最新記事一覧
Power Diamond Systemsは、ダイヤモンドMOSFET技術を応用したモノリシック双方向ダイヤモンドスイッチを開発、双方向スイッチとして安定動作することを確認した。しかも、バルク伝導を利用する従来構造品に比べ、耐圧を向上させながらオン抵抗を10分の1以下とした。
()
前回、図式解法で説明したON/OFF型コンバーターが持つ潜在的な不安定要素について、シミュレーションを用いて検証します。
()
マイクロチップ・テクノロジーは、過酷な環境下での電力変換用途向けSiCパワーモジュール「BZPACK mSiC」を発表した。高温、高湿環境下での信頼性規格「HV-H3TRB」に適合している。
()
今回は電源ICの基本的な役割や機能などについて説明します。
()
三菱電機は2026年4月15日、パワーデバイス製作所福岡地区（福岡市）に新工場棟「パワーデバイスA棟（PA棟）」を建設し、竣工式を行った。現地では同社半導体・パワーデバイス事業本部長の竹見政義氏が、ローム、東芝とのパワー半導体事業統合についても語った。
()
ルネサス エレクトロニクスは、650V耐圧のGaN双方向スイッチ「TP65B110HRU」を発売し、量産出荷を開始したと発表した。DCブロッキング機能を内蔵し、単一デバイスで正負両方向の電流を遮断できる。
()
MCデジタル・リアルティは千葉県印西市にデータセンター「NRT14」と検証ラボの「DRIL in Japan」を開設した。キャンパス戦略で顧客に合わせたキャパシティーの拡張や、機密性に強みを持つ。
()
「IEDM 2025」におけるTSMCの講演内容を紹介するシリーズ。今回は5番目の項目「（5）Power delivery efficiency（電源供給の効率）」を前後編の2回に分けて解説する。
()
蓄電池は置くだけでは稼がない。充放電のタイミングを市場に合わせて最適化し、収益を上げていくためには、高度なEMSとアグリゲーターの存在が不可欠だ。「スマートエネルギーWEEK 2026」のブースから、制御・運用を担う注目企業の動向を報告する。
()
ロームは2026年4月2日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のグリーンイノベーション基金事業のもとで取り組んできた「8インチ次世代SiC MOSFETの開発」の技術目標を達成したと発表した。技術目標は「電力損失50％以上の低減」「低コスト化」で、当初の予定から2年前倒しで達成した。
()
AI需要の拡大やデータセンター建設ラッシュが電力需要を押し上げる中、送配電設備の中には寿命を既に超えているものも多い。エネルギーインフラが抱える構造的課題に対応するため、日立と日立エナジーがAIサービス・ソリューション群「HMAX Energy」の提供を開始した。
()
日清紡マイクロデバイスは、マイクロ波方式WPT向けダイオード「NT9000」「NT9001」「NT9002」「NT9003」を発売する。低順方向電圧と高DC耐圧を両立した。
()
長引く調整局面を乗り越え、2025年第4四半期に前年同期比プラスへ転換したSTマイクロエレクトロニクス。NXP SemiconductorsのMEMS事業買収や、AIアクセラレーター搭載マイコンの市場投入、800V直流アーキテクチャ用電源の開発など、次々と打ち手を講じている。STマイクロエレクトロニクス 日本担当カントリーマネージャーを務める高桑浩一郎氏に、各事業分野の注目製品や日本での戦略を聞いた。
()
Allegro Microsystemsのホール効果電流センサーIC「ACS37017」は、高精度と高速応答を両立し、自動車および産業用高電圧電力変換の制御ループ安定化と効率向上に寄与する。
()
富士通は、パワーアンプにおいて、周波数8GHzで世界最高の電力変換効率74.3％を達成する技術を開発した。GaN-HEMTに絶縁ゲート技術を適用し、高効率と高出力の両立に成功した。
()
今回はSiCパワー半導体の基本特性やSiとの比較、活用例などについて説明します。
()
米EDNが2025年の「Product of the Year Awards」の受賞製品を発表した。13部門で100超の製品を審査している。前編となる今回は、センサーや電源などのカテゴリーでの受賞製品を紹介する。
