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「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「SiC」に関する情報が集まったページです。

X線自由電子レーザーの利用拡大:
SiC-MOSFETを活用した4象限電源、理研などが開発
理化学研究所(理研)とニチコンらの共同研究グループは、SiC(炭化ケイ素)-MOSFETを用いることで、高い出力と安定性を両立させつつ、出力電流の方向や大きさを広い範囲で変更できるパルス電源を開発した。(2018/6/20)

オンセミ FFSHx0120、FFSHx065:
AEC-Q101車載グレードのSiCショットキーダイオード
オン・セミコンダクターは、車載用規格AEC-Q101に準拠したSiC(炭化ケイ素)ショットキーダイオード「FFSHx0120」「FFSHx065」を発表した。逆回復電流がなく、スイッチング性能は温度に依存しない。(2018/6/15)

本気の日産 不参戦のトヨタ、ホンダ:
フォーミュラE参戦に見る「仁義なきEV主導権争い」
「電気のF1」と呼ばれ、電気自動車推進のツールとなっているフォーミュラE。メルセデス、BMW、アウディの「ドイツ御三家」などが参加する一方、日本勢のトヨタ、ホンダは不参加。そこで繰り広げられる「EV主導権争い」の実情とは――。(2018/6/8)

GaNパワーデバイス:
ロームとGaN Systemsが協業、将来的に共同生産も
ロームとGaN Systems(ガンシステムズ)は2018年6月5日、GaN(窒化ガリウム)パワーデバイス事業における協業を開始したと発表した。(2018/6/5)

やるな浅草線 いよっ! 都営浅草線に歌舞伎モチーフの新型車両「5500形」登場、6月30日運行開始
車内設備も「より快適」に。(2018/5/24)

究極のパワーデバイスにまた一歩:
金沢大など、ダイヤの高速異方性エッチング技術を開発
金沢大学は2018年5月1日、産業技術総合研究所(産総研)との共同で、ダイヤモンドの高速・異方性エッチング技術を開発したと発表した。ダイヤモンドは究極のパワーデバイス材料であり、同技術によって超低損失なダイヤモンドパワーデバイスの開発に貢献するという。(2018/5/2)

新パッケージLV100採用品も:
パワーモジュールのSiC化に注力、三菱電機
三菱電機は「TECHNO-FRONTIER 2018(テクノフロンティア)」(2018年4月18〜20日、幕張メッセ)で、SiCパワーモジュール製品群などを展示した。(2018/5/2)

今後は、より高耐圧、高出力に:
SiC/GaN向け非対称出力DC-DCコンなどを展示 RECOM
RECOMグループのRECOM ASIAは「TECHNO-FRONTIER 2018(テクノフロンティア)」で、IGBTやSiC、GaNゲートドライバ回路向けのDC-DCコンバーターなどを展示した。(2018/4/26)

GaNやSiCの長所をさらに生かす:
電源モジュールを小型、高効率化するパッケージ技術
太陽誘電は「TECHNO-FRONTIER 2018(テクノフロンティア)」(2018年4月18〜20日、幕張メッセ)で、パッケージ技術「Power Overlay(POL)」を紹介した。(2018/4/20)

TECHNO-FRONTIER 2018レポート:
高効率なモーター開発を支える、横河の最新計測器
横河計測は「TECHNO-FRONTIER 2018(テクノフロンティア2018)」で、より高効率のモーター開発を支援する最新の計測器を展示した。±0.04%の電力基本確度を持つパワーアナライザーや、SiCインバーター回路の測定など向けに、多点測定が行えるアナログ8チャンネルオシロ、CAN FD信号からアナログ信号をリアルタイムでデコードできる新モジュールなどが並んだ。(2018/4/20)

大電流・高電圧のIV測定に対応:
SiC/GaNデバイスを測定、シミュモデルの開発が容易に
キーサイト・テクノロジーは、「TECHNO-FRONTIER 2018(テクノフロンティア)」で、最新パワー半導体のモデルパラメーター抽出に必要な測定を効率的に行うことができるシステムを紹介した。(2018/4/20)

