Gビット級MRAMにつながる新素子、東芝が開発

[ITmedia]

　東芝は11月6日、次世代メモリ・MRAMをGビット級に大容量化するための要素技術となる新型素子を開発したと発表した。

　MRAMの記憶素子となるMTJ（Magnetic Tunneling Junction）素子を、微細化に向く「スピン注入磁化反転技術」と、素子サイズを大幅に削減できる垂直磁化方式で形成し、安定動作を確認した。垂直磁化方式によるMTJ素子は世界初という。

　スピン注入技術と垂直磁化方式のメリットをいかし、MRAMをGビット級に大容量化するのに道を開く重要な成果だとしている。今後、よりスピン注入に適した材料の開発や、集積に必要なばらつき低減技術などの開発を続け、数年以内に各要素技術を統合した基盤技術として確立するとしている。