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「シリコン」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「シリコン」に関する情報が集まったページです。

堅調な成長が予測される:
SiCの競争が激化、ウエハー供給不足は解消に向かう?
SiCパワー半導体には、引き続き高い関心が寄せられている。SiCウエハーの供給不足を懸念する声がある一方で、解消に向かっているとの見方もある。(2019/10/4)

組み込み開発ニュース:
三菱電機から「世界最高レベル」のトレンチ型SiC-MOSFET、信頼性と量産性も確保
三菱電機は、1500V以上の耐圧性能と、「世界最高レベル」(同社)の素子抵抗率となる1cm2当たり1.84mΩを両立するトレンチ型SiC-MOSFETを開発した。家電や産業用機器、自動車などに用いられるパワーエレクトロニクス機器の小型化や省エネ化に貢献する技術として、2021年度以降の実用化を目指す。(2019/10/1)

福田昭のデバイス通信(203) 2019年度版実装技術ロードマップ(14):
SiCパワーデバイスがモビリティの電動化を加速
今回は、電動化のキーデバイスである「パワーデバイス」に関してロードマップが記述した部分の概要をご紹介していく。(2019/9/30)

富士経済が調査結果を公表:
パワー半導体メーカーの19年売上高は7.6%増へ
富士経済は2019年9月13日、世界の主要パワー半導体関連企業の売上高や事業状況についての調査結果を発表した。それによると、2019年の世界の主要パワー半導体メーカー36社のパワー半導体関連事業売上高は、2018年比7.6%増の2兆219億円に達するという。(2019/9/18)

金属加工技術:
SiCやGaNスライス工程の生産性を60%改善、三菱電機のマルチワイヤ放電加工機
三菱電機は2019年9月12日、新開発のマルチ放電スライス技術「D-SLICE(ディースライス)」を採用したマルチワイヤ放電スライス加工機「DS1000」を同年11月1日に発売すると発表した。SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)など次世代半導体材料のウエハースライス工程での活用を提案する。(2019/9/13)

シリコン・ラボ Si834x:
堅牢な産業用デジタルアイソレータースイッチ
シリコン・ラボラトリーズは、小型で堅牢なデジタルアイソレータースイッチ「Si834x」ファミリーを発表した。ガルバニック絶縁と100kV/マイクロ秒以上のコモンモード過渡耐性により、信頼性とパフォーマンスに優れる。(2019/9/11)

ダブルパルステスターで高精度なデバイスモデルを:
SiC登場で不可避な電源回路シミュレーション、成功のカギは「正確な実測」
SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)を使ったパワーデバイスの実用化に伴い、電源設計においても回路シミュレーションを実施する必要性が高まっている。しかし、「実測値とシミュレーション結果が合わない」というケースが頻発している。なぜ、シミュレーションがうまく行かないのか。その理由と解決策を紹介してきたい。(2019/9/11)

三菱電機が2025年の量産化目指す:
ダイヤモンド基板で放熱性を大幅に向上したGaN-HEMT
三菱電機は2019年9月2日、単結晶ダイヤモンド放熱基板を用いたマルチセル構造のGaN-HEMTを開発したと発表した。Si基板やSiC基板を使う従来のGaN-HEMTに比べ、電力効率と出力密度が10%向上し、温度上昇は最大6分の1に抑えられたという。(2019/9/3)

IoT機器向けに、新熱電材料を研究:
ありふれた元素、わずかな温度差で熱電発電するモジュール
NEDO、物質・材料研究機構、アイシン精機、茨城大学は2019年8月21日、「汎用元素だけで構成する新熱電材料」を使った熱電発電モジュールの開発に成功した、と発表した。IoT(モノのインターネット)機器の駆動やBLE通信が可能になる発電量を得ることができるといい、「将来、日本国内で1兆個ともいわれるIoT機器の駆動を支える自立電源としての普及と使途範囲の拡充に貢献する」としている。(2019/8/23)