GaN/SiC搭載の電源設計を最適化:
新型プローブとオシロで、詳細にパワー測定
テクトロニクスは、「TECHNO-FRONTIER 2018(テクノフロンティア)」で、オシロスコープと新型プローブを用いたパワー測定/解析ソリューションなどを展示した。(2018/4/19)

6インチウエハーへの移行も開始:
600億円の投資を始めるローム、SiCでトップ狙う
ロームは2018年4月10日、SiC(炭化ケイ素)パワーデバイスに関する成長戦略を説明した。2025年に市場トップとなる市場シェア30%の獲得を目指し、累積で約600億円の投資を行う方針だ。(2018/4/12)

車載半導体:
車載用SiCパワーデバイスの採用拡大が見えてきた、積極的な欧米自動車メーカー
ロームのグループ会社であるローム・アポロは、筑後工場にSiC(炭化ケイ素)パワーデバイスを生産する建屋を新設する。2025年まで積極的な設備投資を行い、SiCパワーデバイスの市場拡大の中でシェアを広げていく。(2018/4/11)

テクノフロンティア 2018 開催直前情報:
産業機器の省電力化に焦点、SiC最新製品などを展示 ローム
ロームは「TECHNO-FRONTIER 2018(テクノフロンティア)」(2018年4月18〜20日、幕張メッセ)で、「SMART INDUSTRIES BY ROHM TECHNOLOGIES」をテーマに掲げる。SiCパワーデバイスの最新ラインアップや、アナログ技術を駆使して超高降圧比を実現する「Nano Pulse Control」技術のデモなどを展示する。(2018/4/6)

テクノフロンティア 2018 開催直前情報:
電力変換装置の損失計測を強力にサポート 日置電機
日置電機は「TECHNO-FRONTIER 2018(テクノフロンティア)」(2018年4月18〜20日、幕張メッセ)で、「電力変換装置の損失計測を強力にサポート」をテーマに展示を行う。200Mサンプル/秒を実現した、多チャンネル損失評価が行えるメモリハイコーダー「MR6000」や、SiC搭載インバーターの電力測定を高精度に行えるパワーアナライザー「PW6001」などを出展する。(2018/4/2)

テクノフロンティア 2018 開催直前情報:
モーター制御の高効率化に貢献する計測システムを展示 横河計測
横河計測は「TECHNO-FRONTIER 2018(テクノフロンティア)」(2018年4月18〜20日、幕張メッセ)で、「モーター制御の高精度、高効率化に貢献する計測ソリューション」をテーマに最新の計測器を展示する。「SiCデバイスの高速スイッチング動作タイミング測定」など、より具体的な用途での測定方法をデモする。(2018/3/30)

リテルヒューズ LSIC1MO120E01x0:
低オン抵抗の1200V耐圧SiC MOSFET新シリーズ
リテルヒューズは、1200VのNチャンネルエンハンスモードSiC MOSFET「LSIC1MO120E0120」シリーズと「LSIC1MO120E0160」シリーズを、2018年3月中旬から販売する。(2018/3/28)

富士経済 次世代パワー半導体市場調査:
順調な伸びを見せる次世代パワー半導体、自動車の電化も追い風に
SiCパワー半導体市場は堅調に成長しており、2017年には275億円にまで拡大。電化が進む自動車や産業機器への採用も見込まれることから、市場は2030年に2270億円まで拡大する見込み。富士経済調べ。(2018/3/26)

オンセミ 650V SiCダイオード:
電力密度を高める650V SiCショットキーダイオード
オン・セミコンダクターは、650Vシリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオードファミリーを同社製品ラインアップに追加する。動力損失を減らし、デバイスのパラレル化を支援することで、スイッチング性能を向上できる。(2018/3/16)

省エネ、自動運転などに期待:
パワー半導体市場、2030年に4兆6000億円台へ
富士経済は、2030年までのパワー半導体市場を予測した。SiC(炭化ケイ素)/GaN(窒化ガリウム)パワー半導体は、情報通信機器分野を中心に引き続き需要が拡大する。これに加え今後は、エネルギー分野や自動車・電装システム分野での伸びが期待される。(2018/3/14)

