ITmedia NEWS > 製品動向 >
ニュース
» 2006年12月28日 07時02分 公開

Samsung、モバイル機器向け1GビットDRAM発表

Samsungがモバイル機器向けに、80nmプロセスによる1GビットDRAMを発表した。量産開始は2007年第2四半期を見込む。

[ITmedia]

 韓国Samsung Electronicsは12月27日、80ナノメートル(nm)プロセスによる業界初のモバイル機器向け1GビットDRAMを開発したと発表した。

 新メモリは低消費電力DDRまたはSDRAMとして知られるDRAMで、デジタルカメラや携帯メディアプレーヤー、携帯ゲーム機器などへの搭載が見込まれている。

 従来の512Mビットチップを2枚使った1GビットDRAMとは異なるモノリシック構造で、パッケージング技術は同じだが、待機電流(セルフリフレッシュ電流)を30%抑えることに成功したという。

 また512Mビットチップを2枚使った従来製品より最低でも20%の薄型化を実現。複数のチップを組み合わせるパッケージで、フラッシュメモリと組み合わせて使用することも可能。量産開始は2007年第2四半期を見込む。

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.