最新記事一覧
Microsoftは、米アトランタで「AIスーパーファクトリー」の運用を開始したと発表した。大規模データセター「Fairwater」の第2拠点で、ウィスコンシン拠点と「AI WAN」で直結する。NVIDIA GB200を採用し、AIモデル学習を数カ月から数週間に短縮することを目指す。
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カシオから、びっくりどっきりな製品が登場しました。何が驚くべきかって、なんと指輪サイズなのです。実機を借りることができたので、使ってみました。
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カシオ計算機は、指輪サイズの耐衝撃ウオッチ「G-SHOCK nano」を11月8日に発売する。開発のきっかけやこわだりを担当者に聞いた。
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サンケン電気は、高圧3相モーター用ドライバー「SAM265M50AS3」の量産を開始した。スイッチング損失が低減していて、IPMの温度上昇を抑制する。車載規格「AQG324」に準拠した。
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京セラは、キオクシア、アイオーコアとともに「CEATEC 2025」で、次世代グリーンデータセンター向けの光電気集積モジュール「OPTINITY」を展示した。
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カシオ計算機は、耐衝撃ウオッチ「G-SHOCK」の新製品として、歴代最小となる指輪サイズに耐衝撃構造と20気圧防水を搭載した「DWN-5600」を11月8日に発売する。
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カシオ計算機は、腕時計ブランド「G-SHOCK」の新製品として、歴代最小となる指輪サイズに耐衝撃構造と20気圧防水を搭載した「G-SHOCK Nano 5600 シリーズ（DWN-5600）」を発表。2025年11月8日から販売を開始する。
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カシオ計算機は21日、歴代最小となる指輪サイズの“G-SHOCK”「DWN-5600」を発表した。
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リテルヒューズは、TVSダイオード「DFNAK3」シリーズの販売を開始した。3kAのサージ電流保護に対応し、DC電源システムやPoEなど、過酷な環境下での機器保護に適する。
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ロームが、素子構造を根本から見直すことで低順方向電圧（VF）と低逆方向電流（IR）を両立した保護用ショットキーバリアダイオード「RBE01VYM6AFH」を開発した。
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Appleがスペシャルイベントで新しいiPhoneやApple Watch、AirPods Proを発表した。現地で取材した内容をもとに、発表内容を俯瞰（ふかん）したいと思う。【追記】
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ソシオネクストは、コンシューマーやAI、データセンターなどの用途に向けた3次元集積回路（3DIC）の設計に対応していく。5.5Dを含むパッケージ技術とSoC（System on Chip）設計能力を活用して、顧客に最適なソリューションを提供したいとする。
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OKIサーキットテクノロジー（OTC）は、放熱性を強化した「銅コイン埋め込みフレックスリジット基板」を開発した。真空環境で稼働するロケットや人工衛星搭載機器に向けた製品で、2025年8月より販売を始める。
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自動車の電動化や再生可能エネルギー産業の成長を背景に、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の活用が広がっている。かつては高価格／高性能な用途に限られていたが、現在ではウエハー生産量が増加して価格が手ごろになり、幅広い用途での採用が現実的になっている。ここで立ちはだかるのが信頼性や放熱設計、インダクタンス低減といった“使い勝手”の壁だ。インフィニオン テクノロジーズの「CoolSiC MOSFET G2」と表面実装／上面放熱に対応したパッケージ「Q-DPAK」は、こうした設計課題への現実的な解決策を提示する製品だ。
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総合モーターメーカーのニデックが、ドローン分野への参入をまた一歩前進させた。「Japan Drone 2025」に初出展し、独自開発のESC（電子速度制御装置）と、それを搭載したドローン用モーターを披露。軽量／高効率の設計に加え、エッジAIによる異常検知機能など、空のモビリティーの安全を支える新たな動力技術に注目が集まった。
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ロームは、次世代AIデータセンターに向けた「800V電力供給アーキテクチャ」の開発で、NVIDIAと協業する。新たなデータセンターの設計に対しロームは、Si（シリコン）に加え、ワイドバンドギャップ半導体のSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）など、最先端のパワー半導体デバイスを提供していく。
