最新記事一覧
FLOSFIAは、酸化ガリウム（α-Ga2O3）パワー半導体デバイスの量産化に向けて、4インチウエハーの製造技術に関する実証を完了するとともに、試作したショットキーバリアダイオード（SBD）を用い、製品の信頼性についても改善されていることを確認した。
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最新のスマートフォンやガジェットが豊作だった1年だが、インドア派の筆者が選んだNo.1アイテムは、意外にもアウトドアの定番「ポータブル電源」だった。
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間もなく終わりを迎える2025年。そこで、EE Times Japan編集部のメンバーが、半導体業界の“世相”を表す「ことしの漢字」を考えてみました。
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村田製作所は、3225Mサイズで定格電圧1.25kV、C0G特性を備えた静電容量15nFの積層セラミックコンデンサーを商品化した。高耐圧と安定した容量により車載電源回路の高効率化に貢献する。
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村田製作所は、3225Mサイズで、静電容量15nFの積層セラミックコンデンサーの量産を開始した。定格電圧は1.25kVで、C0G特性を備える。車載オンボードチャージャーや民生用高性能電源の電源回路での用途に適する。
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EIZOは、産業機器への組み込みなどに向くオープンフレーム筐体を採用したタッチ操作対応の18.5型液晶ディスプレイ「DuraVision FDF1983WT」を発表した。
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村田製作所は、外形寸法が3.2×2.5mmの3225Mサイズで、静電容量が最大15nFの積層セラミックコンデンサーを開発、量産を始めた。定格電圧は1.25kVで、温度が変化しても容量変化がほとんどないC0G特性に対応している。
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窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場の成長が一気に加速する可能性があります。
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EE Times Japan／EDN Japanは「パワーエレクトロニクス イニシアチブ」を2025年12月4日にオンラインで開催致します。基調講演4本をご紹介します。
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高耐熱／高耐圧用途向けでシリコン（Si）に代わる次世代パワー半導体材料として、炭化ケイ素（SiC）への注目度がますます高まっている。2025年9月に開催されたSiCに関する国際学会「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials（ICSCRM） 2025」での動向などを踏まえて、SiC開発の現状や日本を含めた世界のプレイヤーの勢力図について、名古屋工業大学 電気・機械工学科 教授の加藤正史氏に聞いた。
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キーサイト・テクノロジーは、高出力ATEシステム用電源として、回生型直流電源「RP5900」シリーズ、回生型直流電子負荷「EL4900」シリーズ、システム直流電源「DP5700」シリーズを発表した。
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オムロンは、2030年度を最終年度とする「中期ロードマップ SF 2nd Stage」について説明した。デバイス事業を軸に競争力の立て直しと“GEMBA DX”実現に向けた投資シフトを進める。
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半導体として優れた特性を持ち、採用拡大が進んでいる炭化ケイ素（SiC）／窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス。横河計測は、次世代パワーデバイスの高速な電気信号を正確に測定できる高電圧差動プローブを開発した。
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STMicroelectronicsは、次世代AIデータセンター向け電源供給システムの試作品を発表した。NVIDIAが開発する800V直流電源アーキテクチャをサポートする新しい設計だ。
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災害に備えておきたいと思っていても、忘れた頃に天災はやって来る。そのためローリングストックが推奨されているが、電力の場合はどうすれば良いのか。その課題を解決するのが普段使いのあるものをポータブル電源に変える「チャリパワー」だ。どのようなアイテムなのだろうか。
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アイシンはジャパンモビリティショー2025で、「心を動かす移動の未来」を掲げ、電動化と知能化を両輪に据えたコンセプトカーや機能統合電動ユニット（Xin1）など次世代技術を披露した。
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今回は「EMI（電磁妨害）」を取り上げます。EMIの定義から、EMIが与える影響、EMIで使われる単位といった基礎知識をお伝えします。
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デンソーは、「Japan Mobility Show（ジャパンモビリティショー） 2025」で開催したプレスカンファレンスにおいて、SiCデバイスを採用した電動車向けの新型インバーターとSDV時代に対応する統合モビリティコンピュータを発表した。
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車載電源システムにおいて12Vから48Vへの移行が加速している。そうした中、電源設計では48Vシステムに特有の課題も浮上してきた。日清紡マイクロデバイスは、12Vシステム向けで培ったノウハウをベースに、48Vシステム向け電源の課題解決に貢献するソリューションの展開を強化している。電源IC単体の提供にとどまらず、受託設計や幅広いサポートを含め、トータルで48Vシステムへの移行を支える。