投資と買収でパワー半導体を強化:
生産ラインでコスト競争力を生む LittelfuseのSiC
保護素子を事業の核としているLittelfuseは近年、パワー半導体事業にも注力している。投資や買収によって、SiCパワーデバイスなどのパワー半導体製品のラインアップ拡充を図っている。同社のオートモーティブ・エレクトロニクス担当マーケティングディレクターを務めるCarlos Castro氏が、事業戦略について説明した。(2018/3/13)

Wolfspeedの事業を強化:
CreeがInfineonのRFパワー事業を買収
Creeが、Infineon TechnologiesのRFパワー事業を約4億3000万米ドルで買収したと発表した。(2018/3/12)

次期社長兼CEOらが戦略説明:
有機的成長を図るST、2018年日本市場で2桁成長へ
STMicroelectronics(以下、ST)は2018年3月、同社社長兼最高経営責任者(CEO)のCarlo Bozotti氏と、次期社長兼CEO(2018年第2四半期就任予定)のJean-Marc Chery氏が出席し、都内で会見を開催し、成長戦略などを説明した。(2018/3/12)

SiC/GaNパワーデバイス向け:
ロゴスキーコイル電流プローブ、6機種を追加
岩崎通信機は、SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)を用いたパワーデバイスの電流測定に向けた「ロゴスキーコイル電流プローブ」として、新たに2シリーズ6機種を発表した。(2018/3/9)

電力供給:
直流送電の電力変換ロスを半減、洋上風力の高効率・小型化に
三菱電機は、SiCパワー半導体モジュールを活用した交直流変換器セルの技術検証を世界で初めて(同社調べ)実施した。本技術により、洋上風力発電プラットフォームなどの送電効率改善や、省スペース化に貢献するという。(2018/2/20)

リテルヒューズ GEN2シリーズ:
全容量電荷47〜115nCのSiCショットキーダイオード
リテルヒューズは、シリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオード「GEN2」シリーズに、定格電流8〜20Aの新製品4種を追加した。スイッチング損失が少ないため、逆方向スイッチングのストレスを低減できる。(2018/2/7)

電子ブックレット:
SiCデバイスの開発を加速するリテルヒューズ
アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、SiCパワーデバイスの開発を加速する“第3勢力”として名乗りを上げたリテルヒューズの戦略を紹介します。(2018/2/4)

「世界最高の定格出力密度」:
三菱電機、6.5kV耐圧のフルSiCモジュールを開発
三菱電機は2018年1月31日、シリコンによる従来のパワー半導体モジュールよりも定格出力密度を1.8倍に高めた6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュールを開発したと発表した。ダイオードを内蔵したSiC-MOSFETを採用し、小型サイズを実現している。(2018/2/1)

設計工数や負荷、コストを削減:
車載向けオペアンプ、ノイズ設計フリーを実現
ロームは、「オートモーティブ ワールド 2018」で、未来のクルマの「安全」「快適」「環境」を実現するためのSiCパワーデバイスやオペアンプIC、オーディオシステム向けソリューションなどを紹介した。(2018/1/23)

SiCダイオードも18年中に発表:
EV用パワー半導体「全てそろえている」 オンセミ
オン・セミコンダクターは「第10回 国際カーエレクトロニクス技術展」(2018年1月17〜19日、東京ビッグサイト)で、電気自動車(EV)やハイブリッド自動車(HEV)向けのパワー半導体などを展示。EVやHEVに必要な製品をほぼ全てそろえていると強調した。(2018/1/18)

トレックス・セミコンダクター 代表取締役社長 芝宮孝司氏:
PR:工場を持つファブレス電源ICメーカーとして、自動車/産機/IoT市場に攻勢
電源IC専門メーカーであるトレックス・セミコンダクターは、低消費電力、小型、低ノイズに特長を持つ電源ICの展開を民生機器から自動車、産業機器、IoT、医療市場へと広げている。2016年には、半導体受託製造専門のフェニテックセミコンダクターを子会社化し、自動車/産機市場で求められる品質、長期供給により応えやすい体制を構築した。「ファブレスのトレックス、ファウンドリーのフェニテックとして自立しつつも、うまく連携し、トレックスグループとして成長を目指す」とするトレックス・セミコンダクター社長の芝宮孝司氏に事業戦略を聞いた。(2018/1/16)

