最新記事一覧
パナソニックグループはなぜAIインフラ領域に注力し、そこにどのような勝算があるのだろうか。前編では、電子部品や材料などを展開するパナソニック インダストリーの取り組みを紹介する。
()
三菱電機は、第8世代IGBT採用のIGBTモジュールを搭載したPCS（電力変換システム）用3レベルインバーターを試作、この試作機に関する部品リストや設計および性能検証データを無償で提供するサービスを2026年6月25日から始める。
()
Wolfspeedは、高電圧エネルギーインフラ向けに3.3kV SiCパワーモジュール2製品を発表した。2kV以上のDCリンクアーキテクチャに対応し、電力変換段数の削減と2レベルトポロジーの簡素化を可能にする。
()
SiC MOSFETの採用拡大が本格化する中、実際の使用環境に近いAC動作を繰り返すことでゲートしきい値電圧（Vth）が変動し、設計時に想定した損失や熱特性が変化する課題が注目されている。こうした特性変動を評価するDGS試験において、三菱電機は同社SiC MOSFETの特性変動量が「世界最小クラス」（同社）であることを実証したという。
()
AIの爆発的な普及により、データセンターの電力不足が深刻な経営課題となっている。シスコは液冷や次世代配電技術FMPによる劇的な効率化を提唱。情シスが取り組むべき電力網刷新の正体を解き明かす。
()
日立製作所は、AIやデータ解析の専門スキルを持つ新人データサイエンティストを、製造現場へと送り込んでいる。いかにして現場の「AIアレルギー」を払拭し、現場とのコミュニケーションを通じて業務時間を短縮する生成AIツールを定着させたのか。実習に参加した若手女性データサイエンティストの禹周賢（ウ・ジュヒョン）さん（デジタルアナリティクス推進部）と、受け入れ先の現場担当者にインタビューした。
()
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、トレンチゲート型炭化ケイ素（SiC） MOSFETにおいて、「短絡耐量の向上」と「低損失」を両立する技術を開発した。研究成果の一部を用いて1200V耐圧トレンチゲート型SiC MOSFET「TW007D120E」を開発、サンプル出荷を始めた。
()
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は2026年5月21日、1200V耐圧トレンチゲート型炭化ケイ素（SiC）MOSFET「TW007D120E」を発表した。独自のトレンチゲート構造の採用によって「単位面積当たりで、業界トップクラスの低オン抵抗」（同社）を実現し、既存製品と比較してオン抵抗を約58％削減している。
()
ヘッドスプリングは、3Uサイズで25kVA出力の双方向交流電源「biORBIS」の提供を開始した。AIデータセンターや蓄電システム、EV急速充電器などに用いる電力変換器の評価需要に対応する。
()
Schneider Electric（シュナイダーエレクトリック）は東京都内でメディア向け説明会を開催し、AIデータセンターに求められる技術と同社における事業取り組みについて紹介した。
()
アジア太平洋地域でデータセンター建設に向けた投資が盛んだ。しかし、GoogleやMeta Platformsといった主要企業には、深刻な電力不足とさらなる障壁が立ちはだかっている。資金があっても解決できない問題とは。
()
富士電機は、東南アジアなどのグローバル市場向けに小型かつ軽量化したモールド変圧器を発売した。巻線の構造や配置といった絶縁構造を最適化することで、従来品と比べて設置面積を約17％、質量を約13％低減した。
()
ヌヴォトン テクノロジージャパンは、4.5Wの紫色半導体レーザー「KLC434FL01WW」を量産開始する。h線に近い波長に対応し、先端半導体パッケージでのマスクレス露光用光源などでの用途を見込む。
()
EE Times Japan／EDN Japanは2026年5月20日（水）、オンラインセミナー「パワーデバイスセミナー 2026 春 『省エネの主役』に躍り出たパワー半導体の最前線」を開催いたします。
()
コンテックは、産業用途向けのワイヤレスネットワーク製品として、組み込み無線LANボード「ECE1000」「ECE1020」と、無線LANステーション「ECS1020」を販売開始した。
()
