Samsung、第2世代フュージョンメモリ「OneDRAM」開発

公開 2006年12月14日 08時09分

更新 2006年12月14日 23時09分

[ITmedia]

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　韓国Samsungは12月13日、新フュージョンメモリ「OneDRAM」のプロトタイプが完成したと発表した。同社はメモリやロジックを1つのチップにまとめたフュージョンメモリの第1世代としてOneNANDを開発済みで、OneDRAMは第2世代となる。

　OneDRAMは携帯電話、ゲーム機、その他デジタルアプリケーション、特に3D画像を使用する製品への搭載が見込まれている。

　133MHz、512MビットのOneDRAMは、デュアルポート設計によりプロセッサ間のデータ転送速度を大幅に向上させるという。

　従来の携帯端末では、通信プロセッサとメディアプロセッサを使用し、両プロセッサがそれぞれメモリバンクを持つ。しかしOneDRAMでは、両プロセッサが管理するデータは1つの共有バンクに保管され、その容量はデータ量に応じて調整される。またバッファメモリ用のSRAMとDRAMも不要となる。OneDRAMは、現在スマートフォンなどに搭載されているモバイルメモリ2個を1個で置き換えることができるという。

　チップの数が減ることで携帯電話やゲーム機の小型化が実現できるとともに、電力消費量の30％を削減でき、電池寿命の向上、処理速度の向上（約5倍）が期待できるとしている。

　OneDRAMは2007年下半期から携帯端末に搭載される見込み。

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