最新記事一覧
AIインフラへの投資増大によってメモリとSSDの価格が上昇している。焦ってストレージを買いだめすると、将来的な損失を招きかねない。高騰が起きるメカニズムと、危機を乗り切るための対策を紹介する。
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Rochester Electronics EVP Colin Strother氏／日本オフィス代表 藤川博之氏：顧客の設計を止めない――EOL品の長期継続供給を支えるRochesterの新プログラム
Rochester Electronics（ロチェスターエレクトロニクス）は、ミッションクリティカルな半導体製品に向けた新しいライフサイクルアシュアランスプログラム「TLS（Through Life Support）360」を発表した。EOL（End of Life）後も、業界標準に基づいたライフサイクル管理を行うことで、半導体製品の長期的な継続供給を実現する。Rochester Electronics エグゼクティブバイスプレジデントのColin Strother氏と日本オフィス代表の藤川博之氏に、TLS360の詳細を聞いた。
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キオクシアは、オンデバイスAI対応のモバイル機器やエッジデバイス向けに、UFS 5.0規格に対応した組み込み式フラッシュメモリの1TBと512GB容量のサンプル出荷を開始した。
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キオクシアは、オンデバイスAIに対応したモバイル機器やエッジデバイス向けに、UFS 5.0対応組み込み式フラッシュメモリの1Tバイトおよび512Gバイト品のサンプル出荷を開始した。
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半導体トレーサビリティの現状と課題、サプライチェーンのレジリエンス向上への影響を議論するシリーズ。今回は、COVID-19が示した教訓や、次世代のトレーサビリティ技術を紹介する。
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産業用コンピュータ（IPC）や組み込みシステムにおいて、ストレージやメモリなどのコンポーネントに求められる要件は、もはや速度や容量だけではない。システムを長期にわたり安定運用させる上で、コンポーネントやBOMの変更、世代を超えた互換性の確保こそが、設計者が真に頭を悩ませる隠れたコストとなる。同時に、エッジAIアプリケーションの導入加速に伴う高強度のリアルタイム書き込みやデータログの記録は、SSDやDRAMの耐久性にこれまでにない試練を与えている。本稿では、IPCおよび組み込み市場の構造的なニーズを出発点とし、「信頼性」が単なるスペック表の一項目から、安定供給、品質の一貫性、そして長期サポートまでを包括する総合的な能力へとどのように進化しているかを紐解く。
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SiC MOSFETの採用拡大が本格化する中、実際の使用環境に近いAC動作を繰り返すことでゲートしきい値電圧（Vth）が変動し、設計時に想定した損失や熱特性が変化する課題が注目されている。こうした特性変動を評価するDGS試験において、三菱電機は同社SiC MOSFETの特性変動量が「世界最小クラス」（同社）であることを実証したという。
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データセンター顧客が、次世代の低消費電力メモリ「LPDDR6」への関心を強めているという。長らくモバイル向けが主流であったLPDDRだが、LPDDR6には、データセンターのニーズに応えるための機能が多く追加される予定だ。
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本稿では、ロボット、半導体、自動車、電池、家電、ディスプレイ分野の「CES 2026」の記事をまとめる。
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STマイクロエレクトロニクスは、宇宙用途向けLVDSドライバー「RHFLVDS41」を発表した。最大600Mビット/秒のデータ伝送に対応し、QML-V認定に準拠している。
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TechInsightsのアナリストによると、「メモリメーカーは過去の好況と不況のサイクルから学び、AI主導の需要に対応するための増産において、より規律ある姿勢を示している」という。HBM／DRAMの供給不足が予測されているが、これはサプライチェーンの混乱によるものではなく、予想を超えるようなかつてない規模で導入が進んでいることが原因だ。
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うっかり見逃していたけれど、ちょっと気になる――そんなニュースを週末に“一気読み”する連載。今回は、2月22日週を中心に公開された主なニュースを一気にチェックしましょう！
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キオクシアは2026年2月、次世代モバイル機器に向けた組み込み式フラッシュストレージの標準規格「UFS 5.0」に対応した評価用フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を始めると発表した。まずは512Gバイト品の出荷を始め、3月以降には1Tバイト品の出荷も開始する。
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10.8GB/sという高速インタフェースを備えるUFS 5.0が間もなく登場する。スマートフォンにUFS 5.0が採用されれば、オンデバイスAIはさらに進化するとみているのがキオクシアだ。高速データ転送が可能な大容量UFSであれば、サイズが大きい大規模言語モデル（LLM）やRAG（検索拡張生成）用データベースを格納できるようになるからだ。
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キオクシアは、QLC技術を採用したUFS4.1組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を開始した。第8世代BiCS FLASHを採用し、前世代品と比べてランダムリード性能が約90％向上している。
