最新記事一覧
ハマネツは、猛暑が常態化する建設現場の熱中症対策に、太陽光発電と蓄電池でエアコンを稼働させる車載式休憩所「クルケイ」を提案している。電源のない現場でも、2トントラックに積載して快適な休憩空間を提供する。
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Vicorは「TECHNO-FRONTIER」（2026年7月15〜17日、東京ビッグサイト）に出展し、車載向け48V出力DC-DCユニット「Paladin」などを紹介した。同社が得意とする小型電源モジュールの採用により、800Vアーキテクチャや48Vシステムに対応した車載電源ユニットを省スペースに構成できる。
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ロームは、放熱面を上面に配置したSiC-MOSFET向けの新パッケージ「TSC3PAK」を開発した。自動実装が可能な面実装品でありながら、従来の挿入型と同等の高い放熱性能を提供する。
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Alpha & Omega Semiconductorは、積層ダイ構造を採用したハーフブリッジMOSFET「AOPL66801」を発表した。電力密度を高めるとともに、寄生インダクタンスを低減して高効率な電力変換を実現する。
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ミネベアパワーデバイスは、定格電圧3.3kVの低インダクタンスIGBTモジュール「LV-nHPD2」シリーズに、600A定格の「MBM600FS33G2」、800A定格の「MBM800GS33G2」を追加した。独自の次世代チップ「サイドゲート構造IGBT（G2版）」を搭載する。
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Amazon.co.jpのタイムセールにて、単ポート最大70W出力に対応した3ポート急速充電器「Anker Nano Charger （70W, 3 Ports）」が42％オフで販売中。持ち運びに適したコンパクト設計だ。
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タムロンは大阪大学との共同研究により、チップ型の「MIMメタサーフェス近赤外光源」の実用化に成功した。耐熱性に優れ、薄型軽量であるため、携帯型非破壊検査機器の小型化に貢献する。
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フランスの市場調査会社Yole Groupは、2025年のパワー半導体メーカー売上高ランキングトップ20を公表した。日本勢は4位の三菱電機を筆頭に、富士電機、東芝、ローム、ルネサス エレクトロニクスの5社がランクインした。中国メーカーも5社がトップ20入りを果たし、存在感を高めている。
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今回はマイコン（マイクロコンピュータ／マイクロコントローラー）の概要やメリット、開発に必要な情報など入門的な内容を解説します。
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ロームは、同社の電源IC「BD83070GWL」向けのレファレンス基板「BD83070GWL-EVK-002」を開発した。BD83070GWLとコイル、コンデンサーなど計5点の部品で構成し、実装面積を3.3×3.9mmに抑えている。
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インフィニオン テクノロジーズは、750V耐圧の「CoolSiC G2」技術をベースとした、炭化ケイ素（SiC）双方向スイッチ（BDS）を発表した。2つのパワースイッチを1つのデバイスに統合している。
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AI技術の進化によってハードウェアが発する熱はかつてないレベルに達しており、従来の空冷データセンターの設計は時代遅れになりつつある。Schneider Electricが指摘する、インフラに待ち受ける過酷な現実とは。
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AI技術の進化によってハードウェアが発する熱はかつてないレベルに達しており、従来の空冷データセンターの設計は時代遅れになりつつある。Schneider Electricが指摘する、インフラに待ち受ける過酷な現実とは。
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Navitas Semiconductorは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日／ドイツ・ニュルンベルク）において、高耐圧SiC MOSFET用の新パッケージ「UHV-TO-247-4-ISO」を初公開した。絶縁構造を組み込むことで、1200〜3300VクラスのディスクリートSiC MOSFETをヒートシンクに直接リフロー実装可能にした。
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Navitas Semiconductorは、1200V〜3300Vの炭化ケイ素（SiC） MOSFET向けに6000V超の絶縁性能を備えた「UHV-TO-247-4-ISO」を開発した。熱性能やEMI特性を改善し、高電圧用途に対応する。
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フランスの市場調査会社Yole Group（以下、Yole）の最新予測によると、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイス市場は2025〜2031年まで年平均成長率（CAGR）20％で成長し、2031年には110億米ドルに達する見込みだという。800Vアーキテクチャ電気自動車（EV）の普及拡大などが成長をけん引する。
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Lotus Microsystemsは、AIインフラ向け垂直電力供給プラットフォーム「vStrata」を発表した。電力変換を負荷近傍に配置することで電力損失と熱的制約を低減し、高効率化を実現する。
