最新記事一覧
テレダインe2vは、2D（次元）画像と3D深度マップとの組み合わせが可能なフルHD CMOSイメージセンサー「Topaz5D」を開発した。検出したコントラストに基づき、3Dオブジェクトを視覚化できる。
()
東京理科大学は、複数の22nm CMOSチップを用いて、拡張可能な「全結合半導体イジングプロセッシングシステム」を開発した。2030年までには200万スピンという大規模化を目指す。
()
富士通は、オランダの量子技術研究機関QuTechと共同で、ダイヤモンドスピン方式の量子コンピュータに用いる量子ビットを制御する電子回路を、極低温で動かす技術の開発に成功した。
()
富士通は、量子技術研究機関の「QuTech」とともに、極低温冷凍機に設置したクライオCMOS回路を用いて、ダイヤモンドスピン量子ビットを駆動させることに成功した。大規模な量子コンピュータの実現に向けて、これまで課題となっていた量子ビットと制御回路間の配線を単純化することが可能となる。
()
東京工業大学と日本電信電話（NTT）の研究グループは、300GHz帯フェーズドアレイ送信機について、アンテナや電力増幅器を含め全てCMOS集積回路で実現することに成功した。6G（第6世代移動通信）で期待される100Gビット/秒超の送信レートを実証した。
()
物質・材料研究機構（NIMS）は、「n型ダイヤモンドMOSFET」を開発したと発表した。「世界初」（NIMS）とする。電界効果移動度は、300℃で約150cm2/V・secを実現した。ダイヤモンドCMOS集積回路を実現することが可能となる。
()
ソニー「α9 III」の中身がすごかった。待ちに待ったグローバルシャッター方式CMOSセンサーの登場である。
()
ソニーセミコンダクタソリューションズは、3.1分の1型レンズ対応のグローバルシャッター方式では業界最高解像度となる、有効約320万画素の積層型CMOSイメージセンサー「IMX900」を産業用に商品化する。
()
Appleの「iPhone 15」。やっぱり2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー（CIS）を採用しているようです。
()
中国DJIが、ジンバルを搭載した小型カメラ「Osmo Pocket 3」を発表した。1インチCMOSセンサーを搭載し、回転する2インチの液晶ディスプレイを搭載。縦・横に回転することで電源をオンオフしたり、構図を直感的に変えることができる。
()
インフィニオン テクノロジーズは、登場間もないBluetoothを普及に導いたCMOS RF技術を受け継ぎ、今も最新バージョンに対応するBluetoothデバイスを展開している。2023年には最新バージョンの「Bluetooth 5.4」に対応した新製品を投入。次世代バージョン「Bluetooth 6.0」での対応が見込まれる超低遅延機能を先取りして搭載し、Bluetoothの活用範囲をさらに広げるデバイスとして注目を集めている。
()
ソニーセミコンダクタソリューションズは、有効1742万画素のCMOSイメージセンサー「IMX735」を車載カメラ用に商品化した。道路状況や車両、歩行者などの認識範囲をより遠距離に拡張できる。
()
ソニーセミコンダクタソリューションズは、車載カメラ向けに有効1742万画素の1/1.17型（対角13.70mm）CMOSイメージセンサー「IMX735」を開発、サンプル出荷を始めた。自動運転車に向け、より遠くの対象物検知を可能にし、LiDARとも同期しやすい読み出し方式を採用した。
()
9月に発表されるであろう新型iPhone。今回はカメラのうわさについて紹介します。iPhone 15（仮）シリーズでは、iPhone 15／15 Plusの標準モデルも4800万画素に進化。広角カメラ（メインカメラ）には、ソニー製の新しい積層型CIS（CMOSカメラ）が採用される可能性があります。
()
2022年、CMOSイメージセンサー市場において車載分野が2番目の規模の分野となりました。
()
フランスの市場調査会社Yole Groupによると、2022年のCMOSイメージセンサー市場は212億9000万米ドルと前年からほぼ横ばいに推移した。ランキング首位のソニーは3年ぶりにシェアを拡大し、Samsung Electronicsら後続との差を広げたという。
()
台湾の市場調査会社TrendForceによると、2023年秋の発売が見込まれるAppleの「iPhone 15」および「iPhone 15 Plus」で採用予定のソニー製新型CMOSイメージセンサー（CIS）および、チタン合金フレームの供給不足が懸念されているという。
()
