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「パワー半導体(エレクトロニクス)」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「パワー半導体(エレクトロニクス)」に関する情報が集まったページです。

関連キーワード

パワー半導体やADAS、E/Eアーキテクチャで:
Infineon、ホンダと車載半導体で戦略的協業
Infineon Technologiesが、本田技研工業と戦略的協力関係を構築する。両社は、パワー半導体、先進運転支援システムおよびE/Eアーキテクチャの分野に焦点を当て、新しいアーキテクチャコンセプトについて協力していく。(2024/2/1)

SiCパワー半導体生産の基盤を強化:
Infineon、Wolfspeedとの150mm SiCウエハー供給契約を拡大/延長
Infineon Technologiesは、Wolfspeedとの150mm SiCウエハーに関する長期供給契約を拡大/延長した。Infineonは「サプライヤー基盤を継続的に多様化し、高品質のSiCウエハーへのアクセスを確保していく」と述べている。(2024/1/24)

パワー半導体の主力生産拠点:
加賀東芝エレクトロニクス、2月上旬の復旧目指す
東芝は2024年1月1日に発生した令和6年能登半島地震で被災した、パワー半導体の主要生産拠点である加賀東芝エレクトロニクス(石川県能美市)において、同年2月上旬に、被災前の生産能力に近い水準へ復旧することを目指す。(2024/1/12)

パワー半導体だけじゃない:
センサー製品群「XENSIV」を次なる中核事業へ、インフィニオン
インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは2023年11月30日、センサーブランド「XENSIV(センシブ)」の拡販に向けた戦略説明会を実施した。注力する4つのセンサー市場の今後5年間における平均CAGR17.1%を上回る成長を実現し、センサー事業の中核事業化を目指す。(2023/12/14)

パワー半導体の最適設計に適用:
物質表面の熱励起エバネッセント波を分光測定
東京大学は、熱揺らぎで物質表面に現れる熱励起エバネッセント波を、ナノスケール分解能で分光測定する技術を開発した。パワー半導体素子設計時の熱励起雑音評価に適用できる技術だという。(2023/11/2)

次世代パワー半導体も“自前”に:
米大学がSiC専用の研究/製造センター建設へ
米アーカンソー大学が、国の支援を受け、SiC専用の研究/製造センターの建設に着手した。次世代パワー半導体として期待されるSiCパワーデバイスの国内生産能力と開発能力の強化を狙う。(2023/8/22)

Ga2O3パワー半導体の開発を加速:
三菱電機、ノベルクリスタルテクノロジーに出資
三菱電機は、パワー半導体用酸化ガリウム(Ga2O3)ウエハーを開発、製造、販売するノベルクリスタルテクノロジーに出資した。これを機に、三菱電機はGa2O3を用いたパワー半導体の研究開発を加速していく。(2023/8/16)

パワー半導体の生産能力拡大へ:
LittelfuseがドイツElmosの200mm工場を買収へ
Littelfuseは、ドイツの車載半導体メーカーElmos Semiconductorの200mmウエハー工場を買収する契約を締結した。買収総額は約9300万ユーロで、取引は規制当局の承認を経て2024年12月31日までに完了する予定だ。(2023/6/29)

SiCパワー半導体が17.4%を占める:
パワー半導体市場、2030年に約370億ドル規模へ
パワー半導体の世界市場は、2022年見込みの238億9000万米ドルに対し、2030年は369億8000万米ドル規模に達する見通しである。このうち、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体が17.4%を占める。矢野経済研究所が予測した。(2023/5/25)

パワー半導体は低耐圧MOSFETとSiC中心:
東芝が語る、車載半導体の最新技術動向
東芝は2023年5月、車載半導体への取り組みに関する説明会を実施した。説明会では、担当者がSiCを含むパワー半導体やモーター制御ICなど、同社の注力領域に関する技術動向を説明した。(2023/5/25)