組み込み開発ニュース:
ありふれた元素で熱電発電、5℃の温度差でもIoT機器が動く
NEDO、物質・材料研究機構、アイシン精機と茨城大学は2019年8月21日、汎用元素のみで構成する熱電発電モジュールを世界で初めて開発したと発表した。(2019/8/22)

シリコン・ラボ Si539x新モデル:
ジッタ減衰器に源発振内蔵型の新モデル追加
シリコン・ラボラトリーズは、5G(第5世代移動通信)対応ジッタ減衰器ファミリー「Si539x」に新モデルを追加した。源発振機能を内蔵し、高速ネットワーク設計のPCBレイアウトを簡素化する。水晶振動子も組み込まれており、AEノイズに対し高い耐性を持つ。(2019/7/9)

太陽光:
東芝が次世代太陽電池で成果、タンデム型で発電効率23.8%を記録
東芝が透過型亜酸化銅(Cu2O)を用いた低コストのタンデム型太陽電池で、現在広く普及している結晶シリコン(Si)太陽電池単体での発電効率を上回る発電効率23.8%を達成したと発表した。(2019/6/25)

n層とp層の界面電位差を小さく:
東芝、タンデム型太陽電池で発電効率23.8%達成
東芝は、透過型の亜酸化銅を用いたタンデム型太陽電池で、23.8%の発電効率を達成した。(2019/6/21)

新電元工業がいち早く製品化!:
PR:GaNパワー半導体の弱点を克服する大容量/高速安定動作可能なパワーモジュール登場
より高い電力変換効率が期待できるGaN(窒化ガリウム)などの新材料を用いた次世代パワー半導体は、既に実用化段階にある。しかし、電力変換/制御システムに搭載するには、設計の難易度が高いなど課題を抱える。そうした課題を解決し、実用化を前進させる大容量/高速安定動作可能なGaNパワーモジュールが登場した。(2019/6/18)

太陽光:
トリナが太陽電池セルで新記録、N型単結晶Siで24.58%を達成
中国トリナ・ソーラーが量産型のN単結晶シリコン太陽電池セルで、世界記録を達成。変換効率24.58%を達成した。(2019/6/10)

損失も低減:
Siの限界を突破する! 3300V IGBTの5Vゲート駆動に成功
2019年5月、東京大学生産技術研究所の更屋拓哉助手、平本俊郎教授を中心とする研究グループは、耐圧3300VクラスのシリコンによるIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を、ゲート駆動電圧5Vで動作させることに成功したと発表。2019年5月28日に、東京都内で記者会見を開催し、開発技術の詳細を説明した。(2019/5/29)

GaN結晶内に電流分散層を導入:
豊田合成、縦型GaNパワー半導体で大電流実現
豊田合成は、開発中の縦型GaN(窒化ガリウム)パワー半導体で、電流容量を100Aへ高めることに成功した。(2019/5/30)

車載用アナログパワーICに適用:
高温下でも高信頼性のLDMOSプロセス技術を開発
東芝デバイス&ストレージとジャパンセミコンダクターは、車載用アナログパワーICなどの用途に向け、高温環境下でも高い信頼性を実現可能な、LDMOSプロセス技術を開発した。(2019/5/28)

薬品処理と低温加熱だけで実現:
産総研、ダイヤモンド基板とSi基板を直接接合
産業技術総合研究所(産総研)は、化学薬品による処理と低温加熱だけでダイヤモンド基板とシリコン(Si)基板を直接接合できる技術を開発した。(2019/5/24)

シリコン・ラボ Si5332、Si522xx、Si532xx:
PCIe 5.0準拠クロックGとバッファ製品群
シリコン・ラボラトリーズは、PCI Express 5.0に準拠したクロックジェネレーターファミリー「Si5332」「Si522xx」と、PCIeバッファファミリー「Si532xx」を発表した。(2019/5/17)

