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» 2010年04月20日 09時21分 UPDATE

Samsung、20nmフラッシュメモリ生産開始

Samsungが20nmフラッシュメモリチップの生産を開始した。20nmクラスでの生産は業界初という。

[ITmedia]

 Samsung Electronicsは4月19日、20nm(ナノメートル)プロセスを使ったNAND型フラッシュメモリチップの生産に入ったと発表した。

 20nmフラッシュメモリチップはMLC(マルチレベルセル)構造で容量は32Gビット。SDカードなどに使われる。従来の30nmクラスのフラッシュメモリと比べ、30%高速という。

 20nmフラッシュメモリは現在サンプル出荷中。年内に生産を拡大し、4G〜64Gバイトのメモリカード向けに提供する予定という。

 Samsungは、20nmフラッシュメモリ生産は業界初とし、30nmフラッシュメモリからわずか1年で次世代の20nmクラスに到達したと述べている。

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