最新記事一覧
TSMCが2年以内に窒化ガリウム（GaN）ファウンドリー事業を段階的に終了すると表明して以来、業界にその波紋は広がり続けている。最近、この技術に関する新たな展開があった。GlobalFoundries（GF）がTSMCの650Vおよび80V向けGaNパワー半導体製造技術のライセンスを取得したことに加え、NavitasがGFとの提携を発表したのだ。
()
広帯域メモリ（HBM）の技術進化が加速している。GPUの進化に合わせるために、カスタマイズや独自アーキテクチャの採用が求められるようになっていることもあり、標準化の完了を「待っていられない」状態になりつつある。
()
キオクシアは、車載機器向けに、JEDEC UFS Version 4.1に準拠した組み込み式フラッシュメモリのサンプル出荷を開始した。第8世代BiCS FLASHと自社製コントローラーを採用している。
()
AIの急速な普及により、フラッシュメモリではさらなる大容量化が求められている。キオクシアは、高さ2mmにも満たないパッケージに、32枚の2Tb（テラビット）メモリチップを積層し、8TB（テラバイト）という大容量フラッシュメモリの開発に成功。それを支えているのが、ウエハーを極限まで薄く削る加工技術をはじめとする、高度な後工程技術である。
()
キオクシアは、車載機器向けのJEDEC UFS Version 4.1に準拠した、組み込み式フラッシュメモリのサンプル出荷を開始した。最大1TBの容量に対応し、従来製品比で最大約3.7倍の書き込み性能を有する。
()
自動車の電動化や再生可能エネルギー産業の成長を背景に、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の活用が広がっている。かつては高価格／高性能な用途に限られていたが、現在ではウエハー生産量が増加して価格が手ごろになり、幅広い用途での採用が現実的になっている。ここで立ちはだかるのが信頼性や放熱設計、インダクタンス低減といった“使い勝手”の壁だ。インフィニオン テクノロジーズの「CoolSiC MOSFET G2」と表面実装／上面放熱に対応したパッケージ「Q-DPAK」は、こうした設計課題への現実的な解決策を提示する製品だ。
()
キオクシアは、オンデバイスAI機能を搭載したハイエンドスマートフォンなどの次世代モバイル機器向けに、UFS4.1対応の組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を開始した。
()
磁気抵抗メモリ（MRAM）／抵抗変化型メモリ（ReRAM）などの新興メモリは、宇宙や防衛など、特殊な用途だけでなく、車載などでも採用できる準備が整ってきた。
()
メモリモジュール規格「DIMM」と「SO-DIMM」の違いは何か。近年台頭しつつある「CAMM」が両者に与える影響と併せて解説する。
()
Texas Instruments（TI）は2025年4月、車載用の新製品としてLiDARレーザードライバーICやバルク弾性波（BAW）ベースのクロックIC、コーナー／フロントレーダー向けのミリ波レーダーセンサーを発表した。LiDARレーザードライバーICは必要な機能を統合し、ディスクリートで構成する場合に比べてシステムコストを平均30％削減できるとする。
()
キーサイト・テクノロジーは、次世代メモリのLPDDR6に対応する包括的な設計および検証ソリューションを発表した。コンプライアンステストと特性評価を完全に自動で実施するので、検証時間を短縮できる。
()
急速な成長を続ける窒化ガリウム（GaN）パワー半導体市場での展開で、ロームが新たな段階に入った。これまでは民生機器向けが中心だったが、AIサーバ用電源ユニットに初採用されたことを皮切りに、車載などのハイパワーアプリケーションでの採用拡大を狙う。
()
Marvell Technologyがデータセンター向け事業で快進撃を続けている。同社は2024年12月に開催されたアナリストデーで、データセンター事業の内容を紹介した他、カスタムHBMの必要性を強調した。
()
ネクスペリアは、新パッケージ「CCPAK1212」を採用した80Vおよび100VのパワーMOSFET16種を発表した。CCPAK1212は、銅板2枚でシリコンダイを挟んだ構造となっている。
()
DRAMのメモリモジュール規格「DIMM」に代わる「CAMM」が採用され始めている。CAMMはDIMMとは何が違うのか。メモリモジュール進化の変遷を踏まえて解説する。
()
うっかり見逃していたけれど、ちょっと気になる――そんなニュースを週末に“一気読み”する連載。今回は、10月27日週を中心に公開された主なニュースを一気にチェックしましょう！