PCIM Europe 2019:
「EVや産業用途でGaNを見直すべき」 GaN Systems CEO
パワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2019」で、会期3日目の基調講演に登壇したGaN SystemsのCEOを務めるJim Witham氏。同氏は、EV(電気自動車)やハイパワーの産業機器で、GaNパワーデバイスを見直すべきだと強調する。(2019/5/13)

PCIM Europe 2019:
SiC/GaNを生かすには「磁性部品のPCB統合」が鍵に
パワーエレクトロニクスの展示会としては世界最大規模の「PCIM Europe 2019」(2019年5月7〜9日)が、ドイツ・ニュルンベルクで開幕した。1日目の基調講演には米国Virginia TechのFred Lee氏が登壇し、「Next Generation of Power Supplies」と題した講演を行った。(2019/5/8)

三菱電機 1200V SiC-SBD:
SiCを用いた1200V耐圧パワー半導体
三菱電機は、SiCを用いた1200V耐圧パワー半導体「1200V SiC-SBD」5タイプを発表した。Siダイオードと比べてスイッチング損失を大幅に削減し、電力損失を約21%低減する。また、JBS構造の採用によりサージ電流耐量が高く、信頼性に優れる。(2019/4/16)

シリコン・ラボ Si89xxファミリー:
温度ドリフトが小さい電流・電圧測定用絶縁型IC
シリコン・ラボラトリーズは、温度ドリフトが小さく、正確な電流・電圧測定を保証する絶縁型IC「Si89xx」ファミリーを発表した。絶縁型アナログアンプやデルタシグマ変調器(DSM)、電圧センサーで構成される。(2019/4/11)

サプライチェーンを着実に構築:
「SiCでシェア30%獲得を目指す」 STが開発を加速
STMicroelectronicsは2019年3月、イタリアのカタニア(Catania)にある同社工場において、「当社は今後、戦略および売上高における重要な要素として、SiC(炭化ケイ素)に大きく賭けていく考えだ」との考えを明らかにした。(2019/4/10)

中堅技術者に贈る電子部品“徹底”活用講座(29):
リレー(4) ―― 信頼性と使用上の注意点 〜その1〜
今回はディレーティングやリレーを使う上で設計者が考慮しなければならない注意点について説明します。(2019/3/26)

組み込み開発ニュース:
亜酸化銅を用いた太陽電池の透明化に成功
東芝は、亜酸化銅を用いた太陽電池の透明化に成功した。短波長光を吸収して発電し、長波長光を約80%透過する。同電池は地球上に豊富に存在する銅の酸化物を用いることから、低コスト化でき、素材として高効率な発電が期待できる。(2019/2/8)

蓄電・発電機器:
パワー半導体市場はリーマン以前を超える、再エネ・EVなどが成長要因に
矢野経済研究所がパワー半導体の世界市場の調査結果を公表。2017年の世界市場規模(メーカー出荷金額ベース)は177億4500万ドルとなり、リーマンショック前を大きく超える市場規模に到達した。再エネやEVの普及が市場成長を後押しする。(2019/1/30)

低価格LCDでは独占状態:
パネル市場で実力を伸ばす中国、今後の狙いはOLED
IHSマークイットでシニアディレクターを務める早瀬宏氏は2019年1月23日に行ったディスプレイ市場動向の説明会で、市場動向や、今後の注目ポイントについて語った。(2019/1/29)

蓄電・発電機器:
低コストで高効率な「タンデム型太陽電池」、東芝が実現に向け成果
東芝が亜酸化銅(Cu2O)を用いた透明な太陽電池セルの開発に成功。世界初の成果であり、次世代太陽電池として期待される「タンデム型太陽電池」の低コスト化・高効率化に寄与する成果だという。(2019/1/22)

福田昭のデバイス通信(170) Intelの「始まり」を振り返る(3):
Intel創業3年目、売り上げが前年の11倍に急増して赤字が縮小
Intelの創業3年目となる1970年。「3101」と「1101」の2つのSRAMを開発したことで、Intelは売り上げを急激に拡大していく。(2018/11/28)

