最新記事一覧
キヤノンおよびキヤノンマーケティングジャパンはプライベートイベント「Canon EXPO 2023」で最新半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を実寸大パネルを用いて紹介した。
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エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、アイルランドのFab34で量産が始まったEUV採用のIntel 4について紹介する。
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東京大学は、純青色発光量子ドットを高精度かつ無欠陥で合成し、ディスプレイ発色の国際規格「BT.2020」が定める「純粋な青色(467nm)」に極めて近い発光波長(463nm)を実現した。
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2022年6月に開催された「VLSIシンポジウム」の講演のうち、最先端ロジック半導体に焦点を当てて解説する。ASMLが2023年から本格的に開発を始める次世代EUV(極端紫外線)露光装置「High NA」が実用化されれば、半導体の微細化は2035年まで続くと見られる。
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東京大学は、省エネガラス窓に応用できるフレキシブルな「透明反射遮熱フィルム」を開発した。可視光や電波の透過性が高く、熱線を遮る能力にも優れている。5G(第5世代移動通信)で用いられるマイクロ波帯域の電波を遮ることも無いという。
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横河計測は、光ファイバー試験器「AQ7280 OTDR」シリーズとして新たに、3種類のOTDRユニットと光スイッチボックス「AQ3550」の販売を始めた。光ファイバーの素線やケーブルの評価試験用途に向ける。
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「IEDM2020」の講演内容を紹介するシリーズ。今回から、「次世代の多層配線(BEOL)技術」の講演内容を紹介していく。
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NEDOと浜松ホトニクスは、同社独自のMEMS技術と光学実装技術を活用することにより、従来製品の約150分の1となる「世界最小サイズ」の波長掃引QCL(量子カスケードレーザー)を開発した。火口付近の火山ガスを、長期間かつ安定的に、リアルタイムでモニタリングできる持ち運び可能な分析装置の実現につなげられる。
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ロームは、LiDAR用75W高出力半導体レーザーダイオード「RLD90QZW3」を開発した。225μmの狭発光幅と21%の電力光変換効率を備え、AGVやロボットに搭載するLiDARの長距離対応と高精度化に貢献する。
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Pat Gelsinger氏は、Intelの新CEOに就任して以来、次々と手を打っている。本稿では、Gelsinger CEOが就任後のわずか5カ月で、打つべき手を全て打ったこと、後はそれを実行するのみであることを示す。ただし、その前には、GF買収による中国の司法当局の認可が大きな壁になることを指摘する。
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今回は、下側(底側、ボトム側)のトランジスタを作り込んでから、その上に別のウエハーを貼り合わせて上側(頂側、トップ側)のトランジスタを作成する「シーケンシャル(Sequential)CFET」の製造プロセスを解説する。
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米中間の貿易戦争が悪化の一途をたどる中、この2大経済大国の関係が破綻する可能性を示す、「デカップリング(Decoupling、分断)」というバズワードが登場している。しかし目の前の問題として、「本当に分断は進んでいるのだろうか」「マクロ経済レベルではなく、世界エレクトロニクス市場のサプライチェーンレベルの方が深刻な状況なのではないだろうか」という疑問が湧く。
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大阪大学は、木材由来のナノ繊維を電子回路にコーティングすることで、水濡れによる故障(短絡)を長時間抑制する技術を発表した。開発したのは、大阪大学産業科学研究所の春日貴章氏、能木雅也教授らの研究グループ。
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今回は、3D NANDフラッシュ各社の製造コスト(記憶容量当たり)を比較する。コストは、ワード線の積層数と記憶容量によって大きく変動する。
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東京大学物性研究所と岡山大学異分野基礎科学研究所は、タングステン(W)を添加した二酸化バナジウム(VO2)が、500テスラの強磁場中で絶縁体から金属に変わることを発見した。
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オンラインで開催された半導体デバイス/回路技術に関する国際会議「VLISシンポジウム 2020」(2020年6月15〜18日/ハワイ時間)で、IBM Researchの研究グループは先端CMOSにエアスペーサーを導入する技術を発表した。
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半導体メモリの国際学会「インターナショナル・メモリ・ワークショップ(IMW)2020」が5月17日〜20日の4日間、バーチャル方式で開催された。本稿では、チュートリアルの資料を基に、NAND型フラッシュメモリメーカー各社の現状とロードマップを紹介する。
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東京大学らの研究グループは、半導体へテロ構造を用いて、効率が高い冷却素子を開発した。従来のペルチェ素子に比べ約10倍の冷却能力を持つという。
