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» 2005年12月01日 21時34分 UPDATE

ルネサス、65ナノMRAMを米企業と共同開発へ

[ITmedia]

 ルネサステクノロジは12月1日、65ナノメートルプロセスによるMRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)を米Grandisと共同で開発する計画を結んだと発表した。

 Grandisが実績を持つ「スピン注入磁化反転書き込み方式」(Spin Torque Transfer)を採用し、低電流・低コストなMRAMを開発し、MRAM搭載マイコンやSoCを製品化する計画。

 MRAMは高速動作が可能な不揮発性メモリ。現在は「電流磁場書き込み方式」が主流だが、プロセスの微細化に伴い書き込み電流が増大するため、低電流の実現を期待できるスピン注入磁化反転書き込み方式が有望と見ている。

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