SiCパワー半導体が市場をけん引:
パワー半導体市場、2035年には13兆4302億円規模に
富士経済が2022年4月に発表した次世代パワー半導体とSiパワー半導体の世界市場の調査によると、パワー半導体市場は自動車/電装分野にけん引され、2035年には2022年比5.0倍の13兆4302億円規模に達するという。(2023/4/12)

パワー半導体の特性を大きく左右:
β型酸化ガリウムにおける水素の準安定状態を解明
茨城大学や東北大学、東京工業大学らの研究グループは、次世代パワー半導体材料であるβ型酸化ガリウム(β-Ga2O3)の電気特性に影響を与える水素の準安定状態を解明した。(2023/2/21)

パワー半導体は好調も:
東芝が営業利益を2回目の下方修正、HDDなど低迷
東芝の2023年3月期第3四半期累計業績は、売上高が前年同期比1%増とほぼ横ばいの2兆3702億円、営業利益が同795億円減の81億円だった。通期予想も、営業利益を前回予想から300億円減の950億円、純利益(参考値)を同600億円減の1300億円と、前回に引き続き下方修正した。(2023/2/14)

パワー半導体を中心に積極投資を実施:
PR:需要が拡大する業務用空調システムのキーデバイスを網羅するインフィニオン
エネルギー価格の上昇と環境保護意識の高まりを受け、業務用空調システムの需要が拡大している。パワー半導体など業務用空調システムのキーデバイスの供給不足が懸念される中で、インフィニオン テクノロジーズは業務用空調システム用デバイスの開発、増産投資を強化している。(2023/2/15)

SiCパワー半導体提供にも言及:
レーダー事業参入で競争力強化、ルネサスの車載市場戦略
ルネサス エレクトロニクスの執行役員兼オートモーティブソリューション事業本部副本部長のVivek Bhan氏が、欧州最大規模のエレクトロニクス展示会「electronica 2022」(2022年11月15〜18日)において、同社のADAS(先進運転支援システム)およびEV(電動自動車)領域における戦略について語った。(2023/1/5)

国内アナログ/パワー半導体サプライチェーン強化へ:
onsemi新潟工場の売却が完了、日系ファウンドリー始動
onsemiは2022年12月2日、新潟工場(新潟県小千谷市)のJSファンダリへの売却を完了した、と発表した。JSファンダリは日本初の独立系ファウンドリーとして、アナログ/パワー半導体の前処理、裏面処理、EPI積層、チップサイズパッケージなどの加工/製造を行っていく。(2022/12/2)

パワー半導体など製造:
Infineon、50億ユーロでドイツに300mmウエハー新工場を計画
Infineon Technologies(以下、Infineon)は2022年11月14日(ドイツ時間)、50億ユーロ(約7220億円)を投じ、ドイツ・ドレスデンに300mmウエハー新工場を建設する計画を発表した。新工場で製造するのは、アナログ/ミックスドシグナルおよびパワー半導体。計画では、2026年秋に稼働開始予定で、フル稼働時には年間で50億ユーロ程度の売上高を見込む。(2022/11/15)

注目の次世代パワー半導体材料:
ルチル型GeO2系で混晶半導体を開発、有用性も実証
京都大学、立命館大学、東京都立産業技術研究センターによる研究チームは2022年9月9日、次世代パワー半導体材料として注目されているルチル型GeO2(r-GeO2)を中心とした、ルチル型酸化物半導体混晶系(GeO2-SnO2-SiO2)を新たに提案するとともに、実験と計算の両面から有用性を実証したと発表した。(2022/9/27)

次世代パワー半導体向けに:
昭和電工、200mmSiCエピウエハーのサンプル出荷開始
昭和電工は2022年9月7日、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体に使用されるSiCエピタキシャル(以下、SiCエピ)ウエハーについて、国内メーカーとして初めて8インチ(200mm)サイズのサンプル出荷を開始したと発表した。(2022/9/8)

