡散運動を原子レベルで解明した。室温付近で電気抵抗が大きく変化する特性から、次世代半導体デバイス材料として注目されている。
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東北大学らの研究グループは、素粒子「ミュオン」を用いて、二酸化バナジウム（VO2）における水素の拡散運動を解明したと発表した。研究成果は高密度の抵抗変化型メモリ（ReRAM）開発につながる可能性が高いとみられる。
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インフィニオン テクノロジーズは、エッジデバイス向けのマイクロコントローラー「PSoC Edge」を発表した。高応答性コンピューティングや制御アプリケーション向けに設計され、MLアクセラレーション機能を搭載する。
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活発な投資が続くTSMC。本稿では、TSMCの半導体製造プロセスのロードマップをまとめる。
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TSMCは2023年8月、ドイツ・ドレスデンに欧州初の半導体工場を設置する計画を正式に発表した。今回、TSMCへのインタビューなどを通じて、同社の狙いと世界半導体産業への影響を考察した。
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Continental Automotiveは、電気および電子アーキテクチャ用のモジュール式プラットフォーム開発のため、Infineon Technologiesと協業する。ZCUのプラットフォームに、Infineonの「AURIX TC4x」マイクロコントローラーを採用する。
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新興メモリが、新たな局面を迎えている。しかし、これまでの数年間に、同分野の成長に貢献するような知名度の高い相変化メモリ（PCM）は現れていない。【訂正あり】
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米国のファウンドリーであるSkyWater Technology（以下、SkyWater）のCEO（最高経営責任者）を務めるThomas Sonderman氏は、数十億米ドル規模の重い設備投資を顧客に移行して、コストの大部分を担ってもらうという新しいタイプの半導体ファウンドリーを構築している。
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Intelは、「Optane」の製品群でメモリの“ある課題”を克服することを狙っていた。その意図は、NAND型フラッシュメモリを搭載するSSDの台頭を想起させるものだった。
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新型コロナウイルス感染症（COVID-19）のパンデミックはリモートワークの普及を促した。その結果、エンドポイントが指数関数的に急増し、作業負荷の分散化が進行。堅牢なセキュリティの必要性に光が当てられるようになった。NVIDIAの最新DPU「「BlueField-2」は、そうした分散型のコンピュータ環境が普及していることを示すものだ。
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2022年8月、米国の半導体支援の法案「CHIPS法（正式名称：CHIPS and Science Act）」の可決に伴い、400億米ドルを投じて米国での生産活動を拡張すると発表したMicron Technology（以下、Micron）。同年9月1日（米国時間）には、米国で20年ぶりにメモリ工場を建設する計画も発表した。EE Times Japanは、Micronのモバイルビジネス部門でシニアバイスプレジデント兼ゼネラルマネジャーを務めるRaj Talluri氏および、Micron本社に取材し、市場動向や新しいメモリ技術に対するMicronの見解について聞いた。
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Intelはこれまで数年間にわたり、NAND型フラッシュメモリとDRAMとの間のストレージ／メモリ階層を実現する技術として、3D XPointメモリの「Optane」を推進してきた。しかし2022年7月、同年第2四半期の業績発表の中で、そのOptane技術の開発を断念することについて、ひっそりと言及した。
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イスラエルのWeebit Nanoは、ReRAM技術の商用化に向けて最も積極的に取り組んできた企業の1つだ。同社は7年間に及ぶ研究開発の末、今回ついに業界で初めてReRAM IPモジュールの公開デモを披露するに至った。
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半導体メモリの国際学会「International Memory Workshop2022（以下IMW2022）」から、筆者が注目した2つの論文を紹介する。Micron Technologyとキオクシアの論文で、いずれも3D NAND型フラッシュメモリに関する発表である。
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人工知能（AI）とインメモリコンピューティングへの関心が著しく高まる中、ReRAM（抵抗変化型メモリ）は人間の脳を模倣する能力を解き放つ鍵になり得る。とはいえ、まだ課題は残っている。