KABRAプロセスで加工:
8インチSiCインゴッドに対応、レーザーソー
ディスコは、KABRA(カブラ)プロセスを採用した、直径8インチSiC(炭化ケイ素)インゴッドに対応するレーザーソー「DAL7440」を開発した。(2018/1/11)

材料技術:
従来比6万倍の速さで自己修復するセラミックス、人間の骨と同じ治り方だった
物質・材料研究機構は、自己修復するセラミックスの修復速度が最速で従来比6万倍になり、発生した亀裂を1分で修復できる技術を開発。航空機エンジンのタービンなどに用いられている金属材料をセラミックスに代替でき、大幅な軽量化によるCO2排出量の削減につなげられるという。その修復プロセスは、人間の骨と同じだった。(2017/12/28)

編集部が独断と偏見で選ぶ:
2017年のエレクトロニクス業界を記事で振り返る
2017年のエレクトロニクス業界を、EE Times Japanに掲載した記事で振り返ります。(2017/12/27)

新構造のSWITCH-MOSを開発:
耐圧1200V級のオールSiCモジュールを可能に
産業技術総合研究所(産総研)の研究グループらは、耐圧1200V級のショットキーバリアダイオード内蔵SiC(炭化ケイ素)トランジスターを開発し、量産試作品レベルでその性能や信頼性を実証した。【訂正】(2017/12/26)

専用の高周波電源を開発:
SiC素材を同時に40枚加工、放電スライス装置
三菱電機は、「SEMICON Japan 2017」で、SiC(炭化ケイ素)インゴッドをウエハースライス加工するためのマルチワイヤー放電スライス加工機を紹介した。(2017/12/25)

福田昭のデバイス通信(127) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(3):
ISSCC技術講演の初日午後ハイライト(その2)、超高速無線LANや測距イメージセンサーなど
「ISSCC 2018」技術講演の初日(2018年2月12日)。午後のハイライトとして、ミリ波無線、イメージセンサー、超高速有線通信をテーマにした注目論文を紹介する。ミリ波無線では「IEEE 802.11ad」に準拠した送受信回路チップが登場。イメージセンサーでは、ソニーやパナソニックが研究成果を披露する。有線通信では、PAM-4によって100Gビット/秒の通信速度を実現できる回路が発表される。(2017/12/21)

IHSアナリスト「未来展望」(7):
変わる自動車業界、電子化の加速で競争は新たなステージへ
ADAS(先進運転支援システム)や自動運転といったトレンドにより、自動車に搭載される半導体は増加の一途をたどるばかりだ。これは同時に、新規プレイヤーの参入や、自動車産業の構造の変化などをもたらしている。自動車業界での競争は今、どう変わりつつあるのか。(2017/12/19)

切断加工時間はわずか17分:
SiCインゴットのスライス加工、完全自動化へ
ディスコは、「SEMICON Japan 2017」で、KABRAプロセスによるSiCインゴッドスライス工程を全自動化した装置などを実機展示した。(2017/12/15)

高出力GaN-HEMTアンプに向けて:
SiCと単結晶ダイヤモンドの常温接合に成功
富士通と富士通研究所は2017年12月7日、SiC(炭化ケイ素)基板に単結晶ダイヤモンドを常温で接合する技術を開発したと発表した。GaN(窒化ガリウム)を用いたHEMT(高電子移動度トランジスタ)パワーアンプの放熱性を高めることのできる技術で、GaN-HEMTの高出力化への貢献が期待される。(2017/12/11)

太陽光:
中型の太陽光発電向け、10kVAの壁掛けパワコン
GSユアサは壁掛けタイプの新型パワーコンディショナーの販売を開始。出力10kVAで、中型の太陽光発電に向くという。(2017/12/11)