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ダイハツ工業は、「Japan Mobility Show（ジャパンモビリティショー） 2025」において、新開発の軽自動車用「e-SMART HYBRID」を披露した。ワールドプレミアとして世界初公開した次世代軽自動車のコンセプトカー「K-VISION」に搭載するパワートレインとなっている。
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ロジクールが、室内照明でも充電可能なワイヤレスキーボード「Signature Slim Solar + K980」を発表、11月27日から販売を開始する。
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Texas Instrumentsは半導体製造における自立性を高めるため、2030年までに自社生産能力を95％超に拡大するという目標を掲げている。同社の欧州／中東／アフリカ地域（EMEA）担当プレジデントであるStefan Bruder氏に独占インタビューを行い、同社工場の生産能力拡大や、設計のスピード、インドにおける事業計画などについて話を聞いた。
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フランスの市場調査会社Yole Groupによると、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場は2024年から2030年まで年平均成長率（CAGR）42％で成長し約30億米ドルの市場になるという。2024年の市場シェアでは中国Innoscienceがトップだった。日本勢はトップ5には入っていない。
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カーボンニュートラルや工場の自動化といったメガトレンドを背景に、オムロンがパワーエレクトロニクス（パワエレ）の技術開発を加速している。CAEと最適化技術を巧みに組み合わせ、蓄積されたノウハウだけでなくAI技術なども柔軟に取り入れながら、スピーディに設計の最適解にたどり着くことが同社の強みだ。
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STマイクロエレクトロニクスは、窒化ガリウム（GaN）用のハーフブリッジゲートドライバーICとして「STDRIVEG210」と「STDRIVEG211」の2製品を発表した。産業用機器やコンピュータ周辺機器などにおける電力変換用途に向ける。
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ルネサス エレクトロニクスは、窒化ガリウム（GaN）電源ソリューションを用意し、NVIDIAが提唱する800V直流電源アーキテクチャに対応していくと発表した。
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米国マサチューセッツ工科大学発の新興企業Vertical Semiconductorが、縦型窒化ガリウム（GaN）トランジスタ開発に向け、1100万米ドルを調達したと発表した。ベンチャーキャピタルのPlayground Globalが主導したシード資金調達で、信越化学工業も出資に参加している。
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ダイハツ工業、豊田中央研究所、トヨタ自動車九州は、再生可能エネルギーを活用したマイクログリッドシステムの実証実験を開始したと発表した。
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八千代エンジニヤリングは、能登半島の地すべり災害区域で、オフグリッド型ドローンポートを用いた遠隔自動監視の実証を実施した。AIによる画像解析と手動による点群差分解析を組み合わせ、地形変化の定量把握を図った。
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ダイハツ工業と豊田中央研究所、トヨタ自動車九州は、トヨタ自動車九州の小倉工場において、ダイハツと豊田中研が共同開発したマイクログリッドシステムの実証実験を開始したと発表した。
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ロームとInfineon Technologies（インフィニオン）は、SiCパワーデバイスのパッケージを共通化する協業を開始した。両社から互換製品を調達できるようになり、設計や調達の利便性が高まる。
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世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が2025年5月、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術を紹介する。
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東京大学と物質・材料研究機構（NIMS）、岡山大学、ジョージア工科大学および、コロラド大学ボルダー校の国際共同研究グループは、有機半導体を用い周波数920MHz（UHF帯）の交流電力を、5.2％という高い効率で直流電力に変換できる「整流ダイオード」を開発した。IoT向け無線通信などへの応用を視野に入れる。
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エネルギー損失が少ない送電／配電網として、注目度が高まっている直流（DC）グリッド。この次世代のグリッドではDC電流をいかに高速に遮断できるかが重要になる。そこで脚光を浴び始めているのが炭化ケイ素（SiC）JFETだ。なぜSiC JFETがDC電流遮断に向くのか。SiCデバイスを長年手掛けるインフィニオン テクノロジーズが解説する。
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NTTと三菱重工業は、大気中のレーザー無線給電で世界最高効率を達成したと発表した。出力1kWのレーザー光を用いて1km先の受光パネルに無線でエネルギーを供給する光無線給電実験を実施し、効率で約15％に当たる152Wの電力を得ることに成功した。