()
Power Diamond Systemsは2026年3月、ダイヤモンドMOSFETを用いた非同期整流降圧DC-DCコンバーターを作製し、連続スイッチング動作に対応できることを確認した。実際の電力変換動作を実証したのは「世界で初めて」という。
()
ソニーセミコンダクタソリューションズが、LOFIC画素を採用した4K解像度CMOSイメージセンサーを開発した。LOFIC構造を「業界最小」（同社）となる1.45μmの単一画素で実現し、1/2.8型と小型ながら1回の露光で4K解像度と96dBのダイナミックレンジを両立している。今回、担当者に詳細を聞いた。
()
STマイクロエレクトロニクスは、位相シフト制御（PSC）技術を搭載したLLC、LCC共振コンバーター向けコントローラーIC「STNRG599A」「STNRG599B」を発表した。すでに量産を開始している。
()
AIの競争軸は、半導体から電力へと移りつつある。なぜなら、AIに必要な計算能力の拡大が、半導体の性能向上よりも速いペースで電力需要を増大させているためである。これは、日本の半導体戦略において見落とされがちな「死角」でもある。
()
富士通は、パワーアンプにおいて、8GHzで「世界最高」（同社）の電力変換効率74.3％を達成する技術を開発したと発表した。窒化ガリウム（GaN） HEMTにおける高品質な絶縁ゲート技術を開発したことで、高効率と高出力の両立を実現したという。8GHzは6Gの候補周波数帯であるFR3（Frequency Range 3）の一部だ。
()
日立製作所は、東京都内で記者会見を開き、水を電気分解することで水素を製造する水電解システム向けに、10kV級の高電圧に対応した絶縁配管を開発したと発表した。
()
編集部が選んだ2026年の注目技術を紹介する。
()
今回はサブハーモニック発振の発生を防止する対策について説明します。
()
東急建設は、タダノのフル電動25トンラフテレーンクレーンを自社で購入し、東京都内の建築工事現場に導入した。
()
トレックス・セミコンダクターは、突入電流やサージ電流に対する耐量を高めた650V対応の炭化ケイ素（SiC）ショットキーバリアダイオード（SBD）「XBSC41」「XBSC42」「XBSC43」シリーズを発表した。
()
Amazon.co.jpのタイムセールにて、UGREENの巻き取り式USB Type-Cケーブルを内蔵した65W充電器が36％オフで販売中だ。ケーブルが本体に収納できるため、外出時の持ち運びが非常にスマートになるといえる。
()
東芝がSiCデバイスの性能を最大限に引き出す次世代ゲートドライバ技術として「フィードバック型アクティブゲートドライバー」と「低損失ゲートドライバー」の2つを開発。フィードバック型アクティブゲートドライバーは28％の損失低減と58％のサージ抑制、低損失ゲートドライバーは84％の駆動損失削減をそれぞれ試作回路で確認したという。
()
AIの世界的な普及を背景に、爆増するデータセンターの消費電力。これによって現在、2つの深刻な問題が引き起こされている。それは、電力が足りなくなっていることと、データセンター内での電力供給が困難になっていることだ。デルタ電子（Delta Electronics／以下、デルタ）とロームは、これらの問題を解決すべく協業体制を強化した。デルタのPower and System Business Groupの責任者を務めるAres Chen氏と、ロームでパワーデバイス事業担当の常務執行役員を務める伊野和英氏が、両社の目指す未来を議論した。
()
ビシェイ・インターテクノロジーは、産業用途における電力変換向けの100V第2世代TMBS整流モジュール4製品を発表した。いずれも100V定格で、SOT-227パッケージを採用し、競合製品から容易に置き換えられる。
()
今回はシングルペアイーサネット（SPE）の特長や規格、適用事例などを紹介します。
()
マイクロチップ・テクノロジーは、高電圧電源管理アプリケーション向けに、最大600V動作に対応するゲートドライバー計12製品を発表した。600mA〜4.5Aの駆動電流に対応可能だ。
()
Amazonで、3ポート搭載の急速充電器「Anker Nano Charger（70W,3Ports）」が26％オフのセール中だ。最大70Wの高出力ながら世界最小クラスの小型化を実現したモデルとなっている。
