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» 2007年11月30日 17時49分 UPDATE

SRAM同等の高速MRAM、NECが開発

NECはMRAMでSRAMと同等の高速動作を実現したと発表した。LSI混載への道を開ける。

[ITmedia]
photo MRAMチップ

 NECは11月30日、MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory:磁気抵抗メモリ)で、SRAMと同等の高速動作を実現したと発表した。今後、システムLSIへの混載に向けた研究開発を進める。

 容量1Mビットのチップで、世界最高速となる250MHz動作の実証実験に成功。データ出力までの所用時間は3.7ナノ秒と、高速動作を確認した。

 MRAMは、電源を切ってもデータを保持する不揮発性に加え、消費電力をSRAMの約半分に抑えられるのが特徴。SRAM並みの高速性を達成することでLSI混載の道が開け、今後はLSIに組み込んだ形での動作検証を目指す。

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