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» 2007年06月16日 08時19分 公開

Samsung、テキサス州の半導体工場を増設

年内に16ギガビットNAND型フラッシュメモリの生産を開始し、2008年中にはウエハー月産6万枚を目指すという。

[ITmedia]

 韓国Samsungは6月14日、米テキサス州オースティンに35億ドルを投じて建設した、300ミリNAND型フラッシュメモリウエハー工場のオープニングセレモニーを行った。

 新工場は160万平方フィートで、フットボール場9個分の広さ。米国内の半導体工場としてはトップクラスの規模となる。最初に製造される製品は、50ナノメートル(nm)プロセス技術による16ギガビットのNAND型フラッシュメモリの予定。工場は年内に生産を開始し、2008年中にはウエハー月産6万枚を目指すという。

 新工場は、97年に完成した同社の200ミリウエハー工場に隣接する。既存工場では今後も継続してDRAM製造を行う予定だ。

 Samsungが韓国外で運営する半導体工場はオースティン工場のみ。

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