()
Allegro MicroSystemsのACS37100は、10MHz帯域と高速応答を備え、窒化ガリウム（GaN）や炭化ケイ素（SiC） FETを用いる電力変換システムで高精度な電流検出を可能にするデバイスである。
()
三菱電機は2026年2月3日、2025年度第3四半期（2025年10〜12月）業績を発表した。セミコンダクターセグメントの売上高は前年同期比で横ばいの678億円、営業利益は同18億円増の103億円だった。パワー半導体は需要停滞が継続したが、通信用光デバイスが堅調に推移した。
()
本連載「冴えない機械の救いかた」では、メカ設計の失敗事例を題材に、CAE解析や計測技術を用いて、不具合の発生メカニズムとその対策を解説していく。第1回は、同じ図面で製作した複数台の直動パーツフィーダーにおいて、ボルトが1週間で折れたり折れなかったりするという、再現性のない厄介な事例を紹介する。
()
TSMC傘下の台湾ファウンドリー企業Vanguard International Semiconductorが、TSMCと650Vおよび80V窒化ガリウム（GaN）技術に関するライセンス契約を締結した。開発は2026年初頭に開始し、2028年上半期に生産開始する予定だ。
()
NECは、5G基地局無線機（RU）に向けたSub 6GHz帯域用パワーアンプモジュール（PAM）を開発した。従来の一般的なPAMに比べて消費電力を10％削減した。外形寸法も10×6mmと小さい。
()
インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、再生可能エネルギー向けの高耐圧な炭化ケイ素（SiC）モジュールやハイエンド電気自動車（EV）向けのオンボードチャージャー（OBC）リファレンスデザインを紹介した。
()
ヤマハ発動機は「第40回ネプコンジャパン」において、マウンターとダイボンダーの機能を併せ持つ、ハイブリッドプレーサーの新製品「YRH10W」を披露した。
()
千葉大学やNHK放送技術研究所、京都大学らの共同研究チームは、1つの素子で「太陽光発電」と「発光」という2つの機能を備えた「発電できる有機EL素子」を開発した。
()
村田製作所は、「オートモーティブワールド2026」内の「第18回 国際カーエレクトロニクス技術展」において、さまざまなアナログ機器をIoT化できる「電源マネジメントアダプタ」を披露した。
()
ヌヴォトン テクノロジーは、波長379nmの紫外半導体レーザーの出力を同社従来品比で倍増となる1.0Wを達成した「高出力 1.0W 紫外（379nm）半導体レーザ」を開発した。主に、先端半導体パッケージ向けマスクレス露光装置の微細化や加工速度向上の用途に向ける。
()
三菱電機と東京科学大学、筑波大学および、Quemixは、シリコンに注入した水素が、自由電子を生成する仕組みを解明した。これによって、IGBTなどシリコンパワー半導体デバイスの電子濃度を高度に制御し構造設計や製造方法を最適化できれば、電力損失を低減することが可能になる。
()
ヌヴォトン テクノロジーは、出力1.0Wの紫外（379nm）半導体レーザーの量産開始を発表した。半導体レーザーでは難しいとされていた「短波長」「高出力」「長寿命」を実現したもので、先端パッケージング向けのマスクレス露光の微細化や生産スループット向上に貢献するという。
()
FLOSFIAは、酸化ガリウム（α-Ga2O3）パワー半導体デバイスの量産化に向けて、4インチウエハーの製造技術に関する実証を完了するとともに、試作したショットキーバリアダイオード（SBD）を用い、製品の信頼性についても改善されていることを確認した。
()
最新のスマートフォンやガジェットが豊作だった1年だが、インドア派の筆者が選んだNo.1アイテムは、意外にもアウトドアの定番「ポータブル電源」だった。
()
間もなく終わりを迎える2025年。そこで、EE Times Japan編集部のメンバーが、半導体業界の“世相”を表す「ことしの漢字」を考えてみました。
()
村田製作所は、3225Mサイズで定格電圧1.25kV、C0G特性を備えた静電容量15nFの積層セラミックコンデンサーを商品化した。高耐圧と安定した容量により車載電源回路の高効率化に貢献する。
()