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» 2006年07月29日 07時41分 UPDATE

Samsung、3倍速い高密度/高性能のフラッシュカード開発

MLC NANDフラッシュメモリをベースとした8GバイトのMMCplusカードと、性能を従来の3倍に高めたSLC NANDフラッシュベースのMMCカードを発売する。

[ITmedia]
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 Samsung Electronicsは7月27日、フラッシュベースの高密度MMCカードと、読み取り/記録速度を高めた高性能MMCカードを開発したと発表した。

 高密度MMCカードは同社最先端のMLC(multi-level cell) NANDフラッシュメモリをベースとして開発。8GバイトのMMCplusカードを発売予定で、MP3形式の音楽なら2000曲分、DVD品質の映画なら8時間分を記録できる。

 SLC(single-level cell) NANDフラッシュをベースとした高性能MMCカードは、従来型の小型メモリカードに比べて性能を3倍に高め、読み取り速度が毎秒40Mバイト、書き込み速度は同25Mバイトを実現した。MP3ファイルなら毎秒6本、DVD品質の映画なら1分足らずで2時間分の記録ができる。容量は1Gバイトと2Gバイトの製品を発売する。

 いずれも今年下半期に発売予定。

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