()
Intelの次世代CPUの予約販売がアキバの各ショップで進んでいる。対応するマザーボードの詳細がいまだはっきりしない中で、JEDEC準拠のDDR5-6400メモリが登場した。
()
米Micron Technologyは、新メモリ規格のCUDIMM／CSODIMMに対応したDDR5メモリモジュールの出荷開始を発表した。
()
OKIエンジニアリングは、SiCパワー半導体固有の劣化モードに対する評価サービスを開始する。JEITAやJEDECにおける規格に準拠した「AC-BTI試験サービス」を実施する。
()
エイブリックは、DDR5メモリモジュール向けICのSPD（シリアルプレゼンス検出）「S-34HTS08AB」の販売を開始した。デバイス間の通信を仲介するHUB機能を搭載している。また、I2Cに加えてI3C通信規格にも対応した。
()
ロームは、PWM制御方式FET外付けタイプAC-DCコントローラーIC4種を発売した。低電圧誤動作防止機能を搭載し、Si-MOSFET、IGBT、SiC（炭化ケイ素） MOSFETまで幅広いパワートランジスタに対応する。
()
ロームは、産業機器用電源などに向けたPWM制御方式FET外付けタイプの汎用AC-DCコントローラーIC4機種の販売を始めた。
()
コロナ禍を経て、半導体製品の安定確保がより重視されるようになっている。そうした中、同じ半導体製品を使い続けるためには、自社での保管を含め、在庫を長期間保管しなければならない状況が発生する。今回は半導体製品の長期保管に焦点を当て、その懸念点について前後編の2回で検証する。
()
Tektronix（テクトロニクス）は、「TECHNO-FRONTIER 2024」（2024年7月24〜26日、東京ビッグサイト）に出展し、オシロスコープの新製品「4シリーズB MSO」や光絶縁型差動プローブ「TIVPシリーズ」などを展示した。
()
e.MMC（embedded Multi Media Card）は、NANDフラッシュメモリとメモリを制御するコントローラーをワンパッケージ化した小型ストレージ製品です。本稿では、e.MMC 5.1デバイスが提供するセキュリティ機能について紹介します。
()
先週開催されていた見本市「COMPUTEX TAIPEI 2024」では、会場のブース各所にメモリやメモリモジュールの新規格が展示されていた。それらをチェックしよう。
()
急速に成長している市場として注目を集めるHBM（広帯域幅メモリ）。HBMをはじめ、メモリを手掛けるメーカーは、どのような戦略を立てるべきなのか。本稿ではメモリベンダーの“生き残り戦略”を解説する。
()
ビシェイジャパンは、ブルーおよびトゥルーグリーンの表面実装LED「VLMB2332T1U2-08／VLMTG2332ABCA-08」を発表した。MiniLEDパッケージで供給する。標準光度は前世代のPLCC-2パッケージ品に比べ4倍も明るいという。
()
JEDEC Solid State Technology Associationは2024年3月に、次世代グラフィックス製品向けのメモリ規格「GDDR7」の仕様策定を完了したと発表した。生成AI（人工知能）の急速な普及に伴い、HBM（広帯域幅メモリ）の需要が大幅に増加する中、GDDR7がHBMの“代用品”になる可能性があると関係者は語る。
()
キオクシアは、新世代のUFS4.0対応組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を開始した。256Gバイト、512Gバイト、1Tバイトの3つの容量を提供する。パッケージは9×13mmサイズの153ボールBGAで、前世代より約18％小型化している。
()
NVIDIAのGPUが足りていない。需要そのものが大きいこともあるが、とにかく供給が追い付いていない。本稿では、その要因について詳細を分析する。
()
ADAS（先進運転支援システム）の進化には車載マイコンや車載SoCの高性能化が急務であり、微細半導体製造プロセスを用いたマイコン／SoCの開発が加速している。ただ、微細プロセスではマイコン／SoCに不揮発性メモリを混載するのが難しく、不揮発性メモリを外付けする必要が生じる。だが従来の不揮発性メモリのインタフェース（I/F）では速度が不足し、高速な処理に対応できない。そうした中で、従来比20倍のランダムリードアクセスを実現する高速I/Fを搭載したNOR型フラッシュメモリが登場した。
()
キオクシアは、次世代の車載機器に向け、JEDEC標準仕様「UFS Version 4.0インタフェース」に準拠した組み込み式フラッシュメモリ（UFS製品）を開発、サンプル出荷を始めた。