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東京大学は、非磁性半導体と強磁性半導体からなる二層ヘテロ接合を作製し、新たな電子伝導現象を発見した。磁気抵抗効果は従来に比べ約800倍の大きさになることを確認した。
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Western Digital(ウエスタンデジタル)は2019年5月30日、車載向けとして、TLC(Triple Level Cell)タイプの64層3D NANDフラッシュメモリを搭載したeMMCの新製品「Western Digital iNAND AT EM132 EFD(以下、iNAND AT EM132)」を発表した。
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ルネサス エレクトロニクスはドイツ・ミュンヘンで開催された「electronica 2018」(2018年11月13〜16日)で、エナジーハーベスト(環境発電)で得たエネルギーで駆動できる組み込みコントローラー「R7F0E」を発表した。核となるのはルネサス独自のプロセス技術「SOTB(Silicon On Thin Buried Oxide)」である。
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Lattice Semiconductorの新CEOに、AMDを「Zen」で復活に導いたJim Anderson氏が就任する。技術畑の出身ながら低迷するAMDを立て直した手腕を見込まれての登用となるが、Zenのような“銀の弾丸”は用意できるのだろうか。
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EUV(極端紫外線)リソグラフィの5nmプロセスで、ランダム欠陥が発生することを、imecの研究者が報告した。
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東京大学、産業技術総合研究所(産総研)、物質・材料研究機構(NIMS)らの研究グループは、有機半導体インクを用いた印刷手法で、膜厚が15nm以下の2次元有機単結晶ナノシートを10cm角以上の大きさで作製することに成功した。高移動度と低接触抵抗を両立した有機半導体を実現することができる。
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車載システムの開発に不可欠なものとなっているHILSについて解説する本連載。最終回となる今回は、アクチュエーター故障の中からインジェクターとスロットルアクチュエーターのテストを紹介します。
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PCパーツは1〜2年ペースで新作が登場するシリーズも多いが、更新が止まっていたり5年以上かかったりするケースもある。先週は後者のパターンが2モデル見つかった。
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Plextorから新世代のNVMe SSD「M8Se」シリーズが売り出された。また、16GBのOptane同梱のマザーボードや、低価格なUHD BDドライブも登場している。
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米サンフランシスコで開催された「IEDM 2016」では、TSMCとIBMがそれぞれ最新プロセス技術について発表し、会場を大いに沸かせたようだ。
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イノディスク・ジャパンは、「Embedded Technology 2016」「IoT Technology 2016」で、産業機器向けのフラッシュストレージ製品やDRAMモジュールの新製品を展示した。
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大手レジストベンダーJSR Microの講演では、主に同社とimecの共同開発の内容が発表された。その1つが、JSR MicroのEUV(極端紫外線)レジストをimec所有のEUV露光装置で評価するというもので、化学増幅型のEUVレジストによってハーフピッチ13nmの平行直線パターンを解像できたという。さらに、5nm世代のEUVリソグラフィの目標仕様と現状も紹介された。
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東京工業大学の清水荘雄特任助教らによる研究グループは、酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明した。薄膜でも特性が劣化しない強誘電体の開発により、高速動作する不揮発メモリの高容量化や、強誘電体抵抗変化メモリの実用化が可能になるとみられている。
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今回は、7nm世代以降の半導体製造プロセスで使わざるを得なくなるだろう「自己整合(セルフアライン)的なリソグラフィ技術」に触れる。その候補は3つ。東京エレクトロンのBen Rathsack氏が、3つの候補技術の現状を紹介した。
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リンクスインターナショナルは、PLEXTOR製となるNVMe接続対応の内蔵型M.2 SSD「M8PeG」シリーズの取り扱いを発表した。
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産業技術総合研究所(産総研)の渡辺博道主任研究員らは、マイクロフェーズと共同で、金属や炭素材料からなる3次元物体の表面に、多層カーボンナノチューブ(CNT)を成長させる簡便な方法を開発した。
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2016年6月に米国ハワイで開催される「2016 VLSI Symposia on VLSI Technology and Circuits」では、10nm以降のプロセス技術の研究成果も多数発表される予定だが、“微細化のその先”についても、これまで以上に活発な議論が行われるようだ。
