Samsung、テキサス州の半導体工場を増設

[ITmedia]

　韓国Samsungは6月14日、米テキサス州オースティンに35億ドルを投じて建設した、300ミリNAND型フラッシュメモリウエハー工場のオープニングセレモニーを行った。

　新工場は160万平方フィートで、フットボール場9個分の広さ。米国内の半導体工場としてはトップクラスの規模となる。最初に製造される製品は、50ナノメートル（nm）プロセス技術による16ギガビットのNAND型フラッシュメモリの予定。工場は年内に生産を開始し、2008年中にはウエハー月産6万枚を目指すという。

　新工場は、97年に完成した同社の200ミリウエハー工場に隣接する。既存工場では今後も継続してDRAM製造を行う予定だ。

　Samsungが韓国外で運営する半導体工場はオースティン工場のみ。