GaNパワー半導体入門(2):
GaN FETの特性
省エネ化/低炭素社会のキーデバイスとして、化合物半導体であるGaN(窒化ガリウム)を用いたパワー半導体が注目を集めている。本連載では、次世代パワー半導体とも称されるGaNパワー半導体に関する基礎知識から、各電源トポロジーにおけるシリコンパワー半導体との比較まで徹底解説していく。第2回である今回は、GaN FETの特徴であるスイッチングスピードに関して、他の素子と比較しながら解説する。(2022/8/10)

パワー半導体の組み立てに適用:
ナノソルダー接合材料、低温接合で耐熱200℃を両立
パナソニック ホールディングスは、東北大学や大阪教育大学、秋田大学、芝浦工業大学と共同で、低温かつ短時間での接合と、耐熱200℃を両立させた「ナノソルダー接合材料」を開発した。(2022/6/22)

GaNパワー半導体入門(1):
GaNパワートランジスタとは
省エネ化/低炭素社会のキーデバイスとして、化合物半導体である窒化ガリウム(GaN)を用いたパワー半導体が注目を集めている。本連載では、次世代パワー半導体とも称されるGaNパワー半導体に関する基礎知識から、各電源トポロジーにおけるシリコンパワー半導体との比較まで徹底解説していく。第1回である今回は、GaNパワートランジスタの構造や特長、ターゲットアプリケーションなどについて説明する。(2022/3/30)

パワー半導体増産へ24年度稼働予定:
東芝、300mmウエハー対応新製造棟建設を決定
東芝デバイス&ストレージは2022年2月4日、加賀東芝エレクトロニクス(石川県能美市/以下、加賀東芝)に300mmウエハー対応の新しいパワー半導体製造棟を建設すると発表した。(2022/2/4)

パワー半導体増産投資上積みへ:
富士電機、津軽工場でのSiCパワー半導体設備投資を決定
富士電機は2022年1月27日、パワー半導体の生産拠点である富士電機津軽セミコンダクタ(青森県五所川原市/以下、津軽工場)でSiC(炭化ケイ素)を使用したパワー半導体の増産に向けた設備投資を実施すると発表した。(2022/1/28)

次世代パワー半導体を担う:
自動車や航空宇宙でも活路を見いだすGaN技術
オランダの半導体メーカーNexperiaが最近主催したイベントの複数の参加者によると、自動車、民生、航空宇宙用途では、電力転換などのアプリケーションにGaN(窒化ガリウム)技術の利点を活用しつつある。(2021/11/5)

SiCパワー半導体などの熱を除去:
ロータス金属を用いた高効率の沸騰冷却器を開発
科学技術振興機構(JST)は、ロータス金属を用いた高効率の沸騰冷却器を、ロータス・サーマル・ソリューションが開発したと発表した。この技術を用いるとSiC(炭化ケイ素)パワー半導体や高性能CPUを効率よく冷却することが可能になる。(2021/9/27)

次世代パワー半導体の安定供給に向け:
ST、EV/HEV向けパワー半導体でルノーと戦略提携
STMicroelectronicsは2021年6月25日(スイス時間)、Renault Groupと電気自動車(EV)/ハイブリッド自動車(HEV)向け次世代パワー半導体の安定供給に向けた戦略的提携を結んだと発表した。(2021/6/29)

パワー半導体の需要拡大に対応:
Nexperia、追加投資で生産/研究開発体制を強化
Nexperia(ネクスペリア)は2021年2月、パワー半導体の需要拡大に対応するため、2021年中にも大幅な追加投資を行い、生産能力と研究開発の体制を強化する。(2021/2/17)

次世代パワー半導体:
SiCは自動車、GaNはスマホが普及をけん引
パワーエレクトロニクスでは、GaN(窒化ガリウム)やSiC(炭化ケイ素)などのワイドバンドギャップ(WBG)デバイスの採用が進んでいる。シリコンは依然として市場を独占しているが、GaNやSiCデバイスの登場によって、技術はより効率的な新しいソリューションに向かうと予想される。(2020/6/17)