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東洋エンジニアは、太陽光パネルと日産リーフのリユースバッテリー、Starlinkを組み合わせたドローンポート向けオフグリッドシステムを展開している。無電源／無通信環境でもドローンの自律／遠隔運用を可能にする。
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東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、高い遮断耐量と短絡耐量を両立させた6500V定格の圧接型IEGT（電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ）チップを開発した。変換装置の高電圧化や小型化が可能となる。
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onsemiは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、新たな窒化ガリウム（GaN）パワー半導体ポートフォリオ「GaNEXUS」を初公開した。AIデータセンターやロボティクスなどの市場向けに展開する。縦型GaNの開発も進めているが、まずは外部ファウンドリー活用による製品によって市場参入を進める。
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パナソニックグループはなぜAIインフラ領域に注力し、そこにどのような勝算があるのだろうか。後編では、AIデータセンター向け蓄電システムで躍進するパナソニック エナジーの取り組みを紹介する。
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2026年6月に台北で開催された「COMPUTEX TAIPEI 2026」は、「AI Together」を掲げ、来場者11万人超という過去最大規模で閉幕した。2026年のトレンドを決定づけたのは、NVIDIAが13年ぶりに投入するWindows向けSoC「RTX Spark」の存在だ。本記事では、クラウドに頼らず手元で「Agent AI」を動かすという新たな潮流と、それに伴って将来のPCやモバイル端末に立ちはだかるであろう「電力と冷却」の壁についてまとめた。
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パナソニックグループはなぜAIインフラ領域に注力し、そこにどのような勝算があるのだろうか。前編では、電子部品や材料などを展開するパナソニック インダストリーの取り組みを紹介する。
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三菱電機は、第8世代IGBT採用のIGBTモジュールを搭載したPCS（電力変換システム）用3レベルインバーターを試作、この試作機に関する部品リストや設計および性能検証データを無償で提供するサービスを2026年6月25日から始める。
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Wolfspeedは、高電圧エネルギーインフラ向けに3.3kV SiCパワーモジュール2製品を発表した。2kV以上のDCリンクアーキテクチャに対応し、電力変換段数の削減と2レベルトポロジーの簡素化を可能にする。
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SiC MOSFETの採用拡大が本格化する中、実際の使用環境に近いAC動作を繰り返すことでゲートしきい値電圧（Vth）が変動し、設計時に想定した損失や熱特性が変化する課題が注目されている。こうした特性変動を評価するDGS試験において、三菱電機は同社SiC MOSFETの特性変動量が「世界最小クラス」（同社）であることを実証したという。
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AIの爆発的な普及により、データセンターの電力不足が深刻な経営課題となっている。シスコは液冷や次世代配電技術FMPによる劇的な効率化を提唱。情シスが取り組むべき電力網刷新の正体を解き明かす。
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日立製作所は、AIやデータ解析の専門スキルを持つ新人データサイエンティストを、製造現場へと送り込んでいる。いかにして現場の「AIアレルギー」を払拭し、現場とのコミュニケーションを通じて業務時間を短縮する生成AIツールを定着させたのか。実習に参加した若手女性データサイエンティストの禹周賢（ウ・ジュヒョン）さん（デジタルアナリティクス推進部）と、受け入れ先の現場担当者にインタビューした。
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東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、トレンチゲート型炭化ケイ素（SiC） MOSFETにおいて、「短絡耐量の向上」と「低損失」を両立する技術を開発した。研究成果の一部を用いて1200V耐圧トレンチゲート型SiC MOSFET「TW007D120E」を開発、サンプル出荷を始めた。
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東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は2026年5月21日、1200V耐圧トレンチゲート型炭化ケイ素（SiC）MOSFET「TW007D120E」を発表した。独自のトレンチゲート構造の採用によって「単位面積当たりで、業界トップクラスの低オン抵抗」（同社）を実現し、既存製品と比較してオン抵抗を約58％削減している。
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ヘッドスプリングは、3Uサイズで25kVA出力の双方向交流電源「biORBIS」の提供を開始した。AIデータセンターや蓄電システム、EV急速充電器などに用いる電力変換器の評価需要に対応する。
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Schneider Electric（シュナイダーエレクトリック）は東京都内でメディア向け説明会を開催し、AIデータセンターに求められる技術と同社における事業取り組みについて紹介した。
