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「顕微鏡」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

最新記事一覧

Rapidusは2026年4月11日、製造した2nm先端半導体の解析、評価などを行う「解析センター」および後工程の研究開発拠点「Rapidus Chiplet Solutions(RCS)」を、北海道千歳市に開設した。同日に開所式が行われ、経済産業大臣の赤澤亮正氏や北海道知事の鈴木直道氏、千歳市市長の横田隆一氏による祝辞が贈られた。

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Patentixは、ルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)を用いて作製したデプレッション型(ノーマリオン)MOSFETの動作実証に成功した。この成果を基に今後は、p型r-GeO2の作製技術を確立していくとともに、エンハンスメント型(ノーマリオフ)MOSFETの開発に取り組む計画である。

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東レエンジニアリングのグループ会社、東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジーが開発する電子線式ウエハーパターン検査装置「NGRシリーズ」は、最先端の半導体開発/製造に欠かせない装置だ。回路パターンにおけるナノレベルの欠陥を可視化し、開発の効率化や歩留まりの向上に大きく貢献する。同社の開発エンジニアが、NGRシリーズの強みと開発現場について語った。

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ファインセラミックスセンター(JFCC)と早稲田大学らの研究グループは、全固体リチウム電池の材料となる二次元材料「MXene(マキシン)」について、充放電動作中に生じる電池反応をその場で観察することに成功した。研究成果を基に、構造と表面官能基を制御すれば、容量と耐久性を両立させたMXene電極を開発できるという。

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Microsoftは、ガラスストレージ技術「Project Silica」の最新進捗を報告した。石英に加え安価なホウケイ酸ガラスでのデータ保存に成功。フェムト秒レーザーと「Azure AI」を用い、数テラバイトを数万年保持できるとしている。

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今なお工業材料の中心的な存在であり、幅広い用途で利用されている「鉄鋼材料」について一から解説する本連載。第7回は、鉄鋼材料の組織について説明する。

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三菱電機と京都大学は共同で、高配向性熱分解グラファイト(HOPG)に対する疲労試験の方法を確立するとともに、HOPGの自己復元特性を初めて確認した。HOPGを素材とするMEMSの長寿命化を実現するとともに、MEMSを搭載するスマートフォンや車載システムの信頼性向上が可能となる。

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三菱電機は、京都大学との共同研究により、高配向性熱分解グラファイト(HOPG)が自己復元特性を持つことを世界で初めて確認したと発表した。ファンデルワールス積層材料の一種として知られるHOPGは、振動などによるエネルギーを逃がす性質があり、MEMSの除振機構などに応用できる可能性がある。

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物質・材料研究機構(NIMS)や東京大学らの研究グループは、MOCVD(有機金属化学気相成長)法を用い、高品質な単層膜厚の「二硫化モリブデン(MoS2)」を、ウエハースケールでエピタキシャル成長させる技術を開発、その成膜メカニズムを解明した。試作したトランジスタの電子移動度を測定したところ、室温で66cm2/Vs、20Kで749cm2/Vsを達成した。

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日本原子力研究開発機構と東京大学、東北大学および、富山県立大学の研究グループは、微小な磁石(電子のスピン)がジグザグに並んだ金属で、電気の流れを制御することに成功した。「非相反伝導」と呼ばれるこの現象は、外部磁場をかけるこれまでの方式に比べて、その効果が1000倍以上も大きいことを確認した。

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産業技術総合研究所(産総研)と物質・材料研究機構(NIMS)は、鉄−マンガン基合金の磁性超薄膜を用いて磁気メモリスタを開発するとともに、これらを使って脳におけるシナプスの機能を模倣することに成功した。脳の機能をハードウェアで模擬する「ブレインモルフィックシステム」への応用に期待する。

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AI活用を見据えたデータ基盤はどうあるべきか。日本電子は“攻め”のデータ活用を実現するため、ERPとデータ基盤を並行して刷新した。大型プロジェクトにもかかわらず、AI活用計画の前倒しを実現したジールのアジャイルな伴走支援の全貌に迫る。

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日本のタイヤメーカーを取り巻く環境は厳しい。安価なアジアンタイヤと差別化できる価値を生み出すため、国内メーカーは品質や技術を高めている。ブリヂストンやダンロップは、革新的な技術によって、これまでにない性能を持った製品を開発している。

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産業技術総合研究所(産総研)先端半導体研究センターは、国内半導体製造装置メーカー3社と共同研究した成果に基づき、GAA構造のトランジスタを、300mmシリコンウエハー上に試作し、技術の検証などを行うことができる国内唯一の「共用パイロットライン」を構築した。

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東北大学らの研究グループは、垂直磁化の人工反強磁性体薄膜を作製し、細線にパルス状の電流を流したところ、印加する回数に応じで磁石の境界(磁壁)の位置が移動することを確認し、そのメカニズムを初めて実証した。今回の成果は、省エネルギーで高速動作が可能なスピントロニクスメモリの実現に寄与するとみている。

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前回に続き、20周年記念寄稿として発光ダイオード(LED)、特に「高輝度青色発光ダイオード」に焦点を当てます。高輝度青色LEDの誕生に至る「低温バッファ層」技術の偶然と必然、研究者の挑戦と快進撃を振り返ります。

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