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「MOSFET」最新記事一覧

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

インフィニオン OptiMOS 5 150V品:
オン抵抗と逆回復電荷を低減する150V品ファミリー
インフィニオンテクノロジーズは2016年10月、パワーMOSFETとして、高効率な設計を対象とした「OptiMOS 5」150V品ファミリーを発表した。特別な最適化が施されており、オン抵抗と逆回復電荷を低減する。(2016/11/18)

福田昭のデバイス通信(92):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(Applied Materials編)
Applied Materialsの講演では、MOSFETの微細化ロードマップと、微細化の手法および課題が解説された。7nm世代のFinFETでは、フィンを狭く、高くするとともにコンタクト用の金属材料を変える必要が出てくる。FinFETの限界が見え始める5nm世代では、微細化の手法として主に2つの選択肢がある。(2016/10/7)

車載用途に最適:
ローム、AEC-Q101に準拠した「業界最小」MOSFET
ロームは2016年9月、電装化が進む車載アプリケーションに向けて、AEC-Q101に準拠した「業界最小」クラスとなる3.3×3.3mmサイズのMOSFET「AG009DGQ3」を開発したと発表した。(2016/9/20)

SiCはシリコンデバイス採用のトリガー:
“後発・ローム”がパワーデバイスで成長できる理由
ロームはパワーMOSFETやIGBTなどのパワーデバイス分野で売り上げ規模を拡大させている。パワーデバイス市場では、後発のローム。なぜ、後発ながら、自動車や産業機器などの領域でビジネスを獲得できているのか。ローム役員に聞いた。(2016/9/15)

SJ-MOSFETなど最新FETを適切に評価しよう:
MOSFETの実効容量値を簡単に求める術
MOSFETのデータシートには、1つの測定電圧での出力静電容量値が記載されています。この値は、従来のプレーナ型MOSFETには有効でしたが、スーパージャンクションなど複雑な構造を用いる最新のMOSFETの評価には適していません。本稿では、最新のMOSFETの評価に有効な実効容量値を、より簡単に求める方法を探っていきます。(2016/9/7)

「究極のパワーデバイス実現へ」:
反転層型ダイヤモンドMOSFETの動作実証に成功
金沢大学理工研究域電子情報学系の松本翼助氏、徳田規夫氏らの研究グループは、「世界初」となるダイヤモンド半導体を用いた反転層チャンネルMOSFETを作製し、動作実証に成功したと発表した。(2016/8/24)

省エネ機器:
超省エネ社会に貢献、「ダイヤモンド」パワーデバイスの実用へ前進
さまざな機器の省エネを実現するとして、高性能化に期待が掛かるパワーデバイス。実用化はまだ先とみられているが、「究極のパワーデバイス材料」として注目されているのがダイヤモンドだ。金沢大学などの共同研究グループは。こうしたダイヤモンド半導体を用いたパワーデバイスの実用化で課題となっていた反転層チャネルMOSFETの作製に成功した。(2016/8/24)

サンケン電気 執行役員兼技術本部副本部長 中道秀機氏:
PR:自動車、産業、Power IoT―― パワエレ総合力を結集し成長市場に挑む
サンケン電気は、IGBT、MOSFETといったパワー半導体素子から、電源ユニットやUPS、パワコンなどの大型機器までを扱う総合パワーエレクトロニクスメーカーとして、自動車をはじめとした成長市場でエコ/省エネを実現する技術、製品の提供を行っている。さらには、間もなく迎えようとしているIoT(モノのインターネット)時代の新たな電源のカタチとして“Power IoT”を提唱。「素子だけでなく、モジュール、システムレベルでの提案が行えるサンケン電気ならではの強みを生かして、Power IoTなどの新しい価値提供を行っていく」という同社執行役員で技術本部副本部長を務める中道秀機氏に、技術/製品開発戦略を聞いた。(2016/8/22)

エアコンの通年エネルギー消費効率向上へ:
三菱電機、SiC-MOSFET搭載の新型IPM
三菱電機は、インバーター駆動用パワー半導体モジュールの新製品として、新開発のSiC(炭化ケイ素)-MOSFETを搭載したインバーター駆動用パワー半導体モジュール「超小型フルSiC DIPIPM」(PSF15S92F6)を発売した。(2016/8/19)

