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» 2005年10月14日 07時54分 公開

Samsung、70nm製造技術で512MビットDDR2開発

Samsungは、DRAMデバイスとしては最小の70nm製造技術で512MビットDDR2を開発した。1枚のウエハーから作れるチップの数は90nm技術に比べて少なくとも2倍になるという。

[ITmedia]

 韓国のSamsungは10月13日、世界で初めて70ナノメートル(nm)製造技術を使った512MビットDDR2 SDRAMを開発したと発表した。DRAMデバイスとしては70nmが最小の製造技術となる。

 70nm製造技術ではSamsungが現在使っている80nm/90nm技術との継続性を保ちながら、1枚のウエハーから作れるチップの数は90nm技術に比べて少なくとも2倍になると同社は説明している。

 Samsungでは来年下半期から、512M、1G、2Gの製品で70nm製造技術を導入する計画。

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