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三菱電機、5G-Advanced基地局用の7GHz帯GaN（窒化ガリウム）増幅器モジュールを開発、通信信号を用いて性能実証にも成功した。
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ニデックは、次世代技術のGaNパワー半導体デバイスを搭載した、小型軽量のドローン用ESCを開発した。重量を従来の3分の1に抑えるだけでなく、モーター効率も向上させている。
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富士通と理化学研究所は4月22日、256量子ビットの超伝導量子コンピュータを開発したと発表した。新たな高密度実装技術により、2023年に開発した64量子ビットマシンから4倍の量子ビット数を実現したという。2025年度第1四半期中に企業や研究機関に向け提供を始める。
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急速に進化するAI技術との融合により変わりつつあるスーパーコンピュータの現在地を、大学などの公的機関を中心とした最先端のシステムから探る本連載。第5回は、2025年1月に一般提供を開始した産総研の「ABCI 3.0」を取り上げる。
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三菱電機は、5G massive MIMO基地局向けGaN電力増幅器モジュール「MGFS52G40MB」を発表した。独自の整合回路設計技術を適用し、3.6〜4.0GHz帯へ対応。より多くの国や地域の5G基地局の普及拡大に貢献する。
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東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジーは、「INSPECTRA」シリーズとして、半導体先端パッケージ向け大型ガラス基板検査装置を開発した。ガラス基板の両面および内部欠陥検査が可能だ。
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京セラは、1005サイズ（1.0×0.5mm）で静電容量が47μFの積層セラミックコンデンサー（MLCC）「KGM05シリーズ」を開発、サンプル出荷を始める。同等サイズの従来製品に比べ静電容量を約2.1倍に拡大した。
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東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジーは半導体先端パッケージ向け大型ガラス基板検査装置を販売する。ガラス基板の表裏面および内部の検査を行うことができるのが特徴だ。
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村田製作所は、016008サイズ（0.16×0.08mm）のチップインダクターの開発を開始する。既存の最小品となる0201サイズ（0.25×0.125mm）に比べ、体積を約75％削減できる。
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村田製作所は、世界最小クラスとなる016008サイズ（0.16×0.08mm）のチップインダクターを開発、試作に成功した。小型モバイル機器用各種モジュールなどの用途に向ける。
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日本HPのAI PC3モデル（Intel／AMD／Qualcomm）を用意し、ベンチマークテストでそれぞれの得手不得手をチェックした。
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マイクロプロセッサ（MPU）を使用したボードを開発するユーザーが抱えるさまざまな悩みに対し、マイクロプロセッサメーカーのエンジニアが回答していく連載「マイクロプロセッサQ＆Aハンドブック」。今回は、「基板レイアウト作成時の重要ポイント」について紹介します。
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大阪大学は、高耐熱性ポリイミドフィルムを活用した高周波伝送向け電子回路基板を、東洋紡と共同で開発した。6G（第6世代移動通信）用の電子回路基板に向ける。
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信越化学工業は、電子機器を設計する技術者に向け、熱問題の解決を支援するためのプラットフォーム「Thermalvision」を開発し、同社Webサイト上に開設した。他社製も含め熱関連製品情報をワンストップで検索できる。また、Web上で簡易的な熱シミュレーションを行うこともできる。
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日本電気硝子は、汎用性が高いCO2レーザーで穴あけ加工ができる新型ガラスコア基板の開発に着手した。
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タカヤは、高密度実装基板の高精度、高速検査が可能なフライングプローブテスター「APT-2400F」「APT-2600FD」シリーズを発表した。最先端の検査技術や扱いやすいインタフェースを採用し、検査品質と作業性を向上する。
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システムの高機能化や高度化が進むにつれ、設計を担当するエンジニアは設計の複雑さ、小型・軽量化、開発期間の短縮といった課題を抱えることになる。Texas Instruments（TI）が発表したPLDファミリーと設計ツールによって、概念設計からプロトタイプ作製までの時間を最短で数分に短縮できる。