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半導体の安全性と信頼性に大きく関わる半導体。そのトレーサビリティは、半導体の性能の進化に応じて、実情に見合う内容にアップデートされるべきものだ。今回は、半導体トレーサビリティの現状と課題、そして、半導体トレーサビリティがサプライチェーンのレジリエンス向上にどう影響するのかを3回にわたって解説する。
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「CES 2026」では、メモリ大手3社が手掛ける広帯域メモリ（HBM）の最新技術「HBM4」に注目が集まった。長らくSK hynixに後れを取っていたSamsung Electronicsも巻き返しを図っている。
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TOPPANは、新潟工場に高密度半導体パッケージFC-BGA基板の新製造ラインを構築し、2026年1月から稼働を開始する。大型、高多層なハイエンド製品への対応を強化し、生産能力を2022年度前半比で2倍に引き上げる。
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昨今、世界的にメモリやストレージの在庫不足と価格高騰が日々深刻化しており、それは日本でも例外ではない。近隣の国／地域ではどうなのか――中国の香港と深センの様子を見に行ってきた。
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TSMCが2年以内に窒化ガリウム（GaN）ファウンドリー事業を段階的に終了すると表明して以来、業界にその波紋は広がり続けている。最近、この技術に関する新たな展開があった。GlobalFoundries（GF）がTSMCの650Vおよび80V向けGaNパワー半導体製造技術のライセンスを取得したことに加え、NavitasがGFとの提携を発表したのだ。
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広帯域メモリ（HBM）の技術進化が加速している。GPUの進化に合わせるために、カスタマイズや独自アーキテクチャの採用が求められるようになっていることもあり、標準化の完了を「待っていられない」状態になりつつある。
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キオクシアは、車載機器向けに、JEDEC UFS Version 4.1に準拠した組み込み式フラッシュメモリのサンプル出荷を開始した。第8世代BiCS FLASHと自社製コントローラーを採用している。
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AIの急速な普及により、フラッシュメモリではさらなる大容量化が求められている。キオクシアは、高さ2mmにも満たないパッケージに、32枚の2Tb（テラビット）メモリチップを積層し、8TB（テラバイト）という大容量フラッシュメモリの開発に成功。それを支えているのが、ウエハーを極限まで薄く削る加工技術をはじめとする、高度な後工程技術である。
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キオクシアは、車載機器向けのJEDEC UFS Version 4.1に準拠した、組み込み式フラッシュメモリのサンプル出荷を開始した。最大1TBの容量に対応し、従来製品比で最大約3.7倍の書き込み性能を有する。
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自動車の電動化や再生可能エネルギー産業の成長を背景に、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の活用が広がっている。かつては高価格／高性能な用途に限られていたが、現在ではウエハー生産量が増加して価格が手ごろになり、幅広い用途での採用が現実的になっている。ここで立ちはだかるのが信頼性や放熱設計、インダクタンス低減といった“使い勝手”の壁だ。インフィニオン テクノロジーズの「CoolSiC MOSFET G2」と表面実装／上面放熱に対応したパッケージ「Q-DPAK」は、こうした設計課題への現実的な解決策を提示する製品だ。
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キオクシアは、オンデバイスAI機能を搭載したハイエンドスマートフォンなどの次世代モバイル機器向けに、UFS4.1対応の組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を開始した。
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磁気抵抗メモリ（MRAM）／抵抗変化型メモリ（ReRAM）などの新興メモリは、宇宙や防衛など、特殊な用途だけでなく、車載などでも採用できる準備が整ってきた。
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メモリモジュール規格「DIMM」と「SO-DIMM」の違いは何か。近年台頭しつつある「CAMM」が両者に与える影響と併せて解説する。
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Texas Instruments（TI）は2025年4月、車載用の新製品としてLiDARレーザードライバーICやバルク弾性波（BAW）ベースのクロックIC、コーナー／フロントレーダー向けのミリ波レーダーセンサーを発表した。LiDARレーザードライバーICは必要な機能を統合し、ディスクリートで構成する場合に比べてシステムコストを平均30％削減できるとする。
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キーサイト・テクノロジーは、次世代メモリのLPDDR6に対応する包括的な設計および検証ソリューションを発表した。コンプライアンステストと特性評価を完全に自動で実施するので、検証時間を短縮できる。
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急速な成長を続ける窒化ガリウム（GaN）パワー半導体市場での展開で、ロームが新たな段階に入った。これまでは民生機器向けが中心だったが、AIサーバ用電源ユニットに初採用されたことを皮切りに、車載などのハイパワーアプリケーションでの採用拡大を狙う。