福田昭のデバイス通信(169) Intelの「始まり」を振り返る(2):
Intel創業2年目、初めての製品売り上げを計上するも赤字は拡大
創業翌年となる1969年。創業後わずか9カ月で製品の開発を完了させたIntelだったが、資金繰りは厳しかった。1969年における最終損失は前年の4.3倍に増大している。(2018/11/20)

湯之上隆のナノフォーカス(6) ドライエッチング技術のイノベーション史(6):
アトミックレイヤーエッチングとドライエッチング技術の未来展望
ドライエッチング技術のイノベーション史をたどるシリーズの最終回は、アトミックレイヤーエッチング技術に焦点を当てる。さらに、今後の展望についても考察する。(2018/11/12)

宇宙機内での無線給電を可能に:
GaN/Siハイブリッド整流回路で電力変換動作を実証
産業技術総合研究所(産総研)と宇宙航空研究開発機構(JAXA)は、窒化ガリウム(GaN)ダイオードとシリコン(Si)整合回路からなるハイブリッド構造の整流回路を開発し、マイクロ波から直流への電力変換動作を初めて実証した。(2018/11/12)

福田昭のデバイス通信(166) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(26):
化合物レーザーをシリコンにモノリシック集積する試み(前編)
本シリーズも、いよいよ最終章となる。最後は、シリコン基板に、化合物半導体レーザーをモノリシックに集積する試みを、前後編にわたって解説する。(2018/10/12)

湯之上隆のナノフォーカス(3) ドライエッチング技術のイノベーション史(3):
なぜインベンターはイノベーターになれなかったのか?
発明者(インベンター)がイノベーターになれるとは限らない。また、必ずしもイノベーターが相応の利益を得られるとは限らない。ドライエッチング技術史をひもといてみると、まさに、そのパイオニアが報われていない実態が明らかになる。本稿では、まず、ドライエッチングに関する特許の“強弱”を判定する。その結果から、日電バリアンがイノベーターになれなかった原因を論じる。さらに、RIEを普及させたIBMが、なぜ、相応の利益を享受できないのかを考察する。(2018/10/5)

シリコン・ラボ Si5332:
クロックICと水晶振動子を同一パッケージに統合
シリコン・ラボラトリーズは、クロックICと水晶振動子を同一パッケージに統合したクロックジェネレーター「Si5332」を発表した。新しいマルチプロファイル機能によって、最大16種類のクロックツリー構成を、単一のICに統合できる。(2018/9/3)

2018年度中の量産開始を目指す:
シャープの色素増感太陽電池が離陸間近、屋内で高効率
シャープは色素増感太陽電池(DSSC)の市場投入に踏み切る。既に「量産レディーな状況」とする同技術は2018年度中の量産開始を見込んでおり、同社はDSSCの特長を生かした複数のアプリケーションを提案中だ。(2018/8/16)

福田昭のデバイス通信(158) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(18):
半導体レーザーとシリコン光導波路を接続する技術(前編)
今回は、光源となる半導体レーザーとシリコン光導波路を結合する技術を解説する。(2018/8/16)

ガルバニック絶縁を内蔵:
STマイクロ、パワー半導体向けゲートドライバ
STマイクロエレクトロニクスは、SiC(炭化ケイ素)パワーMOSFETなどを制御するためのガルバニック絶縁ゲートドライバ「STGAP2S」を発表した。(2018/8/7)

福田昭のデバイス通信(156) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(16):
100Gbpsを超える光ファイバー高速伝送へのアプローチ
今回は、100Gビット/秒(bps)と極めて高速な変調信号を光ファイバーで伝送する実験結果を紹介する。(2018/7/30)

福田昭のデバイス通信(155) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(15):
シリコンフォトニクスの光検出器
今回は、光信号を電気信号に変換する「光検出器」について解説するとともに、ゲルマニウム光検出器の試作品について動特性を示す。(2018/7/25)