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ロームは、DOT-247パッケージを採用した2in1構成のSiCパワーモジュールを開発し、量産を始めた。PV（太陽光発電）用インバーターやUPS（無停電電源装置）、半導体リレーといった産業機器用途に向ける。
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ams OSRAMは、殺菌用途向けのUV-C LEDで、従来比約2倍となる電力変換効率10.2％を達成した。波長265nm、200mW出力クラスの評価デバイスで検証し、ドイツの国立計測機関PTBが10.2％のWPEを実証した。
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ルネサス エレクトロニクスは、3レベル方式を採用した降圧コントローラー「RAA489300」「RAA489301」を発売した。従来の2レベル方式と比較して、出力電圧制御時の電力損失を最大約40％低減する。
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EIZOは、マルチタッチ操作にも対応した15.6型液晶ディスプレイ「DuraVision FDF1683WT」を発表した。
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今岡通博氏による、組み込み開発に新しく関わることになった読者に向けた組み込み用語解説の連載コラム。第18回は、コイルを用いた実験回路を使って積分の本質に迫る。
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TDKは、車載PoC（Power over Coax）用巻線インダクター「ADL4524VLシリーズ」を発表した。広い周波数帯域で高いインピーダンス特性を確保していて、従来2〜3個のインダクターを組み合わせていたPoCフィルター用途に1個で対応できる。使用可能範囲は要求の多い300〜500mAで、3G〜12Gbpsの通信に対応する。
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東芝の欧州現地法人であるToshiba Electronics Europeは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」で、逆導通IGBT（RC-IGBT）搭載の2in1両面冷却モジュールや2in1のSiCモジュールのサンプルおよび、それぞれのベアダイなどの電動車（xEV）インバーター向け製品を公開。この市場をフルラインアップで攻める姿勢を示していた。
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今回はチョーク電流連続でキャパシターへの充電期間tcがtc＝toffとなるMode I動作時のリップル電圧とキャパシターに流れるリップル電流の計算の仕方について説明していきます。
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自動車の電動化や再生可能エネルギー産業の成長を背景に、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の活用が広がっている。かつては高価格／高性能な用途に限られていたが、現在ではウエハー生産量が増加して価格が手ごろになり、幅広い用途での採用が現実的になっている。ここで立ちはだかるのが信頼性や放熱設計、インダクタンス低減といった“使い勝手”の壁だ。インフィニオン テクノロジーズの「CoolSiC MOSFET G2」と表面実装／上面放熱に対応したパッケージ「Q-DPAK」は、こうした設計課題への現実的な解決策を提示する製品だ。
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Infineon Technologiesは高速かつ堅牢な電力供給システムに対する需要に対応するSiC JFETデバイスや、オン抵抗を従来比40％削減するトレンチベースのスーパージャンクション技術を採用したSiC MOSFETの開発など、SiCパワー半導体事業においてさらなる競争力の強化を図っている。
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AIの需要増加で、ネットワーク上のデータ量は急速に増加している。2010年から2025年の15年間で、データ量は145倍になる見込みだ。チップ性能の向上で、計算量も指数関数的に増加していて、シングルプロセッサの電力需要は3〜4カ月ごとに倍増している。これに伴い、AIデータセンターによる送電網への負担、コスト、堅牢性／信頼性が重要な課題となっている。これに対しInfineon Technologiesは、AIデータセンター向けの電力供給システムの開発を進めている。
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インフィニオンテクノロジーズ ジャパンは、生成AIの登場により高性能化への要求が大幅に高まっているAIデータセンター向け電力供給システムの市場動向と同社の取り組みについて説明した。
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ルネサス エレクトロニクスは、650V耐圧の窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の新製品を発表した。2024年6月にTransphormを買収して以来初めての新製品だ。
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次世代パワーデバイスとして製品投入が進む炭化ケイ素（SiC）MOSFET。効率が高く、電力変換システムを大幅に小型化できるといったメリットはあるものの、従来のシリコンパワーデバイスに比べると、使い勝手の点では課題がある。SiCパワーデバイスを30年にわたり手掛けるSTマイクロエレクトロニクスは、サプライチェーンと設計の両面で、SiCパワーデバイスを使う設計者を支える。
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レゾナックと東北大学は、シリコンウエハーの製造過程で発生する廃棄物であるシリコンスラッジと炭化ケイ素（SiC）粉末を、パワー半導体のSiC単結晶材料の成長用原料として応用するための基礎検討が完了し、活用に向けた本格検討を開始した。
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