Freescale、MRAMの製品化を実現
米Freescale Semiconductorは7月10日、次世代不揮発性メモリのMRAM（Magnetoresistive Random Access Memory：磁気抵抗メモリ）を初めて製品化し、量産と販売を開始したと発表した。
MRAMは磁気素材と従来型のシリコン回路を組み合わせてSRAM並みの速度とフラッシュメモリのような不揮発性を実現し、高い耐久性を備えたメモリ。
Freescaleの製品「MR2A16A」は同社の特許技術100件以上を使って開発され、容量は4Mビット、読み出し／書き込みサイクル時間は35ナノ秒。ネットワーキング、セキュリティ、データストレージ、ゲーム、プリンタといった多様な製品に適しているという。
同社がこの技術の商用化に成功したことで、サイズやコスト、消費電力、パフォーマンス面で劇的に進化した新型の電気製品の登場が加速する可能性があると説明している。
MR2A16AはFreescaleおよび一部のディストリビューター経由で提供が開始された。
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