東芝は5月21日、19ナノメートル(nm)第2世代プロセスによる64Gビット(8Gバイト)のNANDフラッシュメモリを開発し、月内に量産を開始すると発表した。
最新プロセスの採用に加え、周辺回路を工夫することで2ビット/セルの64GビットNANDフラッシュメモリとしては世界最小となる94平方ミリのチップサイズを達成。独自の高速書き込み回路方式により、2ビット/セル1製品としては世界最速クラスという25Mバイト/秒の書き込み速度を実現した。
7〜9月には同プロセスを採用した3ビット/セルの製品も量産を開始する計画。eMMC対応コントローラーの新開発で3ビット/セル製品をスマートフォンやタブレットにも展開していくほか、SSD対応でノートPCへの搭載も目指す。
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