ソニー、従来比感度2倍の裏面照射型CMOSを開発
» 2008年06月11日 18時53分 公開
[ITmedia]
裏面照射型CMOSセンサーの画素断面構造ソニーは6月11日、従来比約2倍の感度や低ノイズ性を実現する裏面照射型CMOSセンサーの試作開発に成功したと発表した。一般向けデジタルカメラやビデオカメラへの採用が期待される。
CCDに比べ低消費電力性や高速性に優れるというCMOSセンサーのメリットを生かしつつ、受光面を表面（配線側）から裏面へと変更、併せて、専用フォトダイオード構造とオンチップレンズを新開発することで高画質化に必要となる高感度／低ノイズを実現したという。試作されたCMOSセンサーでは従来型のCMOSセンサーに比べS/N比で＋8dB（感度＋6dB、ノイズ−2dB）を実現した。有効画素数は500万画素、画素サイズは1.75ナノメートル角。
裏面照射型では表面照射型に比べ配線層の多層化やトランジスタ構成の自由度が高いため、同社では更なる高速化、高ダイナミックレンジ化といった展開も可能になるとしている。
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