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» 2007年11月16日 17時08分 UPDATE

NECエレ、40nmシステムLSIを量産へ

NECエレは、40nmプロセスによるシステムLSIの量産に向け、子会社のNEC山形に、40nm/55nmで共有できる設備を設置した。量産は08年度末になる予定。

[ITmedia]

 NECエレクトロニクスは11月16日、40ナノメートル(nm)プロセスによるシステムLSIの量産に向け、40nm品と55nm品で共有できる液浸ステッパーなどの設備を、100%子会社のNEC山形に、100億円を投じて設置したと発表した。

 携帯機器やゲーム機器、デジタル家電向けシステムLSIと、メモリ混載システムLSIを、40nmプロセスで生産する計画。量産は2008年度(2008年4月〜2009年3月)末になる予定だ。

 NEC山形は現在55nmプロセス品までを生産しており、300ミリウエハー換算で1カ月当たり1万3000枚の生産能力がある。55nm品生産に利用している液浸露光技術やHigh-kゲート技術は40nm品でも共有できるといい、今回の新設備導入によって、月間2000枚を40nm品に対応できるようになる。

 NEC山形は、2005年1月に300ミリウエハーに対応。これまで総額1400億円を投じて55nm/90/130nm品を生産してきた。NECエレは06年12月から65nm品を量産しているほか、07年10月に55nm品のサンプル出荷を開始している。

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