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「32nmプロセス」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

最新記事一覧

トッパンフォトマスクとIBMは、IBMの2nmロジック半導体プロセスノードに対応する「EUVフォトマスク」を共同開発する。契約期間は2024年2月より5年間。両社はアルバニー・ナノテク・コンプレックスの研究所(米国ニューヨーク州)と、トッパンフォトマスクの朝霞工場(埼玉県新座市)で研究開発を行う。

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imecや経済産業省など、Rapidusの支援を公言する組織/企業は多い。さらに、米TenstorrentやフランスLetiなど、Rapidusとパートナーシップを締結する企業や機関も増えている。それはなぜなのか。2023年11月に開催された「ITF(imec Technology Forum) Japan」で見えてきたその理由と、Rapidusにとっての「成功の定義」をあらためて考えてみたい。

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米国EE Timesは、imecの年次イベントにてRapidus社長の小池淳義氏に単独インタビューを行った。Rapidusは、「枚葉式の処理」により超短TATで製品を顧客に提供することを狙う。これは、小池氏にとっては“2度目のチャンス”になる。さらに、Rapidusの成功をアナリストがどう見ているかも、紹介する。

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2022年6月に開催された「VLSIシンポジウム」の講演のうち、最先端ロジック半導体に焦点を当てて解説する。ASMLが2023年から本格的に開発を始める次世代EUV(極端紫外線)露光装置「High NA」が実用化されれば、半導体の微細化は2035年まで続くと見られる。

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「半導体の微細化はもう限界ではないか?」と言われ始めて久しい。だが、相変わらず微細化は続いており、専門家たちの予測を超えて、加速している気配すらある。筆者は「ムーアの法則」も微細化も終わらないと考えている。なぜか――。それは、“人間の欲望”が、ムーアの法則を推し進める原動力となっているからだ。【修正あり】

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Pat Gelsinger氏は、Intelの新CEOに就任して以来、次々と手を打っている。本稿では、Gelsinger CEOが就任後のわずか5カ月で、打つべき手を全て打ったこと、後はそれを実行するのみであることを示す。ただし、その前には、GF買収による中国の司法当局の認可が大きな壁になることを指摘する。

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米中間の貿易戦争が悪化の一途をたどる中、この2大経済大国の関係が破綻する可能性を示す、「デカップリング(Decoupling、分断)」というバズワードが登場している。しかし目の前の問題として、「本当に分断は進んでいるのだろうか」「マクロ経済レベルではなく、世界エレクトロニクス市場のサプライチェーンレベルの方が深刻な状況なのではないだろうか」という疑問が湧く。

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SMICは、14nmチップの生産を開始し、FinFETを製造できる半導体メーカー/ファウンドリーの“仲間入り”を果たした。同社は間もなく、事業への投資を継続するため、70億米ドル超を得られる株式公開を行う予定である。だが、トランプ政権によって、SMICは最新の製造機器の一部を利用できなくなっている。そうした状況の中、同社はSoC(System on Chip)のトップメーカーが求めるような最先端のプロセス技術を長期的に提供し続けられるのだろうか?

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半導体メモリの国際学会「インターナショナル・メモリ・ワークショップ(IMW)2020」が5月17日〜20日の4日間、バーチャル方式で開催された。本稿では、チュートリアルの資料を基に、NAND型フラッシュメモリメーカー各社の現状とロードマップを紹介する。

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この記事では、人工知能(AI)を組み込みシステムに実装する開発者がブートコードおよびアプリケーションコード格納用に、シリアルNORフラッシュからシリアルNANDフラッシュに移行することの利点に目を向け、NANDフラッシュの信頼性や寿命、パフォーマンスについて改めて検討すべき理由を説明します。

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2018年、メモリ市場の成長に暗雲が立ち込め、メモリ不況が避けられない事態となった。アナリストらは、メモリの過剰供給による価格の下落を要因として指摘しているが、どうも腑に落ちない。そこで筆者は、Intelの10nmプロセスの遅れという点から、メモリ不況の要因を探ることにした。

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米国で半導体リソグラフィ技術の国際会議「SPIE Advanced Lithography 2017」が開催中だ。IntelやSamsung Electronics、imecなどが発表した論文からは、EUV(極端紫外線)リソグラフィ技術が、大きく進展しつつも課題はまだ山積みであり、より一層開発を加速する必要のある部分もあることが明らかになっている。

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米国で開催された「Industry Strategy Symposium(ISS)」(2017年1月8〜11日)では、半導体技術の今後に関する議論が幾つか展開された。ナノワイヤトランジスタやGAA(Gate All Around)トランジスタといった次世代トランジスタ技術や、増加の一途をたどる設計コストなどについて、専門家たちが見解を披露している。

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台湾半導体産業協会の専門家は、今後ムーアの法則は、「半導体の集積率の向上」というよりも、より実質的な意味を持つようになると指摘する。3次元構造やTSMCの「InFO」のようなパッケージング技術によって性能の向上を図っていくというものである。

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imecは次世代のリソグラフィ技術を展望するフォーラムの講演で、半導体デバイスの微細化ロードマップを披露した。このロードマップでは、微細化の方向が3つに整理されている。シリコンデバイスの微細化、シリコン以外の材料の採用、CMOSではないデバイスの採用だ。imecは、CMOSロジックを微細化していく時の課題についても解説した。

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GLOBALFOUNDRIES(GF)が、7nm FinFETプロセスの開発計画を発表した。2018年後半には同プロセスでの製造を開始する予定だという。さらに、同じく2018年には、22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)プロセスで製造するチップにおいて、ギガビット未満の低容量の混載MRAM(磁気抵抗メモリ)をサポートする予定だ。

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KrFスキャナーの次に登場したのがArFスキャナーである。ArFスキャナーは90nm世代の量産から使われ始めた。さらに、ArFスキャナーの製品化と並行して「ポストArF」の開発が活発化する。ポストArFとして、F2エキシマレーザーあるいは軟X線を光源とする露光技術の開発が進んだが、そこに、もう1つの候補として急浮上したのがArF「液浸」スキャナーである。

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今回は、2016年5月に明らかになったIntelのモバイル事業からの撤退の真相を、プロセッサ「Atom」の歴史を振り返りつつ探っていく。「Intelは、ARMやQualcommに敗れた」との見方が強いが、チップをよく観察すると、もう1つの撤退理由が浮かび上がってきた。

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Intelをはじめとした半導体メーカーは「ムーアの法則」に従うように、ほぼ2年に1度のペースで新たな微細プロセステクノロジーを導入し進化を続けてきた。しかし、近年は少しその様子が変わりつつある。特に台頭著しい新興メーカーは、独自のペースで進化を遂げてきている。

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今回は、ナノインプリント・リソグラフィを構成する要素技術の開発状況をお伝えする。ここ1年でとりわけ大きく進歩しているのが、重ね合わせ誤差と生産性(スループット)だ。重ね合わせ誤差は半分〜3分の1に低減し、スループットは2倍〜3倍に向上しているという。

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2015年6月、EE Times Japanは、読者の皆さまに支えられて、創刊10周年を迎えることができました。紙媒体から出発し、オンラインニュースサイトとして落ち着くまでに紆余曲折はありましたが、次の10年に向けて、日本のエレクトロニクス業界の発展に少しでも貢献すべく、まい進していきたいと思います。

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