STマイクロ TO-220FP wide creepage製品:
優れたアーク放電耐性を持つ1500V耐圧のMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、「TO-220 FullPAK(TO-220FP)wide creepage」パッケージを採用したパワーMOSFET製品を発表した。テレビやPCの電源アダプター用途に適したパッケージで、耐圧1500V品なども含まれる。(2016/8/10)

オン・セミコンダクター STK984-190-E:
30A/40V MOSFETを搭載した車載用パワーモジュール
オン・セミコンダクターは、次世代の車載BLDCシステム向けに、車載用パワーモジュール「STK984-190-E」を発表した。3相ブリッジとして配列された6個の40V/30A MOSFETと40V/30Aハイサイド・リバース・バッテリー保護MOSFETを集積した。(2016/8/5)

STマイクロ VIPER01:
超低消費電力のAC-DCコンバーター、IoT機器にも
STマイクロエレクトロニクスは2016年7月、スマートホームや産業機器の電源向けに、高電圧AC-DCコンバーター「VIPER01」を発表した。800Vアバランシェ耐圧のパワーMOSFET、パルス幅変調(PWM)電流モードのコントローラー、各種保護機能を搭載しているという。(2016/8/1)

Bellnix RxxP22005D/RKZ-xx2005D:
+20/−5V出力のSiC MOSFET用絶縁型DC-DCコンバーター
ベルニクスは、SiC MOSFET用として+20/−5V出力の絶縁型DC-DCコンバーター「RxxP22005D」「RKZ-xx2005D」シリーズの販売を開始した。(2016/6/17)

ベルニクス RxxP22005D/RKZ-xx2005D:
+20/−5VのSiC MOSFET用DC-DCコンバーター
ベルニクスは2016年5月、SiC MOSFETを効率良くスイッチできる絶縁型DC-DCコンバーター「RxxP22005D」「RKZ-xx2005D」シリーズを発売した。(2016/6/6)

GaNにはGaNの設計を:
GaNに対する疑念を晴らす
新しいMOSFET技術が登場すると、ユーザーは新しいデバイスを接続してどの程度効率が改善されたかを測定します。多くの人が既存の設計のMOSFETをGaNに置き換える際にもこれと同じ方法を使ってしまい、性能の測定結果に失望してきました。GaNの本当の利点を引き出すには、通常、システム設計を変更しなければなりません。GaNを既存のMOSFET技術に対する完全な互換品(ドロップイン置換品)と見なすのではなく、さらなる高密度・高効率設計を実現する手段と捉えるべきです。(2016/5/27)

電源メーカーにとって:
SiCは好機会でも、GaNはまだ不透明――RECOM
RECOM Powerは「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、SiC-MOSFET専用の2WのDC-DCコンバーターなど同社の製品群を展示した。これまで同社は低電力・中電力のDC-DCコンバーターやAC-DCコンバーターを中核としてきたが、今後は500Wなど高電力市場も視野に入れる。(2016/5/23)

ビシェイ・インターテクノロジー SiHxxxN65EF:
ファーストボディーダイオード内蔵の650V NチャネルパワーMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、産業、テレコム、再生可能エネルギー向けに、ファーストボディーダイオード内蔵の650V NチャネルパワーMOSFETの新製品「SiHX21N65EF」「SiHX28N65EF」「SiHG33N65EF」を発表した。(2016/5/23)

ローム SCT2H12NZ:
高電圧動作の産業機器に最適な1700V耐圧SiC-MOSFET
ロームは高電圧で動作する産業機器向けに、1700V耐圧のSiC-MOSFET「SCT2H12NZ」を開発。オン抵抗は1.15Ωで、産業機器の補機電源として使用される1500V耐圧のSi-MOSFETに比べて8分の1に低減した。(2016/5/23)

リニアテクノロジー DC2465:
熱設計を簡素化する低損失ダイオードブリッジ整流器
リニアテクノロジーは、低損失3相理想ダイオードブリッジ整流器「DC2465」を発売した。ダイオードの置き換えにより、6個の低損失NチャンネルMOSFETを駆動する。(2016/5/19)