()
自動運転技術の進化に伴い、自動車で活用されるデータは増加の一途をたどっている。そのため、膨大な量のデータを高速に読み書きできる高性能ストレージが求められている。このニーズにいち早く応え、最新規格「UFS 4.0」に準拠した車載用ストレージを開発したのがキオクシアだ。
()
インフィニオン テクノロジーズ は、高外部磁場耐性のリニア型TMR位置センサー「XENSIV TLI5590-A6W」を発表した。リニアまたは環状の磁気エンコーダーの使用により、10μm未満の高精度で精密測定できる。
()
Infineon Technologiesは、リニア型トンネル磁気抵抗テクノロジーを応用した磁気位置センサー「XENSIV TLI5590-A6W」を発表した。10μm未満と高精度測定が可能で、急激に変化する方向も正確に検出できる。
()
MicronがノートPC向けの「LPCAMM2」なる新型メモリモジュール規格の説明会を開催した。従来のノートPCで使われてきた「SO-DIMM」と比べて、どのようなメリットがあるのだろうか。
()
市場形成が本格化してきたGaNパワー半導体業界の再編は、近い将来さらに加速していくことが予想されます。
()
うっかり見逃していたけれど、ちょっと気になる――そんなニュースを週末に“一気読み”する連載。今回は、10月8日週を中心に公開された主なニュースを一気にチェックしましょう！
()
キオクシアは、「e-MMC Ver.5.1」に準拠した組み込み式フラッシュメモリを開発し、サンプル出荷を開始した。3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」とコントローラーを内蔵し、機器側のプロセッサ負荷を軽減できる。
()
2023年8月に開催されたフラッシュメモリに関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット（FMS：Flash Memory Summit）」の主催者は、Intelでの初期段階の取り組みから始め、重要な業界標準規格を定義／推進してきたAmber Huffman氏に、生涯功労賞を授与した。
()
インフィニオン テクノロジーズは、同社の第7世代IGBT「TRENCHSTOP IGBT7」を発表した。定格電圧は650Vで、定格電流は40〜150Aを用意する。ストリングインバーターやEV用充電システム、蓄電システムなどに適する。
()
インフィニオン テクノロジーズは、TOLLパッケージを採用したSiC MOSFET「CoolSiC MOSFET 650V」を発表した。スイッチング周波数や熱管理の向上、スイッチング損失の低減、パッケージの自動組み立てなどが可能となる。
()
エレクトロニクス／組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回はRambusがPhysical IPをCadenceに売却した話と、GDDR7／MRDIMMの標準化に向けた動きを紹介する。
()
インフィニオン テクノロジーズが、業界で初めてLPDDR4インタフェースを搭載したNORフラッシュメモリ「SEMPER X1」について説明。ソフトウェア定義型車両に対応できるように、従来比でデータ転送速度8倍、ランダム読み出し速度20倍を実現したという。
()
エレクトロニクス／組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、DDR6までの中継ぎ役として注目される「MRDIMM（Multi-Ranked DIMM）」と、IntelのDCAI（Data Center and AI Group）の動きについて紹介する。
()
温度計算のツールともいえる原理（前提条件、仮定）を各種波形に適用し、得られた結果と従来の式を比較し、その妥当性を検討していきます。
()
今回から、数回にわたり半導体を使う上で考慮しなければならない接合（ジャンクション）部の温度計算の算出法について説明します。
()
Micron Technologyは、近年、最先端DRAM技術の発展をリードしてきたメーカーの1社だ。同社の1β（ベータ）ノードのDRAM技術もその流れを維持するものだが、2023年にはDRAM価格の下落が予測される中、他の大手メーカーも、追い上げてきている。
()
プレミアエンジニアリングは、「第37回 ネプコン ジャパン」において、台湾の協働ロボットメーカーTechman Robot（テックマンロボット）のTMシリーズを用いたデモンストレーションを披露した。
()