理にかなった相手だった:
インドEVメーカーと技術提携したルネサスの狙い
インドの電気自動車(EV)メーカーMahindra & Mahindraのマヒンドラ・レーシング・フォーミュラEチームと技術提携を発表したルネサス エレクトロニクス。世界的には、まだ名を知られていないインドのメーカーと提携した狙いはどこにあるのか。(2017/12/7)

電気自動車:
トヨタは電気自動車「eQ」で何を反省したか、今後に何を生かすのか
「ハイブリッド車で20年間培ってきた要素技術が、EV開発での競争力の源泉になる」と繰り返し説明してきたトヨタ自動車。2017年11月27日に開催した技術説明会で、あらためて電動化に対する取り組みを語った。(2017/12/1)

ウエハー研磨工程:
日立金属、ロームからSiC製造の一部を受託へ
日立金属は2017年11月9日、ロームからSiC(炭化ケイ素)パワー半導体ウエハーの製造プロセスの一部(研磨工程)を受託する方針を明らかにした。(2017/11/10)

リテルヒューズ LSIC1MO120E0080シリーズ:
高速スイッチングを達成、定格1200VのSiC MOSFET
リテルヒューズは、定格電圧1200VのSiC MOSFET「LSIC1MO120E0080」シリーズを発売した。定格電流は25Aで、通常オン抵抗は80mΩ、最大150℃の温度で動作する。(2017/11/2)

ビシェイ SiC46X:
最大10A対応、100W出力の同期降圧レギュレーター
ビシェイ・インターテクノロジーは、同期降圧レギュレーター「microBUCK」の新製品として、2〜10A出力の「SiC46X」ファミリーを発表した。4.5〜60Vの幅広い入力電圧に対応し、100W以上の出力電力を可能にした。(2017/10/30)

東京モーターショー 2017:
デンソー有馬社長、EV注力ながら「ガソリンも継続」
デンソーが「電動化」「自動運転」に向けて加速する。2020年までの3年間で5000億円を投じるが、「ガソリンも続ける」と有馬社長は慎重な姿勢を見せる。(2017/10/27)

矢野経済研究所が予測:
次世代半導体材料、2023年に153億円規模へ
SiC(炭化ケイ素)などワイドバンドギャップ半導体単結晶の国内市場(メーカー出荷金額)は、2017年の約96億円に対し、2023年は約153億円に拡大する見通しとなった。(2017/10/24)

熱伝導率130W/m・Kを実現:
パワーモジュール用高熱伝導窒化ケイ素基板開発
日立金属は2017年10月、電気自動車やハイブリッド自動車、産業機器などに搭載されるパワーモジュール向けの高熱伝導窒化ケイ素基板を開発した。高い熱伝導率と機械的特性を両立している。(2017/10/18)



ビットコインの大暴騰、「億り人」と呼ばれる仮想通貨長者の誕生、マウントゴックス以来の大事件となったNEM流出など、派手な話題に事欠かない。世界各国政府も対応に手を焼いているようだが、中には政府が公式に仮想通貨を発行する動きも出てきており、国家と通貨の関係性にも大きな変化が起こりつつある。

Amazonが先鞭をつけたAIスピーカープラットフォーム。スマホのアプリが巨大な市場を成したように、スマートスピーカー向けのスキル/アプリ、関連機器についても、大きな市場が生まれる可能性がある。ガジェットフリークのものと思われがちだが、画面とにらめっこが必要なスマホよりも優しいUIであり、子どもやシニアにもなじみやすいようだ。

「若者のテレビ離れが進んでいる」と言われるが、子どもが将来なりたい職業としてYouTuberがランクインする時代になった。Twitter上でのトレンドトピックがテレビから大きな影響を受けていることからも、マスメディア代表としてのテレビの地位はまだまだ盤石に感じるが、テレビよりもYouTubeを好む今の子ども達が大きくなっていくにつけ、少なくとも誰もが同じ情報に触れることは少なくなっていくのだろう。