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» 2007年08月22日 08時27分 公開

Intel、組み込みNOR型フラッシュで65nm製造プロセスへ移行

Intelは65nm製造プロセスによるNOR型フラッシュメモリを組み込み機器市場向け製品へと拡大する。

[ITmedia]

 米Intelは8月21日、組み込み機器市場向けNOR型フラッシュメモリの製造を、65ナノメートル(nm)製造プロセスへ移行すると発表した。組み込みNOR型フラッシュメモリは主に家電製品、通信機器、産業用機器などに使用されている。顧客へのサンプル出荷は2008年前半に開始する予定という。

 65nm製造プロセスへの移行により、製品のライフサイクルが一般製品よりも長い組み込み製品のサポートが行いやすくなり、高性能を実現しつつ、コストを抑制できるという。

 移行の対象となるのはパラレルおよびシリアル製品の両方で、StrataFlash Embedded Memory(P30/P33)、Embedded Flash Memory(J3 v.D)、Serial Flash Memory(S33)が65nmプロセスで製造される予定。

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