AIデータセンターや電動車（xEV）の普及によって電力需要が増大する中、電力変換効率を左右するパワー半導体の重要性が高まっている。炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）は既に実用化され市場を拡大している一方、ダイヤモンドや酸化ガリウム、二酸化ゲルマニウムといった「次々世代」材料の研究も進む。次世代パワー半導体として期待される5つの材料の現状と課題を整理する。
()
Power Diamond Systemsは、ダイヤモンドMOSFET技術を応用したモノリシック双方向ダイヤモンドスイッチを開発、双方向スイッチとして安定動作することを確認した。しかも、バルク伝導を利用する従来構造品に比べ、耐圧を向上させながらオン抵抗を10分の1以下とした。
()
前回、図式解法で説明したON/OFF型コンバーターが持つ潜在的な不安定要素について、シミュレーションを用いて検証します。
()
マイクロチップ・テクノロジーは、過酷な環境下での電力変換用途向けSiCパワーモジュール「BZPACK mSiC」を発表した。高温、高湿環境下での信頼性規格「HV-H3TRB」に適合している。
()
今回は電源ICの基本的な役割や機能などについて説明します。
()
三菱電機は2026年4月15日、パワーデバイス製作所福岡地区（福岡市）に新工場棟「パワーデバイスA棟（PA棟）」を建設し、竣工式を行った。現地では同社半導体・パワーデバイス事業本部長の竹見政義氏が、ローム、東芝とのパワー半導体事業統合についても語った。
()
ルネサス エレクトロニクスは、650V耐圧のGaN双方向スイッチ「TP65B110HRU」を発売し、量産出荷を開始したと発表した。DCブロッキング機能を内蔵し、単一デバイスで正負両方向の電流を遮断できる。
()
MCデジタル・リアルティは千葉県印西市にデータセンター「NRT14」と検証ラボの「DRIL in Japan」を開設した。キャンパス戦略で顧客に合わせたキャパシティーの拡張や、機密性に強みを持つ。
()
「IEDM 2025」におけるTSMCの講演内容を紹介するシリーズ。今回は5番目の項目「（5）Power delivery efficiency（電源供給の効率）」を前後編の2回に分けて解説する。
()
蓄電池は置くだけでは稼がない。充放電のタイミングを市場に合わせて最適化し、収益を上げていくためには、高度なEMSとアグリゲーターの存在が不可欠だ。「スマートエネルギーWEEK 2026」のブースから、制御・運用を担う注目企業の動向を報告する。
()
ロームは2026年4月2日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のグリーンイノベーション基金事業のもとで取り組んできた「8インチ次世代SiC MOSFETの開発」の技術目標を達成したと発表した。技術目標は「電力損失50％以上の低減」「低コスト化」で、当初の予定から2年前倒しで達成した。
()
AI需要の拡大やデータセンター建設ラッシュが電力需要を押し上げる中、送配電設備の中には寿命を既に超えているものも多い。エネルギーインフラが抱える構造的課題に対応するため、日立と日立エナジーがAIサービス・ソリューション群「HMAX Energy」の提供を開始した。
()
日清紡マイクロデバイスは、マイクロ波方式WPT向けダイオード「NT9000」「NT9001」「NT9002」「NT9003」を発売する。低順方向電圧と高DC耐圧を両立した。
()
長引く調整局面を乗り越え、2025年第4四半期に前年同期比プラスへ転換したSTマイクロエレクトロニクス。NXP SemiconductorsのMEMS事業買収や、AIアクセラレーター搭載マイコンの市場投入、800V直流アーキテクチャ用電源の開発など、次々と打ち手を講じている。STマイクロエレクトロニクス 日本担当カントリーマネージャーを務める高桑浩一郎氏に、各事業分野の注目製品や日本での戦略を聞いた。
()
Allegro Microsystemsのホール効果電流センサーIC「ACS37017」は、高精度と高速応答を両立し、自動車および産業用高電圧電力変換の制御ループ安定化と効率向上に寄与する。
()
富士通は、パワーアンプにおいて、周波数8GHzで世界最高の電力変換効率74.3％を達成する技術を開発した。GaN-HEMTに絶縁ゲート技術を適用し、高効率と高出力の両立に成功した。
()
今回はSiCパワー半導体の基本特性やSiとの比較、活用例などについて説明します。
()
