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「MOSFET」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

関連キーワード

インフィニオン IFX007T:
スマートハーフブリッジのモータードライバー
インフィニオンテクノロジーズは、pチャネルハイサイドMOSFET、nチャネルローサイドMOSFET、ドライバーICを1つのパッケージに組み込んだ、スマートハーフブリッジの高出力モータードライバー「IFX007T」の提供を開始した。(2018/12/4)

マキシム MAX20092:
車載照明用12スイッチマトリクスマネージャ
Maxim Integrated Productsは、12のスイッチが最大56Vまでの電圧を制御し、オン抵抗70mΩのMOSFETが最大1.5Aの電流を駆動する、車載照明用マトリクスマネージャIC「MAX20092」を発表した。(2018/10/24)

機器形状数十分の一、コスト半減:
FLOSFIA、MOSFETのノーマリーオフ動作を実証
京都大学発のベンチャー企業が、コランダム構造の酸化ガリウムを用いて、ノーマリーオフ型MOSFET(絶縁効果型トランジスター)の動作実証に成功した。(2018/8/15)

東芝 TPD7212F:
車載3相ブラシレスモーター用ゲートドライバ
東芝デバイス&ストレージは、車載3相ブラシレスモーター用パワーMOSFETのゲートドライバIPD「TPD7212F」を発表した。ハイサイドドライブ用のチャージポンプ回路を内蔵し、3相フルブリッジ回路を容易に構成できる。(2018/8/10)

ガルバニック絶縁を内蔵:
STマイクロ、パワー半導体向けゲートドライバ
STマイクロエレクトロニクスは、SiC(炭化ケイ素)パワーMOSFETなどを制御するためのガルバニック絶縁ゲートドライバ「STGAP2S」を発表した。(2018/8/7)

X線自由電子レーザーの利用拡大:
SiC-MOSFETを活用した4象限電源、理研などが開発
理化学研究所(理研)とニチコンらの共同研究グループは、SiC(炭化ケイ素)-MOSFETを用いることで、高い出力と安定性を両立させつつ、出力電流の方向や大きさを広い範囲で変更できるパルス電源を開発した。(2018/6/20)

Design Ideas 計測とテスト:
可動線輪型メーターとMOSFETで低電流を測定
今回は、可動線輪型メーターとMOSFETを用いて低電流を測定する回路を紹介する。(2018/6/4)

インフィニオン CoolSET:
周波数固定型PWMコントローラーと一体の電源IC
インフィニオンテクノロジーズは、PWMコントローラーとCoolMOS P7 MOSFETを一体化した周波数固定形電源IC「CoolSET」の第5世代品を発売した。(2018/4/26)

東芝 TPHR7904PB、TPH1R104PB:
車載用40V耐圧NチャンネルパワーMOSFETの新製品
東芝デバイス&ストレージは、車載用40V耐圧NチャンネルパワーMOSFETの新製品「TPHR7904PB」「TPH1R104PB」を発表した。低抵抗で小型のパッケージを採用することで、低オン抵抗特性を実現した。(2018/4/25)

リテルヒューズ LSIC1MO120E01x0:
低オン抵抗の1200V耐圧SiC MOSFET新シリーズ
リテルヒューズは、1200VのNチャンネルエンハンスモードSiC MOSFET「LSIC1MO120E0120」シリーズと「LSIC1MO120E0160」シリーズを、2018年3月中旬から販売する。(2018/3/28)

定期交換部品を83%削減:
明電舎がIGBT方式の新型高周波電源を発売、故障率を低減しメンテナンス性を向上
明電舎は、IGBT方式を採用した新型高周波電源を発売。誘導加熱の原理を利用して発熱する高周波溶接機の電源部で、従来のMOSFET機と比較してインバーターユニットの部品点数を67%削減している。(2018/3/9)

FAニュース:
定期交換部品を83%削減したIGBT搭載高周波溶接機用電源、溶接機向け
明電舎は、IGBT方式を採用した新型高周波電源を発売した。従来のMOSFET機に比べてインバーターユニットの部品点数を67%削減するなど、故障率を低減してメンテナンス性を高めた。(2018/2/23)