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アジア太平洋地域でデータセンター建設に向けた投資が盛んだ。しかし、GoogleやMeta Platformsといった主要企業には、深刻な電力不足とさらなる障壁が立ちはだかっている。資金があっても解決できない問題とは。
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富士電機は、東南アジアなどのグローバル市場向けに小型かつ軽量化したモールド変圧器を発売した。巻線の構造や配置といった絶縁構造を最適化することで、従来品と比べて設置面積を約17％、質量を約13％低減した。
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ヌヴォトン テクノロジージャパンは、4.5Wの紫色半導体レーザー「KLC434FL01WW」を量産開始する。h線に近い波長に対応し、先端半導体パッケージでのマスクレス露光用光源などでの用途を見込む。
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EE Times Japan／EDN Japanは2026年5月20日（水）、オンラインセミナー「パワーデバイスセミナー 2026 春 『省エネの主役』に躍り出たパワー半導体の最前線」を開催いたします。
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コンテックは、産業用途向けのワイヤレスネットワーク製品として、組み込み無線LANボード「ECE1000」「ECE1020」と、無線LANステーション「ECS1020」を販売開始した。
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AIデータセンターや電動車（xEV）の普及によって電力需要が増大する中、電力変換効率を左右するパワー半導体の重要性が高まっている。炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）は既に実用化され市場を拡大している一方、ダイヤモンドや酸化ガリウム、二酸化ゲルマニウムといった「次々世代」材料の研究も進む。次世代パワー半導体として期待される5つの材料の現状と課題を整理する。
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Power Diamond Systemsは、ダイヤモンドMOSFET技術を応用したモノリシック双方向ダイヤモンドスイッチを開発、双方向スイッチとして安定動作することを確認した。しかも、バルク伝導を利用する従来構造品に比べ、耐圧を向上させながらオン抵抗を10分の1以下とした。
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前回、図式解法で説明したON/OFF型コンバーターが持つ潜在的な不安定要素について、シミュレーションを用いて検証します。
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マイクロチップ・テクノロジーは、過酷な環境下での電力変換用途向けSiCパワーモジュール「BZPACK mSiC」を発表した。高温、高湿環境下での信頼性規格「HV-H3TRB」に適合している。
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今回は電源ICの基本的な役割や機能などについて説明します。
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三菱電機は2026年4月15日、パワーデバイス製作所福岡地区（福岡市）に新工場棟「パワーデバイスA棟（PA棟）」を建設し、竣工式を行った。現地では同社半導体・パワーデバイス事業本部長の竹見政義氏が、ローム、東芝とのパワー半導体事業統合についても語った。
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ルネサス エレクトロニクスは、650V耐圧のGaN双方向スイッチ「TP65B110HRU」を発売し、量産出荷を開始したと発表した。DCブロッキング機能を内蔵し、単一デバイスで正負両方向の電流を遮断できる。
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MCデジタル・リアルティは千葉県印西市にデータセンター「NRT14」と検証ラボの「DRIL in Japan」を開設した。キャンパス戦略で顧客に合わせたキャパシティーの拡張や、機密性に強みを持つ。
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「IEDM 2025」におけるTSMCの講演内容を紹介するシリーズ。今回は5番目の項目「（5）Power delivery efficiency（電源供給の効率）」を前後編の2回に分けて解説する。
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蓄電池は置くだけでは稼がない。充放電のタイミングを市場に合わせて最適化し、収益を上げていくためには、高度なEMSとアグリゲーターの存在が不可欠だ。「スマートエネルギーWEEK 2026」のブースから、制御・運用を担う注目企業の動向を報告する。
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ロームは2026年4月2日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のグリーンイノベーション基金事業のもとで取り組んできた「8インチ次世代SiC MOSFETの開発」の技術目標を達成したと発表した。技術目標は「電力損失50％以上の低減」「低コスト化」で、当初の予定から2年前倒しで達成した。
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AI需要の拡大やデータセンター建設ラッシュが電力需要を押し上げる中、送配電設備の中には寿命を既に超えているものも多い。エネルギーインフラが抱える構造的課題に対応するため、日立と日立エナジーがAIサービス・ソリューション群「HMAX Energy」の提供を開始した。
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日清紡マイクロデバイスは、マイクロ波方式WPT向けダイオード「NT9000」「NT9001」「NT9002」「NT9003」を発売する。低順方向電圧と高DC耐圧を両立した。
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