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OCZストレージソリューションは、メインストリーム向けとなる2.5インチSATA SSD「OCZ Trion 150」シリーズを発表した。
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東芝の電子デバイス部門の2015年度(2016年3月期)業績は、550億円の営業赤字を計上する見込みとなった。前年度に比べ2716億円減という大幅減益だ。NAND型フラッシュメモリ(NANDメモリ)事業を除き、ディスクリート、システムLSI、ストレージの3事業で赤字となり、事業構造の見直しを実施する。さらに2015年後半からの売価下落で利益幅が縮小しているNANDメモリも、高集積品の開発を急ぎ価格競争力を高めるなどし、電子デバイス事業として2016年度の黒字転換を目指す。
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カンファレンス3日目に行われるセッション30では、オリンパスが、可視光と赤外光を同時に別々の画像として撮像するマルチバンド・イメージセンサーについて講演する。セッション31では、シリコン基板上にIII-V族化合物デバイスを作成する、次世代の電子デバイスや光デバイスについての発表が相次いで行われる。
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今回はセッション27〜29を紹介する。セッション29では、生体組織分析デバイスや生体モニタリングデバイスに関する講演が行われる。Columbia Universityらの研究グループは、有機材料の発光ダイオードおよび光検出器を組み合わせた、脳血流量モニタリングシステムを発表する。同システムの厚みは、わずか5μmしかない。
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サンディスク(SanDisk)は、エンタープライズ向けオールフラッシュストレージプラットフォーム「InfiniFlash」について、日本市場でも2015年11月中旬より供給を始める。3Uサイズの筐体で最大容量512TB(テラバイト)を可能にするとともに、ギガバイト単価を1米ドル以下にするなど低コストを実現した。
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今回は、ナノインプリント・リソグラフィ技術の開発ロードマップを紹介しよう。キヤノンは現在、インプリント装置の第1世代機の開発を終えたところで、今後5年間で第2および第3世代機の開発に取り組んでいく予定だ。インプリント装置のターゲットは、NAND型フラッシュメモリとDRAM、ロジックICである。
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今回は、ナノインプリント・リソグラフィを構成する要素技術の開発状況をお伝えする。ここ1年でとりわけ大きく進歩しているのが、重ね合わせ誤差と生産性(スループット)だ。重ね合わせ誤差は半分〜3分の1に低減し、スループットは2倍〜3倍に向上しているという。
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本稿では、EUVリソグラフィ開発の進ちょくをお伝えする。ASMLの開発用露光装置「NXE:3300B」は、1日当たりのウエハー処理枚数が1000枚を超え、以前に比べるとかなり進化した。また、7nm世代のロジック配線を解像できるようになっている。
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東京工業大学の清水荘雄特任助教らの研究グループは、強誘電体の極薄単結晶膜の作製に成功した。極薄膜でも安定した特性の強誘電体膜が得られ、超高密度メモリやスマートフォンなどで消費電力を極めて小さくすることができる新型トランジスタの製造が可能だという。
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最近になって、1Xnm世代のプロセスを適用したプレーナ(平面)型のNAND型フラッシュメモリが市場に投入され始めた。だが、プレーナ型NANDフラッシュの微細化は限界だといわれている。各社の1Xnm世代NANDフラッシュを見ながら、微細化技術について考察してみたい。
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今回は、メモリ分野、先端CMOS分野、非シリコン分野における採択論文の概要を紹介する。抵抗変化メモリ(ReRAM)や3次元縦型構造の相変化メモリ(PCM)に関する論文の他、GaNやSiGe、InGaAsなど、次世代の高移動度の化合物半導体を用いたトランジスタに関する技術論文の概要が紹介された。
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東芝は、eMMC Version 5.1に準拠した組み込み式NAND型フラッシュメモリを発表した。オプショナル機能として規定されたコマンドキューイング機能とセキュアライトプロテクション機能に対応している。
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東芝は、JEDEC eMMC Version 5.1規格に準拠したeMMC新モデルのサンプル出荷を開始。同規格のオプションとして規定されている「コマンドキューイング機能」と「セキュアライトプロテクション機能」に対応した。
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キヤノンは、開発中のナノインプリント技術を用いた半導体製造装置について、2015年中の製品化を目指している。同装置は解像度10nm台の微細加工に対応することが可能である。まずはフラッシュメモリの製造ラインへの導入を予定している。
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東北大学 原子分子材料科学高等研究機構(AIMR)の幾原雄一教授らは、ダイヤモンドと窒化ホウ素の接合界面における原子構造を特定することに成功した。今回の研究成果は、共有結合物質同士の接合を用いた新機能材料の研究開発につながるとみられている。
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