ルネサス ISL8274M、ZL9024M:
完全集積型デジタルDC-DC電源モジュール
ルネサス エレクトロニクスは、コントローラー、MOSFET、インダクター、受動部品を1つのモジュールに集積した、完全集積型デジタル電源モジュール「ISL8274M」「ZL9024M」を発表した。(2018/2/19)

「世界最高の定格出力密度」:
三菱電機、6.5kV耐圧のフルSiCモジュールを開発
三菱電機は2018年1月31日、シリコンによる従来のパワー半導体モジュールよりも定格出力密度を1.8倍に高めた6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュールを開発したと発表した。ダイオードを内蔵したSiC-MOSFETを採用し、小型サイズを実現している。(2018/2/1)

東芝 π-MOSIXシリーズ:
スイッチング電源向けの600V耐圧プレーナMOSFET
東芝デバイス&ストレージは、600V耐圧のプレーナMOSFET「π-MOSIX(パイモスナイン)」シリーズの量産を開始した。従来製品の「π-MOSVII(パイモスセブン)」シリーズに比べ、EMIノイズピーク値を5dB低減した。(2018/1/31)

STマイクロ PWD13F60:
4個のパワーMOSFETを集積したフルブリッジSiP
STマイクロエレクトロニクスは、定格600Vの単相パワーMOSFETフルブリッジを搭載した、13×11mmの小型システムインパッケージ(SiP)「PWD13F60」を発表した。パワーMOSFET用のゲートドライバと保護回路を内蔵している。(2017/12/28)

しきい値電圧変動を大幅に低減:
GaN-MOSFET向けゲート絶縁膜プロセス、東芝が開発
東芝は、GaNパワーデバイス向けにゲート絶縁膜プロセス技術を開発したと発表した。「IEDM 2017」で発表したもの。しきい値電圧の変動を極限まで低減するという。(2017/12/12)

福田昭のデバイス通信(120) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(4):
IEDM 2017の講演2日目(12月5日)午前(その2):ソニーの虹彩認識用イメージセンサー
2017年12月5日午前のセッションから注目講演を紹介する。ソニーは、スマートフォン向けを想定した、シリコンの赤外線イメージセンサーについて発表する。その他、III-V族ナノスケールMOSFETや、バイオセンサー、化学センサーなどの講演を取り上げる。(2017/11/17)

リテルヒューズ LSIC1MO120E0080シリーズ:
高速スイッチングを達成、定格1200VのSiC MOSFET
リテルヒューズは、定格電圧1200VのSiC MOSFET「LSIC1MO120E0080」シリーズを発売した。定格電流は25Aで、通常オン抵抗は80mΩ、最大150℃の温度で動作する。(2017/11/2)

Nexperia LFPAK56D:
車載規格AEC-Q101準拠の80VデュアルパワーMOSFET
Nexperiaは、LFPAK56D(デュアルパワーSO8)パッケージを採用した、車載向け80VデュアルパワーMOSFETの新製品を発表した。車載規格AEC-Q101に準拠し、エンジンマネジメントやトランスミッション制御、ABS(Antilock Brake System)などに向く。(2017/10/11)

インターシル ISL8215M:
42VシングルチャンネルDC-DC降圧電源モジュール
インターシルは、最大15Aの連続電流を可能にした、シングルチャンネルDC-DC降圧電源モジュール「ISL8215M」を発表した。コントローラ、MOSFET、インダクタ、受動部品を集積し、7〜42Vのシングル入力電圧範囲で動作する。(2017/9/29)

独自のソース領域構造で:
三菱電機が新型SiC-MOSFET、信頼性と省エネ両立
三菱電機は、電力損失を最小レベルに抑えたSiC(炭化ケイ素)パワー半導体素子を開発した。2020年度以降の実用化を目指す。(2017/9/25)

チャネル領域の抵抗を約4割減:
東芝、SiC-MOSFETの抵抗を下げる新プロセス開発
東芝は2017年9月19日、SiC-MOSFETのチャネル領域の抵抗を約40%低減する新しいプロセス技術を開発したと発表した。(2017/9/20)

