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» 2006年07月14日 19時48分 公開

NEC、LSI組み込み向けMRAM基本技術を開発

[ITmedia]

 NECは7月14日、次世代LSIへの組み込みに適したMRAM(Magnetoresistive Random Access Memory:磁気抵抗メモリ)セルの基本技術を開発したと発表した。

 MRAMは、一般的にシステムLSI組み込みに使われているSRAMと同等のスピードと、電源オフでもデータを保持できる不揮発性を兼ね備える次世代メモリ。LSIに組み込む場合、SRAMと同等である100MHz超のランダムアクセス動作周波数の実現が課題だった。

 新技術では、ランダムアクセス周波数のネックになっていた電流・信号増幅回路の単純化に成功し、書き込みで200MHz以上、読み出しで500MHz以上と高速化が可能なことをシミュレーションで実証したという。今後は実チップに組み込んだ動作検証を目指して開発を進める。

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