WBGパワー半導体を使う:
SiCスイッチの特性と設計上の注意点
年々注目度が増すワイドバンドギャップ(WBG)半導体。その中で、現在最もシェアが高いのはSiC(炭化ケイ素)だ。SiCスイッチの特性と、同素子を使う際の設計上の注意点を説明する。(2020/5/27)

次世代パワー半導体:
GaNで高効率な電源設計を、駆動方法がポイントに
あらゆるパワーエレクトロニクスアプリケーションにおける主要評価基準の一つが電力密度です。これは、効率やスイッチング周波数の向上によって大幅に改善されます。シリコンをベースとした技術は進化の限界に近づいているため、設計エンジニアはソリューションを提供すべくGaN(窒化ガリウム)などのワイドバンドギャップ技術に関心を向け始めています。(2020/4/22)

Infineonのパワー半導体戦略:
積極増産投資、カスタム対応で日本の競合に対抗
Infineon Technologies(日本法人:インフィニオン テクノロジーズ ジャパン)は2018年7月3日、都内でパワー半導体事業に関する記者会見を開き、国内パワー半導体市場でのシェア向上に向けた取り組みなどについて説明を行った。(2018/7/4)

富士経済 次世代パワー半導体市場調査:
順調な伸びを見せる次世代パワー半導体、自動車の電化も追い風に
SiCパワー半導体市場は堅調に成長しており、2017年には275億円にまで拡大。電化が進む自動車や産業機器への採用も見込まれることから、市場は2030年に2270億円まで拡大する見込み。富士経済調べ。(2018/3/26)

投資と買収でパワー半導体を強化:
生産ラインでコスト競争力を生む LittelfuseのSiC
保護素子を事業の核としているLittelfuseは近年、パワー半導体事業にも注力している。投資や買収によって、SiCパワーデバイスなどのパワー半導体製品のラインアップ拡充を図っている。同社のオートモーティブ・エレクトロニクス担当マーケティングディレクターを務めるCarlos Castro氏が、事業戦略について説明した。(2018/3/13)

次世代パワー半導体の生産性改善:
SiCなど難加工材半導体向け研磨パッドを開発
帝人フロンティアは、次世代パワー半導体材料として期待されるSiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)の仕上げ加工を、高速かつ低コストで実現できる研磨パッドを開発した。(2017/8/29)

富士経済 次世代パワー半導体市場調査:
パワー半導体市場で順調に伸びるSiCとGaN、2025年には2000億円を視野に
より高い通電性と低電力損失を目指した素材の本格展開が進むパワー半導体。2025年にはSiCとGaNが1860億円の市場にまで成長するとの予測。富士経済調べ。(2017/4/5)

フルSiCパワー半導体モジュール:
HEV用SiCインバーター、体積は「世界最小」
三菱電機は、体積が5リットルと小さいHEV用「SiC(炭化ケイ素)インバーター」を開発した。(2017/3/15)

テクトロニクス パワー半導体テストシステム S540型 :
テクトロ、SiC/GaN用の完全自動テストシステム
テクトロニクスは2016年10月26日、SiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)などの次世代パワー半導体材料での使用に適した、完全自動のテストシステム「S540型」を発表した。(2016/12/2)

三菱パワー半導体工場は9日から一部再開:
ルネサス熊本川尻工場、5月22日に完全復旧へ
ルネサス エレクトロニクスは熊本地震で被災し、4月22日から一部生産を再開した熊本川尻工場の生産能力を5月22日に震災前の水準に復旧するとの見通しを発表した。(2016/5/10)