インフィニオン CoolMOS P7:
SJ構造のパワーMOSFETにSOT-223パッケージを追加
インフィニオンテクノロジーズは、スーパージャンクション(SJ)構造を採用したパワーMOSFET「CoolMOS P7」シリーズに、SOT-223パッケージを追加した。基板上のDPAKの設置形状と互換性があるため、DPAKをそのまま置き換えることができる。(2017/9/11)

電子ブックレット(EDN):
MOSFETの実効容量値を簡単に求める術
EDN Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、最新のMOSFETの評価に有効な実効容量値を、より簡単に求める方法を説明する。(2017/8/28)

ADI LTC7003:
最大60VのハイサイドNチャネルMOSFETドライバ
アナログ・デバイセズ(ADI)は、最大60Vの電源電圧で動作する、高速ハイサイドNチャネルMOSFETドライバ「LTC7003」を発売した。内蔵のチャージポンプにより、100%のデューティサイクルを可能にした。(2017/8/22)

電気抵抗は半分以下に:
富士電機、トレンチゲート構造のSiC-MOSFET
富士電機は、トレンチゲート構造の「SiC-MOSFET」を開発した。プレーナーゲート構造を用いた素子に比べて、電気抵抗は5割以上も小さくなる。(2017/7/10)

アナログ・デバイセズ LTC7000/LTC7000-1:
最大150VのハイサイドNチャネルMOSFETドライバ
アナログ・デバイセズは、100%のデューティサイクルを可能にした、保護機能付き高速ハイサイドNチャネルMOSFETドライバ「LTC7000」と「LTC7000-1」を発売した。最大150Vの電源電圧で動作する。(2017/6/22)

STマイクロ MDmesh DK5シリーズ:
高速リカバリーダイオード内蔵のパワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、高速リカバリーダイオードを内蔵したスーパージャンクション型パワーMOSFET「MDmesh DK5」シリーズを発表した。さまざまな電力変換トポロジーの効率を最大化する。(2017/6/15)

オン・セミコンダクター FAN6248:
LLC電源向け同期式レクティファイア制御IC
オン・セミコンダクターはLLC方式の電源トポロジー向けに、同期式レクティファイア(SR)コントローラー「FAN6248」を発表した。2つのSR MOSFETにより、外付け部品を最小限に抑え、LLC電源の設計を簡素化する。(2017/5/29)

STM STLD200N4F6AGなど:
5×6mm両面放熱PKGに封止した車載パワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスが、車載用モータ制御アプリケーション、バッテリー逆接続防止、高性能電源スイッチングに適した40V耐圧パワーMOSFET「STLD200N4F6AG」と「STLD125N4F6AG」を発表した。STLD200N4F6AGとSTLD125N4F6AGは、車載用電子制御ユニット(ECU)の電力密度を高める両面放熱パッケージに封止されている。(2017/5/25)

PCIM 2017:
SiCだけではない、パワー製品群の展示に注力 ローム
ロームは、パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2017」(2017年5月16〜18日、ドイツ・ニュルンベルク)にて、Si-IGBTやSiC-MOSFET向けゲートドライバーICなどを展示した。(2017/5/22)

PCIM Europe 2017:
Infineon、フルSiCモジュールを2018年に量産へ
Infineon Technologiesは、ドイツ・ニュルンベルクで開催中のパワー半導体の展示会「PCIM Europe 2017」(2017年5月16〜18日)で、耐圧1200VのSiC-MOSFETと、それを搭載したフルSiCモジュールの量産について発表した。SiCだけでなくGaNでも新製品を発表している。(2017/5/18)

インフィニオン 600V CoolMOS P7/C7 Gold:
小電力から大電力まで対応する高耐圧MOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、600Vのブレークダウン電圧で動作する高耐圧MOSFET「600V CoolMOS P7」「600V CoolMOS C7 Gold」を発表した。サーバや通信、太陽光発電、充電器などの用途で電力密度を高めることができる。(2017/4/20)