福田昭のデバイス通信(153) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(13):
光変調器の試作例(電界吸収(EA)変調器)とまとめ(前編)
今回は、エレクトロアブソープション効果(フランツケルディッシュ効果)を利用する変調器(EA変調器)を解説する。さらに、EA変調器でゲルマニウムシリコン(GeSi)を使う理由も併せて説明する。(2018/7/10)

Infineonのパワー半導体戦略:
積極増産投資、カスタム対応で日本の競合に対抗
Infineon Technologies(日本法人:インフィニオン テクノロジーズ ジャパン)は2018年7月3日、都内でパワー半導体事業に関する記者会見を開き、国内パワー半導体市場でのシェア向上に向けた取り組みなどについて説明を行った。(2018/7/4)

PCIM Asia 2018:
パワエレで力を付ける中国、SiCで目立つ地元企業の台頭
中国・上海で、2018年6月26〜28日の3日間にわたりパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Asia 2018」が開催された。三菱電機の中国法人は「5〜10年前では考えられないほど市場が伸びて、プレイヤーも増えてきている」と語る。SiC(シリコンカーバイド)パワーデバイスを手掛けるメーカーも増えてきた。PCIM Asia 2018の様子をレポートする。(2018/7/4)

ディスプレイ業界を望む 2018(1):
中国勢の台頭と有機ELの行方、ディスプレイ業界の未来
EE Times Japanでは、ディスプレイ業界の現状を振り返り将来を見通すべく、市場調査会社IHS Markitのアナリストにインタビューを行い、複数回にわたってその内容をお届けしている。第1回は、ディスプレイ産業領域を包括的に担当する同社シニアディレクターのDavid Hsieh氏より、大型/中小型液晶と有機ELの現状と未来を聞く。(2018/6/20)

やるな浅草線 いよっ! 都営浅草線に歌舞伎モチーフの新型車両「5500形」登場、6月30日運行開始
車内設備も「より快適」に。(2018/5/24)

福田昭のデバイス通信(147) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(7):
シリコン光導波路と基本的な光波長フィルター
光回路を形成する受動素子(パッシブデバイス)を解説する。具体的にはシリコン光導波路と、基本的なシリコン光波長フィルターを取り上げる。(2018/5/23)

福田昭のデバイス通信(146) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(6):
imecが研究中のシリコンフォトニクス・プラットフォーム
今回は、imecのシリコンフォトニクス・プラットフォームを解説する。このプラットフォームは、200mm(8インチ)あるいは300mm(12インチ)のシリコンウエハーに、ありとあらゆる光部品を作り込もうとするものだ。(2018/5/11)

アナログ積和演算で高効率:
畳み込みをアナログで、エッジでも推論できるチップ
半導体エネルギー研究所は、「第2回 AI・人工知能 EXPO」で、同社が開発を進める酸化物半導体LSI「OSLSI」を活用したAI(人工知能)チップを紹介した。エッジデバイス上でニューラルネットワークを高効率、低消費電力に実行可能だとする。(2018/4/5)



2013年のα7発売から5年経ち、キヤノン、ニコン、パナソニック、シグマがフルサイズミラーレスを相次いで発表した。デジタルだからこそのミラーレス方式は、技術改良を積み重ねて一眼レフ方式に劣っていた点を克服してきており、高級カメラとしても勢いは明らかだ。

言葉としてもはや真新しいものではないが、半導体、デバイス、ネットワーク等のインフラが成熟し、過去の夢想であったクラウドのコンセプトが真に現実化する段階に来ている。
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これからの世の中を大きく変えるであろうテクノロジーのひとつが自動運転だろう。現状のトップランナーにはIT企業が目立ち、自動車市場/交通・輸送サービス市場を中心に激変は避けられない。日本の産業構造にも大きな影響を持つ、まさに破壊的イノベーションとなりそうだ。