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富士通セミコンダクターメモリソリューションは、12MビットのReRAM「MB85AS12MT」を開発した。2×3mmと小型ながら、大容量、低消費電力のため、補聴器やスマートウォッチなどのウェアラブルデバイスに適する。
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MONOistやEE Times Japanに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は2021年10〜12月に公開した人工知能関係のニュースをまとめた「人工知能ニュースまとめ（2021年10〜12月）」をお送りする。
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過去に商用化の成功例がない「ホログラフィックデータストレージ」（HSD）の研究をMicrosoftが進めている。既存の商用ストレージにはないメリットをもたらす、革新的なストレージは誕生するのか。
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ホログラフィックデータストレージ（HDS）は、一度書き込んだデータを変更できないWORMが基本だった。だがMicrosoftが手掛けるHDSは昔の研究とは方向性が異なる。何が変わったのか。
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本格的なアナログAI（人工知能）チップの開発に取り組む新興企業Rain Neuromorphicsは、シリーズAの投資ラウンドで2500万米ドルを調達した。この資金は製品開発の他、エンジニアならびにサポートスタッフを3倍にすることに投じられる予定だ。
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光学ストレージの一種である「ホログラフィックデータストレージ」（HDS）。過去に失敗に終わった取り組みもあるが、この技術が死んだわけではない。HDSがこれから革新を起こす可能性を深掘りする。
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次世代メモリ技術の開発を手掛けるイスラエルのWeebit Nanoとフランスの研究機関であるCEA-Letiは、抵抗変化型メモリ（ReRAM）技術の開発における進展を報告した。この中には、CEA-Letiが“最新の手法”と呼ぶ、印加電圧に応じて、ReRAMデバイスをメモリとしてだけでなくエネルギーストレージ素子としても動作可能にする技術も含まれている。
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Rain Neuromorphicsが、脳型アナログアーキテクチャのデモチップをテープアウトした。ランダムに接続されたメモリスタの3Dアレイを用い、ニューラルネットワークトレーニング／推論などを超低消費電力で計算することが可能だという。
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ヌヴォトン・テクノロジージャパンは、「ET＆IoT 2021」において、メモリコンピューティング技術を用いたエッジAI（人工知能）マイコンを披露した。ReRAM上でAIの推論処理を行うことにより、消費電力を約10mWに抑えるとともに、AI推論エンジンのコード量も約10分の1に圧縮できるという。
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オンラインゲーム用サーバを提供するGPORTALは、メインメモリの拡張のためにIntelの「Optane」を採用した。CPUやメモリ、Optaneの動作モードを使い分けることで各種オンラインゲームの要件を満たしているという。
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人気オンラインゲームをホスティングするGPORTALは、Intelの永続メモリモジュール「Optane」を使い始めた。DRAMとほとんど変わらない使用感で、コスト削減とメモリの拡張を実現している。なぜOptaneを採用したのか。
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韓国Samsung Electronicsは、米ハーバード大学と共同で、人間の脳の構造を1つの半導体チップにコピー＆ペーストする研究を行っていると発表した。
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米国の半導体市場調査会社であるObjective AnalysisとCoughlin Associatesは、共同執筆した年次レポートの中で「次世代メモリが、さらなる急成長を遂げようとしている」という見解を示した。次世代メモリ市場は2031年までに、440億米ドル規模に達する見込みだという。
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抵抗変化メモリ（ReRAM）を手掛けるCrossBarは、同社の技術をReRAMベースのPUF（物理的複製防止機能）キーとして、ハードウェアセキュリティアプリケーションで使用するために適用するという。
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2021年6月13〜19日に開催されるLSI関連の国際学会「VLSIシンポジウム2021」。「VLSI Circuitsシンポジウム」の注目論文を紹介する。これらの注目論文は、VLSIシンポジウム委員会が2021年4月に行った記者会見で紹介したものとなっている。
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