ビシェイ SiHX21N65EF 他2種:
高電力のスイッチモード電源用650V パワーMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、産業、テレコム、再生可能エネルギー向けに、ファーストボディーダイオード内蔵の650V NチャネルパワーMOSFET3種を発表した。(2016/5/13)

Design Ideas パワー関連と電源:
疑似共振型コンバーターをCMOS ICで制御する
今回は、取り扱いが簡単なCMOS ICを使ってMOSFETを制御するコンバーター回路を紹介する。(2016/5/12)

PCIM Europe 2016:
フルSiCは時期尚早? コスト面での不利さ拭えず
パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」で、耐圧650VのSiC SBD(ショットキーバリアダイオード)や同1200VのSiC MOSFETなどを紹介したToshiba Electronics Europe。SiCのSBDとMOSFETを組み合わせた“フルSiC”のパワーモジュールは登場しているが、コストの壁は大きいと同社は述べる。(2016/5/11)

PCIM Europe 2016:
インフィニオン初のSiC MOSFETを披露、量産は2017年
Infineon Technologiesは、ドイツで開催中のパワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ニュルンベルク)で、耐圧1200VのSiC MOSFETなどを展示した。(2016/5/11)

ローム SCT2H12NZ:
1700V耐圧SiC-MOSFET、オン抵抗1.15Ωを達成
ロームは、産業機器向けに1700V耐圧のSiC-MOSFET「SCT2H12NZ」を開発した。産業機器で使用される1500V耐圧のSi-MOSFETに比べ、8分の1となるオン抵抗1.15Ωを可能にした。(2016/5/11)

広い入力電圧範囲の高速DC-DCコンバーターで発生する:
スイッチノードリンギングの原因と対策
昨今、広入力電圧範囲DC-DCコンバーターが使用されるケースが増えてきたが、MOSFETの高速のターンオンとターンオフは、スイッチノードのリンギングを発生させ、さまざまな障害の原因となっている。そこで、本稿では、DC-DCコンバーターにおけるスイッチノードリンギングおよびスパイクのメカニズムを取り上げ、その発生メカニズムと対策方法を詳しく解説する。(2016/4/26)

Intersil ISL78227/ISL78229:
産業機器や通信機器の厳しい性能要件に対応する同期整流昇圧コントローラー
インターシルは、ハイサイド/ローサイドMOSFETドライバを内蔵した2相55V同期整流昇圧コントローラー「ISL78227」と「ISL78229」を発表した。(2016/3/18)

Q&Aで学ぶマイコン講座(21):
マイコン周辺部品の選び方――トランジスタ/MOSFET編
マイコンユーザーのさまざまな疑問に対し、マイコンメーカーのエンジニアがお答えしていく本連載。今回は、初級者の方からよく質問される「マイコンの周辺部品であるトランジスタやMOSFETなどのICの選び方」です。(2015/12/21)

通信基地局やFA機器、モータ制御向け:
耐圧80Vで効率最高レベル、ロームのDC-DCコン
ロームは、従来品に比べて高い電力変換効率を実現した耐圧80VのMOSFET内蔵DC-DCコンバータ「BD9G341AEFJ」を開発し量産を始めた。通信基地局やFA機器、モータ制御などの用途に向ける。(2015/10/28)

トランスフォームが開発中:
GaN素子単体でノーマリーオフ、2017年に投入へ
トランスフォーム・ジャパンは現在、単体でノーマリー・オフ動作するGaNパワー素子を開発中だという。2017年には本格的に市場に投入する予定だ。ノーマリー・オフ動作を実現するために、MOSFETとカスコード接続するといった手法をとる必要がなくなる。(2015/10/7)

革新的な電力段の技術開発を加速:
インターシル、パワーMOSFETメーカーを買収
インターシルは、パワーMOSFET製品を提供するGreat Wall Semiconductor(GWS)を買収した。クラウドコンピュータや宇宙機器、モバイル機器などをターゲットに、パワーマネジメントICの製品競争力を高めていく。(2015/9/14)

