東芝とNEC、最大容量・最速のMRAMを開発
東芝とNECは、世界最大容量と最速の書き込み容量を両立したMRAMを共同開発し、国際固体素子回路学会（ISSCC、米国サンフランシスコ）で2月6日に発表した。
開発したMRAMは容量が16Mビット、バンド幅は1秒当たり200Mバイト、サイクルタイムは34ナノ秒。1.8ボルトの低電圧動作も実現した。
従来のMRAMは、書き込み用の磁場を起こす電流駆動回路が、周辺セルの読み出し動作に電気的な悪影響を及ぼすため高速化しにくかった。新開発したMRAMは、配線構成を読み出しと書き込みで分離できるようにして高速化し、電気抵抗も約38％減らせた。
開発は、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の助成を受けて両社が共同で取り組んだ。
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