Intel、次世代半導体の32nmプロセス開発を完了、製造段階へ
米Intelは12月9日、32ナノメートル（nm）製造プロセスの開発段階が終了したと発表した。開発は当初の計画通りに進行しており、製品出荷開始は2009年第4四半期を見込んでいるという。
同社は12月15～17日の日程で米サンフランシスコで開催される「International Electron Devices Meeting（IEDM）」で、32nmプロセスの技術的な詳細について発表する予定。
IEDMでは、32nmプロセスで採用した第2世代high-kメタルゲート技術、193nmのイマージョンリソグラフィ、歪みトランジスタ技術を含むロジック技術のほか、45nmプロセスによる低消費電力のシステムオンチップ（SoC）、化合物半導体をベースとしたトランジスタ、シリコンフォトニクスモジュレータアレイの統合技術などについても発表する。
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