米EDNが2025年の「Product of the Year Awards」の受賞製品を発表した。13部門で100超の製品を審査している。前編となる今回は、センサーや電源などのカテゴリーでの受賞製品を紹介する。
()
Power Diamond Systemsは2026年3月、ダイヤモンドMOSFETを用いた非同期整流降圧DC-DCコンバーターを作製し、連続スイッチング動作に対応できることを確認した。実際の電力変換動作を実証したのは「世界で初めて」という。
()
ソニーセミコンダクタソリューションズが、LOFIC画素を採用した4K解像度CMOSイメージセンサーを開発した。LOFIC構造を「業界最小」（同社）となる1.45μmの単一画素で実現し、1/2.8型と小型ながら1回の露光で4K解像度と96dBのダイナミックレンジを両立している。今回、担当者に詳細を聞いた。
()
STマイクロエレクトロニクスは、位相シフト制御（PSC）技術を搭載したLLC、LCC共振コンバーター向けコントローラーIC「STNRG599A」「STNRG599B」を発表した。すでに量産を開始している。
()
AIの競争軸は、半導体から電力へと移りつつある。なぜなら、AIに必要な計算能力の拡大が、半導体の性能向上よりも速いペースで電力需要を増大させているためである。これは、日本の半導体戦略において見落とされがちな「死角」でもある。
()
富士通は、パワーアンプにおいて、8GHzで「世界最高」（同社）の電力変換効率74.3％を達成する技術を開発したと発表した。窒化ガリウム（GaN） HEMTにおける高品質な絶縁ゲート技術を開発したことで、高効率と高出力の両立を実現したという。8GHzは6Gの候補周波数帯であるFR3（Frequency Range 3）の一部だ。
()
日立製作所は、東京都内で記者会見を開き、水を電気分解することで水素を製造する水電解システム向けに、10kV級の高電圧に対応した絶縁配管を開発したと発表した。
()
編集部が選んだ2026年の注目技術を紹介する。
()
今回はサブハーモニック発振の発生を防止する対策について説明します。
()
東急建設は、タダノのフル電動25トンラフテレーンクレーンを自社で購入し、東京都内の建築工事現場に導入した。
()
トレックス・セミコンダクターは、突入電流やサージ電流に対する耐量を高めた650V対応の炭化ケイ素（SiC）ショットキーバリアダイオード（SBD）「XBSC41」「XBSC42」「XBSC43」シリーズを発表した。
()
Amazon.co.jpのタイムセールにて、UGREENの巻き取り式USB Type-Cケーブルを内蔵した65W充電器が36％オフで販売中だ。ケーブルが本体に収納できるため、外出時の持ち運びが非常にスマートになるといえる。
()
東芝がSiCデバイスの性能を最大限に引き出す次世代ゲートドライバ技術として「フィードバック型アクティブゲートドライバー」と「低損失ゲートドライバー」の2つを開発。フィードバック型アクティブゲートドライバーは28％の損失低減と58％のサージ抑制、低損失ゲートドライバーは84％の駆動損失削減をそれぞれ試作回路で確認したという。
()
AIの世界的な普及を背景に、爆増するデータセンターの消費電力。これによって現在、2つの深刻な問題が引き起こされている。それは、電力が足りなくなっていることと、データセンター内での電力供給が困難になっていることだ。デルタ電子（Delta Electronics／以下、デルタ）とロームは、これらの問題を解決すべく協業体制を強化した。デルタのPower and System Business Groupの責任者を務めるAres Chen氏と、ロームでパワーデバイス事業担当の常務執行役員を務める伊野和英氏が、両社の目指す未来を議論した。
()
ビシェイ・インターテクノロジーは、産業用途における電力変換向けの100V第2世代TMBS整流モジュール4製品を発表した。いずれも100V定格で、SOT-227パッケージを採用し、競合製品から容易に置き換えられる。
()
今回はシングルペアイーサネット（SPE）の特長や規格、適用事例などを紹介します。
()
マイクロチップ・テクノロジーは、高電圧電源管理アプリケーション向けに、最大600V動作に対応するゲートドライバー計12製品を発表した。600mA〜4.5Aの駆動電流に対応可能だ。
()
Amazonで、3ポート搭載の急速充電器「Anker Nano Charger（70W,3Ports）」が26％オフのセール中だ。最大70Wの高出力ながら世界最小クラスの小型化を実現したモデルとなっている。
()