ソニーのハイエンドモデル「Xperia 1 V」が2023年6月16日に発売された。Xperia 1 Vはメインの広角カメラに使うセンサーを大判化するとともに、2層トランジスタ画素積層型CMOSセンサーの「Exmor T for mobile」を世界で初めて採用したのが大きなポイント。実機を借りたので、先代の「Xperia 1 IV」と比べて、何が違うのかをチェックしていく。
()
「Xperia 1」シリーズもとうとう5代目、「Xperia 1 V」が発売された。ぱっと見は「Xperia 1 IV」とあまり変わらないものの、メインカメラのCMOSが強化され、アスペクト比も変化した。さらに「Photography Pro」が縦持ちでも使えるようになった！ これは最大の強化といっていいだろう。
()
KDDIは、6月16日に5Gスマホ「Xperia 1 V」を発売。カメラに新構造の積層型CMOSイメージセンサーを採用し、暗所でのノイズを低減した撮影が可能だ。auオンラインショップの価格は21万240円（税込み）。
()
キヤノンは5月11日、1型CMOSイメージセンサーを搭載したVlog（動画ブログ）カメラ「Canon Power Shot V10」を発表した。キヤノンオンラインショップ価格は5万9950円（税込み）だ。コンパクトなボディーにスタンドを内蔵、簡素化したUIなどが売りで、Vlog市場に新たなメスを入れる。
()
裏面照射型に次ぐCMOSイメージセンサーのブレークスルーとして期待されている有機CMOSイメージセンサー。業界内で開発をリードし、実用化に積極的に取り組むパナソニックHDの開発担当者に話を聞いた。
()
パナソニック ホールディングス、開発中の有機CMOSイメージセンサーによってあらゆる種類の光源下で良好な色再現が可能になると発表した。
()
オンセミは、1/1.8型で画素数が8Mピクセルの裏面照射型CMOSデジタルイメージセンサー（CIS）「AR0822」を発表した。過酷な撮影環境にも対応することができるという。
()
東京農工大学は、CMOSイメージセンサー（CIS）を用いた可視光通信を行い、512色で4mのエラーレス伝送に成功した。これまでの実験では32色を用いた伝送距離が数十センチメートルであり、この記録を大幅に更新した。
()
キヤノンは、監視用途向けに裏面照射積層型CMOSセンサーを開発した。ダイナミックレンジ148dB、1.0型で有効画素数が約1260万画素。約0.1luxから約270万luxまで撮像可能だ。
()
キヤノンは、監視用途向けでは業界最高レベルのダイナミックレンジを実現した裏面照射積層型CMOSイメージセンサーを開発した。明暗差が大きい撮影環境でも、画面の領域ごとに適切な露光時間を自動で決めて撮影する。このため、移動する被写体でも高い精度で認識することができるという。
()
キヤノンは、約1900万画素のCMOSイメージセンサー「LI5030SAC」「LI5030SAM」「LI5030SAI」「LI5030SAN」を2023年1月下旬に販売する。全画素出力時で約58フレームレートでの読み出しが可能だ。
()
ams OSRAMは、紫外線の照射量と受光量をモニタリングできる3チャネルCMOSセンサー「AS7331」を発売する。ロボット床掃除機や家庭用水／空気清浄機などの用途に向ける。
()
Infineon Technologies（以下、Infineon）はドイツ・ミュンヘンで開催された欧州最大規模のエレクトロニクス展示会「electronica 2022」（2022年11月15〜18日）において、それぞれ4つの送信／受信チャンネルを備えた28nm CMOS技術採用の車載向け76G〜81GHzレーダーMMIC「RASIC CTRX8181」を展示した。
()
日立製作所が疑似量子コンピューティング技術「CMOSアニーリング」をクラウドサービスとして提供を始めた。価格は個別見積もり。組合せ最適化問題のような大規模な計算をクラウド上で実行できる。
()
CMOSイメージセンサー市場の行方について、最新の分析をまとめました。
()
積水化学工業と日立製作所が材料開発におけるマテリアルズインフォマティクス（MI）の推進に向け協創を開始する。積水化学が持つ材料開発の高度なナレッジと実績、日立の研究所における先行研究の成果を含めた先進デジタル技術とナレッジを融合し、データ駆動型材料開発のためのデジタル基盤の実現を目指す。
()
東芝が超伝導回路を用いたゲート方式量子コンピュータの高速化と精度向上を可能にする可変結合器の新構造「ダブルトランズモンカプラ」を考案した。量子コンピュータの基本操作の一つである2量子ビットゲートについて、24nsという短いゲート時間で99.99％という高い精度（誤り確率0.01％）のゲート操作が可能になるという。
()
ハッセルブラッドは7日（現地時間）、1億画素のCMOSセンサーを搭載したミラーレス中判カメラ「X2D 100C」を発表した。
()
ソニーセミコンダクタソリューションズは、撮影した画像の「全画素出力」と「特定領域の高速出力」を同時に行える有効約512万画素の1/3型（対角6.53mm）CMOSイメージセンサー「IMX675」を開発、2022年8月からサンプル品の出荷を始めた。