インフィニオン IR3883:
部品点数を5点削減できるMOSFETレギュレーター
インフィニオンテクノロジーズは、高密度アプリケーション向けに高集積型MOSFET DC-DCレギュレーター「IR3883」を発表した。強力な安定化エンジンを採用し、補償回路がなくてもセラミックコンデンサーによる安定動作を可能にした。(2017/3/22)

電子ブックレット:
“後発・ローム”がパワーデバイスで成長できる理由
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、“後発ながら”パワーMOSFETやIGBTなどのパワーデバイス分野で売り上げ規模を拡大させているロームに、その理由を聞いた記事を紹介します。(2017/3/5)

電力損失を約21%低減へ:
三菱電機がSiC-SBDを発売、ディスクリート品は初
三菱電機は、SiC(炭化ケイ素)を用いたパワー半導体の新製品「SiC-SBD」を2017年3月1日に発売した。同社はこれまでSiC-SBDやSiC-MOSFETを搭載したパワー半導体モジュールを2010年から製品化してきたが、ディスクリート品の提供は初となる。(2017/3/3)

インフィニオン 700V CoolMOS P7ファミリー:
Rフライバック方式に対応した耐圧700VのMOSFET
インフィニオンテクノロジーズは2017年1月、疑似共振(QR)フライバック方式に対応する、耐圧700VのパワーMOSFET「700V CoolMOS P7」ファミリーを発表した。(2017/2/8)

東芝 TPH6R30ANL/TPH4R10ANL:
4.5Vロジックレベル駆動に対応したパワーMOSFET
東芝ストレージ&デバイスソリューションは2017年1月、100V耐圧で4.5Vのロジックレベル駆動に対応したNチャンネルパワーMOSFET「TPH6R30ANL」「TPH4R10ANL」を発表した。高速充電器やスイッチング電源、通信インフラ用のDC-DCコンバーターに活用できる。(2017/1/27)

耐圧800V、高効率電源向け:
オン抵抗を大幅低減、東芝のSJ−MOSFET
東芝は、「DTMOS IV」シリーズとして、耐圧800Vのスーパージャンクション(SJ)構造nチャネルパワーMOSFET製品を発表した。新たに出荷を始めるのは8製品で、低オン抵抗と高速スイッチング特性を実現している。(2017/1/23)

福田昭のデバイス通信(98) 高性能コンピューティングの相互接続技術(3):
NVIDIAがMOSFETの比例縮小則(デナード則)を解説(後編)
後編では、修正版のデナード・スケーリングを解説する。修正版のデナード・スケーリングでは、微細化によってMOSFETの密度は2倍に増えるものの、動作速度は高くならず、消費電力は1.4倍となる。そのため、消費電力を増やさないためには、MOSFETの密度を2倍ではなく、1.4倍にとどめる必要があるのだ。(2017/1/17)

福田昭のデバイス通信(97) 高性能コンピューティングの相互接続技術(2):
NVIDIAがMOSFETの比例縮小則(デナード則)を解説(前編)
1970年代から1990年代にかけて、半導体集積回路は「デナード・スケーリング」という法則に沿って高密度化と高速化を達成してきた。今回は、デナード・スケーリングの内容と、なぜ1990年代以降は、この法則に沿って微細化を進めることが困難になったのかを説明する。(2017/1/13)

インフィニオン OptiMOS 5 150V品:
オン抵抗と逆回復電荷を低減する150V品ファミリー
インフィニオンテクノロジーズは2016年10月、パワーMOSFETとして、高効率な設計を対象とした「OptiMOS 5」150V品ファミリーを発表した。特別な最適化が施されており、オン抵抗と逆回復電荷を低減する。(2016/11/18)

福田昭のデバイス通信(92):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(Applied Materials編)
Applied Materialsの講演では、MOSFETの微細化ロードマップと、微細化の手法および課題が解説された。7nm世代のFinFETでは、フィンを狭く、高くするとともにコンタクト用の金属材料を変える必要が出てくる。FinFETの限界が見え始める5nm世代では、微細化の手法として主に2つの選択肢がある。(2016/10/7)

