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» 2008年04月15日 16時06分 UPDATE

IBMほか6社、32nmとhigh-kメタルゲートで高性能・省電力の半導体を試作

試作チップは、現行の45nmプロセスの回路と比べて性能が35%高く、消費電力は30〜50%少なかった。

[ITmedia]

 米IBMと開発パートナー企業6社のアライアンスは4月14日、32nm(ナノメートル)プロセスとhigh-kメタルゲート(HKMG)を使って製造した試作半導体で、大幅な性能向上と省電力化を実証したと発表した。

 評価用回路とテストチップは、IBMの工場で32nmプロセスと300ミリウエハーを使って製造された。現行の45nmプロセスプロセッサと比べ、電圧が同じ場合は性能が最高で35%高く、また動作電圧にもよるが消費電力は30〜50%少なかったという。

 アライアンス参加各社は、2008年第3四半期に32nm/HKMGプロセッサのプロトタイプ作成のためのシャトルプログラムを開始する計画。

 このアライアンスにはIBMのほか、Chartered Semiconductor Manufacturing、Freescale、Infineon Technologies、Samsung Electronics、STMicroelectronics、東芝が参加している。7社は昨年12月に、HKMGを用いた32nm半導体技術を共同開発すると発表した。

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