STマイクロ STripFET F7:
同期整流向けに最適化、60V耐圧パワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、トレンチゲート構造のMOSFETシリーズ「STripFET F7」として、新たに耐圧60VのパワーMOSFET製品を発表した。(2015/9/14)

フェアチャイルド Dual Cool 88:
ドローンに最適な中耐圧MOSFET
フェアチャイルドセミコンダクタージャパンは、8mm角のDual Coolパッケージを採用した高性能中耐圧MOSFET「Dual Cool 88 MOSFET」を発表した。(2015/9/9)

インフィニオン StrongIRFET:
熱抵抗を抑えた小型パッケージを採用した新型MOSFET
インフィニオンテクノロジーズは、バッテリー駆動回路、ブラシ付き/ブラシレスDC(BDLC)モータ駆動装置など、DC駆動回路向けの「StrongIRFET」MOSFETファミリを発表した。高い電力密度と熱性能を備えた「Medium Can DirectFET」パッケージを採用している。(2015/8/14)

福田昭のデバイス通信(36):
次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料(4)〜CMOSの実現手法と試作例
本シリーズは、次々世代のMOSFETで非シリコン材料がチャンネル材料の候補になっていることを説明してきた。最終回は、本シリーズのまとめであるCMOSデバイスの実現手法と試作例を紹介する。従来と同様のCMOSデバイスを非シリコン材料で実現する手法は2つある。(2015/8/7)

福田昭のデバイス通信(35):
次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料(3)〜III-V族半導体の「新たなる希望」
前回は、ゲルマニウム(Ge)をチャンネル材料とするMOSFETの研究開発の歴史と現状を紹介した。今回はもう1つの材料であるインジウム・ガリウム・ヒ素(InGaAs)である。InGaAsの歴史と背景にあるIII-V族化合物半導体とともに、研究開発の状況を解説する。(2015/8/5)

リニアテクノロジー LTM4622:
デュアル2.5A出力/シングル5A出力のマイクロモジュールレギュレータ
リニアテクノロジーは、デュアル2.5A出力またはシングル5A出力の降圧μModuleレギュレータ「LTM4622」を発売した。スイッチングDC-DCレギュレータ、MOSFET、インダクタ、サポート回路を内蔵している。(2015/8/4)

福田昭のデバイス通信(34):
次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料(2)〜ゲルマニウムの復活
前回は、シリコン(Si)を代替する半導体材料の候補を紹介した。今回はゲルマニウム(Ge)をチャンネル材料とするMOSFETの研究開発の歴史と現状を紹介する。歴史上、初めてのトランジスタの材料はシリコンではなく、ゲルマニウムだった。(2015/8/3)

福田昭のデバイス通信(33):
次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料(1)〜なぜ非シリコンなのか
今回からは、非シリコン材料を使ったMOSFET開発に焦点を当てる。微細化技術が行き詰まりを見せている中、非シリコンへの注目が高まっている。それはなぜなのか。また、非シリコン材料の候補には何があるのだろうか。(2015/7/30)

Design Ideas パワー関連と電源:
並列型レギュレータで直流定電圧を生成する
直流の定電圧3Vをそれより高い電源から得るときに、実験用回路では必要な電圧の直列型レギュレータがない場合、並列型レギュレータで代用してもよい。今回は、並列レギュレータよりも出力インピーダンスを低くできる、MOSFETを紹介する。(2015/7/28)

Design Ideas 信号源とパルス処理:
パワーMOSFETを直流電子負荷に活用する
太陽電池アレイやバッテリーなどの電源の試験に、電子回路によって構成した直流負荷を用いるが、市販製品は高価なものが多い。パワーMOSFETをリニア領域で用いると、電子負荷を自作できる。(2015/7/17)

インフィニオン CoolMOS C7シリーズ:
従来品に比べスイッチング損失を半減、SJ構造を用いた耐圧600VのMOSFET
インフィニオン テクノロジーズの「CoolMOS C7」シリーズは、スーパージャンクション(SJ)構造を用いたMOSFETの新ファミリである。従来の「CoolMOS CP」シリーズに比べて、オフ時の損失を50%も削減した。(2015/6/5)