車載用途に最適:
ローム、AEC-Q101に準拠した「業界最小」MOSFET
ロームは2016年9月、電装化が進む車載アプリケーションに向けて、AEC-Q101に準拠した「業界最小」クラスとなる3.3×3.3mmサイズのMOSFET「AG009DGQ3」を開発したと発表した。(2016/9/20)

SiCはシリコンデバイス採用のトリガー:
“後発・ローム”がパワーデバイスで成長できる理由
ロームはパワーMOSFETやIGBTなどのパワーデバイス分野で売り上げ規模を拡大させている。パワーデバイス市場では、後発のローム。なぜ、後発ながら、自動車や産業機器などの領域でビジネスを獲得できているのか。ローム役員に聞いた。(2016/9/15)

SJ-MOSFETなど最新FETを適切に評価しよう:
MOSFETの実効容量値を簡単に求める術
MOSFETのデータシートには、1つの測定電圧での出力静電容量値が記載されています。この値は、従来のプレーナ型MOSFETには有効でしたが、スーパージャンクションなど複雑な構造を用いる最新のMOSFETの評価には適していません。本稿では、最新のMOSFETの評価に有効な実効容量値を、より簡単に求める方法を探っていきます。(2016/9/7)

「究極のパワーデバイス実現へ」:
反転層型ダイヤモンドMOSFETの動作実証に成功
金沢大学理工研究域電子情報学系の松本翼助氏、徳田規夫氏らの研究グループは、「世界初」となるダイヤモンド半導体を用いた反転層チャンネルMOSFETを作製し、動作実証に成功したと発表した。(2016/8/24)

省エネ機器:
超省エネ社会に貢献、「ダイヤモンド」パワーデバイスの実用へ前進
さまざな機器の省エネを実現するとして、高性能化に期待が掛かるパワーデバイス。実用化はまだ先とみられているが、「究極のパワーデバイス材料」として注目されているのがダイヤモンドだ。金沢大学などの共同研究グループは。こうしたダイヤモンド半導体を用いたパワーデバイスの実用化で課題となっていた反転層チャネルMOSFETの作製に成功した。(2016/8/24)

サンケン電気 執行役員兼技術本部副本部長 中道秀機氏:
PR:自動車、産業、Power IoT―― パワエレ総合力を結集し成長市場に挑む
サンケン電気は、IGBT、MOSFETといったパワー半導体素子から、電源ユニットやUPS、パワコンなどの大型機器までを扱う総合パワーエレクトロニクスメーカーとして、自動車をはじめとした成長市場でエコ/省エネを実現する技術、製品の提供を行っている。さらには、間もなく迎えようとしているIoT(モノのインターネット)時代の新たな電源のカタチとして“Power IoT”を提唱。「素子だけでなく、モジュール、システムレベルでの提案が行えるサンケン電気ならではの強みを生かして、Power IoTなどの新しい価値提供を行っていく」という同社執行役員で技術本部副本部長を務める中道秀機氏に、技術/製品開発戦略を聞いた。(2016/8/22)



ビットコインの大暴騰、「億り人」と呼ばれる仮想通貨長者の誕生、マウントゴックス以来の大事件となったNEM流出など、派手な話題に事欠かない。世界各国政府も対応に手を焼いているようだが、中には政府が公式に仮想通貨を発行する動きも出てきており、国家と通貨の関係性にも大きな変化が起こりつつある。

Amazonが先鞭をつけたAIスピーカープラットフォーム。スマホのアプリが巨大な市場を成したように、スマートスピーカー向けのスキル/アプリ、関連機器についても、大きな市場が生まれる可能性がある。ガジェットフリークのものと思われがちだが、画面とにらめっこが必要なスマホよりも優しいUIであり、子どもやシニアにもなじみやすいようだ。

「若者のテレビ離れが進んでいる」と言われるが、子どもが将来なりたい職業としてYouTuberがランクインする時代になった。Twitter上でのトレンドトピックがテレビから大きな影響を受けていることからも、マスメディア代表としてのテレビの地位はまだまだ盤石に感じるが、テレビよりもYouTubeを好む今の子ども達が大きくなっていくにつけ、少なくとも誰もが同じ情報に触れることは少なくなっていくのだろう。