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「名古屋大学」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

最新記事一覧

建築の未来を創造する学びのプラットフォーム「ArchEd+ Academy」が開講した。リアルセミナーの第1回に登壇した建築家の小堀哲夫氏は、故郷の原風景、世界各地の土地の歴史を巡る冒険、教育の実践といった自らの建築観を形づくった原点と、これからの「私たちの建築」とは何かを語った。

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東北大学らを中心とした共同研究グループは、全固体リチウム硫黄電池(SSLSB)の正極内部における充放電反応を高い空間分解能で可視化する手法を確立した。この手法を用い、SSLSBにおいて高速充放電とサイクル安定性を阻害している要因を突き止めた。この手法はさまざまな電池系の電極設計に適用できるという。

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オキサイドパワークリスタルとMipox、UJ-Crystal、アイクリスタル、産業技術総合研究所(産総研)および名古屋大学の開発グループが、溶液成長法とシミュレーション技術を活用し、6インチp型炭化ケイ素(SiC)ウエハーおよび、6インチ/8インチn型SiCウエハーの試作に成功した。

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前回に続き、20周年記念寄稿として発光ダイオード(LED)、特に「高輝度青色発光ダイオード」に焦点を当てます。高輝度青色LEDの誕生に至る「低温バッファ層」技術の偶然と必然、研究者の挑戦と快進撃を振り返ります。

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旭化成は、旭化成発スピンアウトベンチャー「ULTEC(ウルテック)」を設立した。窒化アルミニウム(AlN)を用いた超ワイドギャップ半導体技術をベースに、名古屋大学の天野・本田研究室と共同研究してきた「深紫外線レーザーダイオード(UV-C LD)」などの早期実用化と市場拡大を目指す。

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旭化成発のスピンアウトベンチャーが設立された。その名は「ULTEC」。同社は、ノーベル賞受賞者である天野浩氏の協力のもと、窒化アルミニウムを用いたウルトラワイドギャップ半導体技術を基盤に、紫外線レーザーダイオードなどの開発/事業化を進める。

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三井不動産は、半導体分野における技術とニーズをつなぐ産業支援コミュニティとして、一般社団法人「RISE-A(ライズ・エー)」を設立したと発表した。既に会員募集を始めており、半導体分野の産業創造に向けた共創の場や機会を提供する。RISE-Aの理事長には名古屋大学教授の天野浩氏が就任した。

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生成AIの波は、バックオフィスと呼ばれる人事にも容赦なく押し寄せ、「何かやらねば」という機運が急速に高まっています。本連載では、”人事とAIのモヤモヤ関係”をすっきりさせるべく、生成AIと人事の付き合い方を月一でナビゲートします。

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名古屋大学や理化学研究所、グローバルウェーハズ・ジャパン、アイクリスタルおよび、ソニーセミコンダクタマニュファクチャリングは、シリコン(Si)ウエハー製造からCMOSイメージセンサー(CIS)製造までの工程を一気通貫で最適化することに成功した。最適化に要する時間も従来の1000分の1に短縮できたという。

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