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Marvell Technologyがデータセンター向け事業で快進撃を続けている。同社は2024年12月に開催されたアナリストデーで、データセンター事業の内容を紹介した他、カスタムHBMの必要性を強調した。
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ネクスペリアは、新パッケージ「CCPAK1212」を採用した80Vおよび100VのパワーMOSFET16種を発表した。CCPAK1212は、銅板2枚でシリコンダイを挟んだ構造となっている。
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DRAMのメモリモジュール規格「DIMM」に代わる「CAMM」が採用され始めている。CAMMはDIMMとは何が違うのか。メモリモジュール進化の変遷を踏まえて解説する。
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うっかり見逃していたけれど、ちょっと気になる――そんなニュースを週末に“一気読み”する連載。今回は、10月27日週を中心に公開された主なニュースを一気にチェックしましょう！
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Intelの次世代CPUの予約販売がアキバの各ショップで進んでいる。対応するマザーボードの詳細がいまだはっきりしない中で、JEDEC準拠のDDR5-6400メモリが登場した。
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米Micron Technologyは、新メモリ規格のCUDIMM／CSODIMMに対応したDDR5メモリモジュールの出荷開始を発表した。
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OKIエンジニアリングは、SiCパワー半導体固有の劣化モードに対する評価サービスを開始する。JEITAやJEDECにおける規格に準拠した「AC-BTI試験サービス」を実施する。
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エイブリックは、DDR5メモリモジュール向けICのSPD（シリアルプレゼンス検出）「S-34HTS08AB」の販売を開始した。デバイス間の通信を仲介するHUB機能を搭載している。また、I2Cに加えてI3C通信規格にも対応した。
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ロームは、PWM制御方式FET外付けタイプAC-DCコントローラーIC4種を発売した。低電圧誤動作防止機能を搭載し、Si-MOSFET、IGBT、SiC（炭化ケイ素） MOSFETまで幅広いパワートランジスタに対応する。
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ロームは、産業機器用電源などに向けたPWM制御方式FET外付けタイプの汎用AC-DCコントローラーIC4機種の販売を始めた。
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コロナ禍を経て、半導体製品の安定確保がより重視されるようになっている。そうした中、同じ半導体製品を使い続けるためには、自社での保管を含め、在庫を長期間保管しなければならない状況が発生する。今回は半導体製品の長期保管に焦点を当て、その懸念点について前後編の2回で検証する。
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Tektronix（テクトロニクス）は、「TECHNO-FRONTIER 2024」（2024年7月24〜26日、東京ビッグサイト）に出展し、オシロスコープの新製品「4シリーズB MSO」や光絶縁型差動プローブ「TIVPシリーズ」などを展示した。
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e.MMC（embedded Multi Media Card）は、NANDフラッシュメモリとメモリを制御するコントローラーをワンパッケージ化した小型ストレージ製品です。本稿では、e.MMC 5.1デバイスが提供するセキュリティ機能について紹介します。
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先週開催されていた見本市「COMPUTEX TAIPEI 2024」では、会場のブース各所にメモリやメモリモジュールの新規格が展示されていた。それらをチェックしよう。
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急速に成長している市場として注目を集めるHBM（広帯域幅メモリ）。HBMをはじめ、メモリを手掛けるメーカーは、どのような戦略を立てるべきなのか。本稿ではメモリベンダーの“生き残り戦略”を解説する。
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ビシェイジャパンは、ブルーおよびトゥルーグリーンの表面実装LED「VLMB2332T1U2-08／VLMTG2332ABCA-08」を発表した。MiniLEDパッケージで供給する。標準光度は前世代のPLCC-2パッケージ品に比べ4倍も明るいという。
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JEDEC Solid State Technology Associationは2024年3月に、次世代グラフィックス製品向けのメモリ規格「GDDR7」の仕様策定を完了したと発表した。生成AI（人工知能）の急速な普及に伴い、HBM（広帯域幅メモリ）の需要が大幅に増加する中、GDDR7がHBMの“代用品”になる可能性があると関係者は語る。
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キオクシアは、新世代のUFS4.0対応組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を開始した。256Gバイト、512Gバイト、1Tバイトの3つの容量を提供する。パッケージは9×13mmサイズの153ボールBGAで、前世代より約18％小型化している。
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NVIDIAのGPUが足りていない。需要そのものが大きいこともあるが、とにかく供給が追い付いていない。本稿では、その要因について詳細を分析する。
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