()
2022年夏商戦向けのスマートフォンのなかでも高価な「AQUOS R7」。1型のCMOSイメージセンサーを搭載し、ライカ（Leica）が画質監修をした。そんなAQUOS R7のカメラ、ディスプレイには、いったいどんな技術や機能が詰め込まれているのか、シャープでAQUOS R7の企画開発に関わった方々に話を聞いた。
()
ソニーセミコンダクタソリューションズは2022年7月20日、セキュリティカメラ用の1/3型有効約512万画素のCMOSイメージセンサー（CIS）「IMX675」を発表した。
()
パナソニック ホールディングスは、「画像センシング展2022」において、開発中の有機イメージセンサーの工場や社会インフラにおける活用を意識した展示を行った。2016年2月に学会発表した有機CMOSセンサーは実用化に向けた技術開発が大きく進展しており、今回はさまざまな現場における有効性を示した形。
()
ソニーグループがCMOSセンサーをはじめとするイメージング&センシング・ソリューション（I&SS）分野の事業戦略を説明。モバイル向けイメージセンサーの市場拡大は2030年度まで年率約10％で継続する見込みで、高級機種で求められる大判化などの最先端の技術要求に着実に応えていくことで競合他社に奪われたシェアを奪回する方針。
()
セイコーエプソンは、車載用途に向けたCMOS出力の水晶発振器「SG-8201CJA」を開発、サンプル品の出荷を始めた。LiDARやADAS用ECUなどの用途に向ける。
()
DJIの小型ドローン「DJI Mini」シリーズで初のハイエンドモデル「DJI Mini 3 Pro」が登場した。前モデルより大型化されたCMOSセンサーを搭載し、4K／60fpsでの撮影が可能。
()
GlobalFoundries（GF）は2022年3月7日（米国時間）、次世代シリコンフォトニクスプラットフォームとして「GF Fotonix」を発表した。主にデータセンター向けソリューションを対象としたプロセスで、300GHz帯RF CMOSと光学コンポーネントを同一チップ上に集積する、300mmウエハー対応のモノリシックプラットフォームとなる。
()
ルネサス エレクトロニクスが、RFトランシーバー回路において、従来技術より大幅な省面積化を実現するとともに、低消費電力化やコスト低減、基板設計の容易化も可能にする2つの新回路技術を開発した。同技術を用いて22nm CMOSプロセスで試作したBluetooth Low Energy（LE）対応の2.4GHz RFトランシーバー回路は、電源系を含む回路面積を0.84mm2と世界最小（同社）にしたほか、消費電力も受信／送信時で3.6mW／4.1mWと低く抑えることに成功したという。
()
日清紡マイクロデバイスは、車載CMOSイメージセンサー向けの複合電源「RN5T5611」シリーズを開発した。車載用の機能安全に対応しており、「ISO26262 ASIL-D」開発プロセスに準拠している。
()
ソニーセミコンダクタソリューションズ（以下、SSS）は2022年1月25日、グループ理念や事業活動について紹介するイベント「Sense the Wonder Day」をオンラインで開催した。イベントでは、同社が前年12月に発表した「2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術」について開発担当者が説明したほか、車載事業の創業メンバーが車載事業の歴史を語るなどした。
()
ソニーとTSMC、次期iPhone 14 Pro用有効4800万画素積層型CMOSイメージセンサーを製造か、と工商時報が報じている。
()
JUKIは、傷や汚れ、変形などの製品不良を検出し、金属部品の寸法や面積、角度、形状を計測する外観検査機「SE1000」を発売した。1200万画素ハイフレームレートCMOSカメラや高速演算回路により、高速で高精度な外観検査に対応する。
()
アドバンテストは「SEMICON Japan 2021 Hybrid」（2021年12月15〜17日、東京ビッグサイト）で、メモリテストソリューション、SoC（System on Chip）テストシステム「V93000」向けのデジタルカードや、CMOSイメージセンサー（CIS）向けテストソリューションなど最新の製品を展示した。
()
ソニーセミコンダクタソリューションズは「世界初」（同社）の2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術を開発した。光を電気信号に変換するフォトダイオードと信号を制御するための画素トランジスタの層を別々の基板に形成し積層することで、従来の裏面照射型CMOSイメージセンサーと比べて約2倍の飽和信号量を確保した。
()