人とくるまのテクノロジー展2015:
SiC-MOSFETが5cm角から8cm角に拡大、電流容量は2〜3倍に向上
デンソーは、「人とくるまのテクノロジー展2015」において、インチのSiCウエハー上に作り込んだ8cm角のSiC-MOSFETを披露した。従来の5cm角の電流容量が100Aだったのに対して、8cm角は200〜300Aに向上している。(2015/5/21)

人テク展2015 開催直前情報:
オルタネーターの整流器にMOSFETを世界初採用、実用燃費を1%向上
デンソーは、「人とくるまのテクノロジー展(人テク展)2015」において、燃料電池車「ミライ」に採用された各種製品や、「世界で初めて」(同社)整流器にMOSFETを採用して実用燃費を1%向上した「eSCオルタネーター」を展示する。(2015/5/12)

パワー半導体 SiC:
トレンチ構造を用いたSiC-MOSFETを製品化――ロームが6月量産
ロームは2015年4月23日、トレンチ構造を用いたSiC(炭化ケイ素)によるMOSFET(以下、SiC-MOSFET)を開発し、2015年6月から量産すると発表した。(2015/4/23)

ローム BD7682FJ-LB:
SiC-MOSFET駆動用AC-DCコンバータ制御IC、電力効率を最大6%改善
ロームの「BD7682FJ-LB」は、SiC(炭化ケイ素)-MOSFET駆動用のAC-DCコンバータ制御ICである。インバータ装置など産業機器の用途に向ける。(2015/3/25)

三菱電機 PSM10S94F6他:
SJ-MOSFET搭載パワー半導体モジュール拡充、容量2.2〜8.0kWのエアコン向け
三菱電機の「DIPIPM」は、SJ-MOSFET搭載の小型インバータ駆動用パワー半導体モジュールで、今回は新たに3品種を追加した。容量が2.2〜8.0kWのエアコン用途に向ける。(2015/3/6)

電源設計:
耐圧1200VのSiCモジュール、ダイオード一体型MOSFETで小型化を実現
パナソニックと三社電機製作所は、「業界最小」(パナソニック)をうたう耐圧1200VのSiCパワーモジュールを共同開発した。SiCダイオード一体型MOSFETと、ワイヤボンディング不要のモジュール化技術で、小型化/低背化を図っている。(2015/3/4)

リニアテクノロジー LTC7138:
暗電流を12μAに抑えた、140V入力対応400mA降圧DC-DCレギュレータ
リニアテクノロジーは、140V入力で最大400mAの連続出力電流を供給する高効率降圧コンバータ「LTC7138」を発売した。オン抵抗1.8ΩのパワーMOSFETを内蔵し、無負荷時の暗電流を12μAに抑えた。(2015/2/19)

メモリ/ストレージ技術:
「経験で設計すると失敗する」、ルネサスが提示する16nm FinFET SRAMの課題
ルネサス エレクトロニクスは、16nm FinFETプロセスを用いてSRAMを試作したと発表した。プレーナ型MOSFETを使う場合に比べて低い動作電圧で高速読み出しに成功しているが、一方でFinFETと、微細化プロセスを用いたことによる課題も増えている。(2015/2/17)

パワー半導体 SiCデバイス:
耐圧1200VのSiCパワーMOSFET、STマイクロが量産開始
STマイクロエレクトロニクスは、耐圧1200VのSiC(炭化ケイ素)パワーMOSFET「SCT20N120」を発表した。EV/HEV用インバータや太陽光/風力発電システム、スマートグリッド機器といった用途に向ける。(2015/2/10)



多くの予想を裏切り、第45代アメリカ合衆国大統領選挙に勝利。貿易に関しては明らかに保護主義的になり、海外人材の活用も難しくなる見込みであり、特にグローバル企業にとっては逆風となるかもしれない。

携帯機としても据え置き機としても使える、任天堂の最新ゲーム機。本体+ディスプレイ、分解可能なコントローラ、テレビに接続するためのドックといった構成で、特に携帯機としての複数人プレイの幅が広くなる印象だ。

アベノミクスの中でも大きなテーマとされている働き方改革と労働生産性の向上。その実現のためには人工知能等も含むITの活用も重要であり、IT業界では自ら率先して新たな取り組みを行う企業も増えてきている。