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マクセルの全固体電池「PSB401010H」が、マクセルフロンティアの画像認識ユニット「iXAM Vision Engine」に採用された。高耐熱性をはじめとする全固体電池の特長が、RTC用バックアップ電池に適している。
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ヤマハ発動機は、電子部品実装工程向け高速ディスペンサー「YRM-D」を発表した。高剛性筐体や高精度ヘッドの採用などにより、高速かつ高精度、安定した塗布で高密度実装に対応する。
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村田製作所は、「CEATEC 2024」において、電源回路のコンデンサーやインダクターをパッケージ基板に内蔵することでGPUボードの消費電力を大幅に低減できる部品「iPaS」を披露した。2026年ごろの実用化を目指している。
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TDKはTDK-Lambdaブランドの小型／大容量のユニット型AC-DCコンバーターの新たなフラグシップシリーズとなる「HWS-Gシリーズ」の出力3000Wモデルを発売した。従来比約3倍の高電力密度を実現し、CVCC動作にも対応している。
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村田製作所は、Lキャンセルトランス「LXLC21シリーズ」を開発、量産を始めた。負の相互インダクタンスを活用し、接続されたコンデンサーのESL（等価直列インダクタンス）を打ち消すことで、コンデンサーのノイズ除去性能を高めることができる。
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リンテックは、半導体ウエハーに形成したバンプと呼ばれる基板接続用の突起電極を樹脂で保護することで、半導体チップの耐久性や信頼性を向上させるバンプ保護フィルムを開発し、2024年5月1日に発売したと発表した。
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電気自動車（EV）やプラグインハイブリッド車（PHEV）に欠かせないオンボードチャージャー（OBC）。コスト低減や高電圧対応などさまざまな面で進化が必要なOBCだが、特に電力密度の向上、すなわちOBCの小型化が強く求められている。インフィニオン テクノロジーズは2028年ごろに求められるとされる電力密度10kW/Lを実現するOBCリファレンスデザインを開発した。どのような技術で電力密度を向上させたのだろうか。
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ロームは2023年9月、独自技術を採用したシリコンキャパシターを発表し、同市場に参入した。後発として市場に挑むロームに戦略を聞いた。
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Intelが、半導体の受託生産事業「Intel Foundry」を本格的にスタートした。受託生産事業者（ファウンドリー）としては新参者でありながら、同社は既に自信満々のようである。それはなぜなのか、ちょっと深掘りして考察していこうと思う。
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東レは、ハイブリッドボンディング（微細接合）に対応した絶縁樹脂材料を新たに開発した。今後、材料認定を受け2028年にも量産を始める予定。半導体高密度実装における収率と信頼性向上を目指す。
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東レは、半導体やディスプレイ向けの絶縁樹脂材料として事業を展開しているポリイミドコーティング剤（セミコファインおよびフォトニース）をベースに、ハイブリッドボンディング（微細接合）に対応した新規絶縁樹脂材料を開発したと発表した。
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田中貴金属工業は、金・金接合用低温焼成ペースト「AuRoFUSE（オーロフューズ）」を活用し、半導体チップを高密度実装するための接合技術を確立した。
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「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2024年2月号を発行しました。今号のEE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は、『「3D NANDの進化」に必要な要素とは 』です。
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近年、半導体ではパッケージの高密度化が進んでいる。パッケージのサイズからは、搭載されているシリコンの“総面積”は分からない。今回は、2023年に登場した話題のプロセッサを、「パッケージ面積に対するシリコン面積の比率」という観点で見てみよう。
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次世代半導体パッケージ実装技術の開発を目指すコンソーシアム「JOINT2」は、「SEMICON Japan 2023」（2023年12月13〜15日／東京ビッグサイト）で、取り組みの内容や研究開発の進捗を紹介した。
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半導体関連技術の総合展示会「SEMICON Japan 2023」にて、「日本半導体産業の発展に向けて 半導体を取り巻く先端開発」と題した講演が行われた。本稿ではその中から、NTTイノベーティブデバイス 本社 代表取締役副社長の富澤将人氏、経済産業省 商務情報政策局 情報産業課長の金指壽氏の講演内容を紹介する。
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