次世代パワー半導体の行方:
6インチSiCの量産化は2017年? GaNはどうなる
富士経済は、次世代パワー半導体の世界市場に関する調査結果を発表した。SiCは、6インチ基板への移行が進まず、本格的な量産は2017年以降にずれ込む可能性があるという。GaNは、量産化へのハードルが低くなり、耐圧600Vから1200Vクラスの領域で需要が増加するとした。(2016/3/25)

矢野経済研究所 パワー半導体市場:
パワー半導体市場の将来予測、2025年は300億ドル超
2015年のパワー半導体世界市場規模は、前年比7.0%減の148億2000万ドルとマイナス成長となる見込み――。矢野経済研究所はパワー半導体の世界市場に関する調査結果を発表した。(2016/2/26)

パワー半導体世界市場予測:
SiC/GaNパワー半導体、本格普及は2020年以降か
矢野経済研究所は、2015年のパワー半導体市場規模が前年比7.0%減の148億2000万米ドルになった模様だと発表した。SiCやGaNパワー半導体の本格的な普及は2020年以降になるという。(2016/2/15)

パワー半導体で世界最高レベルの研究拠点へ:
6インチウエハーによるSiCチップ試作ライン構築
つくばイノベーションアリーナ(TIA)は、6インチ級SiC(炭化ケイ素)ウエハーを用いたパワー半導体デバイスの量産研究開発を目的に、新たな第3ラインを産業技術総合研究所(産総研)西事業所内に構築する。(2015/11/12)

SiC、GaNを追う、第3の次世代パワー半導体:
酸化ガリウムエピウエハー開発成功、事業化へ
情報通信研究機構、東京農工大学、タムラ製作所らの研究チームは、次世代パワーデバイス材料として有望な酸化ガリウムエピウエハーの開発に成功したと発表した。(2015/10/22)

パワー半導体:
独創性や革新性を追求、パワーエレ分野で6つの先導研究
新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は、パワーエレクトロニクスの新たな応用分野を見出すために、新たな先導研究に取り組む。同分野における独創性や革新性の高い用途発掘と新市場創出を目指す。(2015/6/15)

パワー半導体 GaNデバイス:
GaNデバイス開発でIDTとEPCが提携、ワイヤレス給電や通信・コンピュータ向け
Integrated Device Technology(IDT)は、エンハンスモードの窒化ガリウム(eGaN)FETで強みを持つEfficient Power Conversion(EPC)と提携した。両社は、eGaN技術とシステム化のノウハウを持ち寄り、通信・コンピュータやワイヤレス給電、RF回路に向けた高速で高効率の半導体デバイス製品を共同開発していく。(2015/6/5)

パワー半導体 GaNデバイス:
8×8mm表面実装パッケージ採用、耐圧600VのGaNパワートランジスタ
パナソニックは、耐圧600VのエンハンスメントモードGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタを発表した。小型の表面実装型パッケージを採用しており、実装面積の省スペース化と高速スイッチングを可能とした。(2015/5/19)

パワー半導体 SiC:
トレンチ構造を用いたSiC-MOSFETを製品化――ロームが6月量産
ロームは2015年4月23日、トレンチ構造を用いたSiC(炭化ケイ素)によるMOSFET(以下、SiC-MOSFET)を開発し、2015年6月から量産すると発表した。(2015/4/23)

パワー半導体:
ローム、1200V/300A定格のフルSiCパワーモジュール
ロームは2015年4月、パワー半導体素子を全てSiC(炭化ケイ素)デバイスで構成したフルSiCパワーモジュールとして、定格1200V、300Aを実現した「BSM300D12P2E001」を2015年6月から量産出荷すると発表した。(2015/4/15)

パワー半導体 GaNデバイス:
耐圧600VのGaNトランジスタ2製品、オンセミとTransphormが発売
オン・セミコンダクターとTransphormは、耐圧600VのGaN(窒化ガリウム)トランジスタ2製品を発売した。小型電源やアダプタなどの用途に向ける。同時に新製品を搭載した240Wリファレンスデザインキットも発表した。(2015/3/19)


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