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「SiC」最新記事一覧

FAニュース:
DUVレーザー採用の微細レーザー加工機を発売、最小加工径10μmを実現
三菱重工工作機械は、短パルスのDUVレーザーを採用した微細レーザー加工機の新モデル「ABLASER−DUV」を開発した。最小加工径が10μmとより小さくなり、精密加工の微細化に対応する。(2016/11/25)

機器と研究施設は寄付:
ロームなど、SiC応用の次世代ガン治療器を開発へ
ロームは2016年11月22日、京都府立医科大学、福島SiC応用技研と次世代パワー半導体として注目されるSiCを活用したBNCTに必要な治療機器の研究開発を共同で実施すると発表した。(2016/11/22)

「EyeQ」には7nm FinFETも活用:
次期MCUはFD-SOI、STトップ「シリコン回帰」強調
MEMS製品やARMマイコンに強みを持つSTMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)。同社のCEOであるCarlo Bozotti氏は、FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)などが、他社との差異化技術になると強調する。(2016/11/22)

大いなるポテンシャル:
シリコンが次の手、村田製作所のキャパシター戦略
2016年10月に村田製作所が買収したフランスのIPDiAは、シリコンキャパシターを事業として手掛けるほぼ唯一のメーカーだ。積層セラミックコンデンサーに比べてかなり高価なシリコンキャパシターは、その用途は限られている。それにもかかわらず、なぜ村田製作所はIPDiAの買収に至ったのか。(2016/11/18)

最大3kVまで測定可能:
テクトロ、SiC/GaN用の完全自動テストシステム
テクトロニクスは2016年10月26日、SiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)などの次世代パワー半導体材料での使用に適した、完全自動のテストシステム「S540型」を発表した。(2016/10/27)

太陽誘電がCEATECでプロトタイプを展示:
GE POL用いたパワーモジュール、効率10%向上へ
太陽誘電は、2016年10月4〜7日に幕張メッセで開催された「CEATEC JAPAN 2016」で、研究開発中のGE POL(Power OverLay)パッケージ技術を用いたパワーモジュールの展示を行った。(2016/10/12)

「ラブライブ!」のファイナルライブBDがオリコンで初登場1位 女性アーティストのBDでは歴代4位に
テレビアニメのBD「ラブライブ!サンシャイン!! 1【特装限定版】」も歴代2位に。(2016/10/5)

電気自動車への搭載が加速?:
高出力パワー密度のSiCインバーター、米大学が開発
米大学が、出力パワー密度が12.1kW/LのSiC(炭化ケイ素)インバーターを開発した。全て市販の部品を使って実現している。そのため、専用の部品を開発すれば、出力パワー密度がさらに向上する可能性もある。(2016/9/27)

製品群は「極めて補完的」だが:
オンセミ、フェアチャイルドブランドは維持せず
2016年9月19日(米国時間)に、フェアチャイルド・セミコンダクターの買収完了を発表したオン・セミコンダクター。同社は、“世界初のICメーカー”の名は残さずに製品群を統合していく。(2016/9/23)

CEATEC 2016 開催直前情報:
注目のUSB Type-C関連製品を展示、テクトロニクス
テクトロニクスは、2016年10月4〜7日に開催される「CEATEC JAPAN 2016」で、「IoT」「高効率パワー」「USB Type-C」の3つをテーマに、最新の製品群を展示する。光アイソレーションにより1GHzの周波数帯域と120dBの同相モード除去比を実現した差動プローブや、電波環境をフィールドでモニタリングできるUSBリアルタイム・スペクトラム・アナライザーを紹介する。(2016/9/16)

SiCはシリコンデバイス採用のトリガー:
“後発・ローム”がパワーデバイスで成長できる理由
ロームはパワーMOSFETやIGBTなどのパワーデバイス分野で売り上げ規模を拡大させている。パワーデバイス市場では、後発のローム。なぜ、後発ながら、自動車や産業機器などの領域でビジネスを獲得できているのか。ローム役員に聞いた。(2016/9/15)

試聴動画だけで45分の大盤振る舞い、「ラブライブ!」ファイナルライブBlu-rayが話題
9月28日発売、2日分収録のフルセットは6枚組の超ボリューム。(2016/9/5)

電子ブックレット:
パワー半導体、シリコンの置き換えは何年も先
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回のテーマはパワー半導体。「SiCやGaNを使う次世代パワー半導体に期待はあるが、シリコンから置き換わるのは何年も先だろう」と専門家は見ています。(2016/9/4)

EE Times Japan Weekly Top10:
また、硬い物を切ってしまった……SiCのスライス技術
EE Times Japanで2016年8月20日〜26日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/8/29)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/08/25
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年8月25日)(2016/8/26)

結晶配向情報を高精度に検出:
SiC/GaNウエハーの欠陥解析装置――東陽テクニカ
東陽テクニカは、「イノベーション・ジャパン2016」(2016年8月25〜26日)で、「サブナノ結晶配向情報検出ウエハーマッピング装置」の開発成果を展示した。SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)ウエハー基板の量産化に貢献する品質・信頼性評価技術として期待される。(2016/8/26)

満を持してダイアログが投入:
“オールGaN”のパワーICでアダプターが1/2に小型化
Dialog Semiconductor(ダイアログ・セミコンダクター)が、GaNパワーICを発表した。これによって同社は、GaNパワー半導体市場に本格的に参入する。同社は2016年8月24日、東京都内で記者説明会を開催し、GaNパワーIC「SmartGaN DA8801」の詳細を説明した。(2016/8/26)

高い周波数の差動信号波形も正確に測定:
新型プローブ、これまで見えなかった信号を観測
テクトロニクスは、光アイソレーション型差動プローブ「TIVMシリーズ」6製品の販売を始めた。新製品を用いることで、これまでコモンモードノイズに埋もれて見えなかった信号の観測が可能となる。(2016/8/24)

ディスコ KABRA:
SiCウエハーの高速生産を可能にするスライス技術
ディスコは2016年8月、レーザー加工によるインゴットスライスの新手法「KABRA(カブラ)」プロセスを開発した。ウエハー1枚を切り出すのに必要な加工時間が、2時間から25分へと大幅に短縮。素材ロスも低減し、インゴット1本から取れるウエハーの枚数も増加するという。(2016/8/24)

「究極のパワーデバイス実現へ」:
反転層型ダイヤモンドMOSFETの動作実証に成功
金沢大学理工研究域電子情報学系の松本翼助氏、徳田規夫氏らの研究グループは、「世界初」となるダイヤモンド半導体を用いた反転層チャンネルMOSFETを作製し、動作実証に成功したと発表した。(2016/8/24)

省エネ機器:
超省エネ社会に貢献、「ダイヤモンド」パワーデバイスの実用へ前進
さまざな機器の省エネを実現するとして、高性能化に期待が掛かるパワーデバイス。実用化はまだ先とみられているが、「究極のパワーデバイス材料」として注目されているのがダイヤモンドだ。金沢大学などの共同研究グループは。こうしたダイヤモンド半導体を用いたパワーデバイスの実用化で課題となっていた反転層チャネルMOSFETの作製に成功した。(2016/8/24)

大人と子どもを見分ける「ムーブアイ極」搭載、三菱の新しい「霧ヶ峰」
三菱電機はルームエアコン「霧ヶ峰」の新製品として、温冷感の異なる大人と子どもを見分けて快適性を向上させる新製品「FZシリーズ」および「Zシリーズ」を発表した。(2016/8/23)

業界を革新させるプロセスとなるか:
“他にないスライス技術”がSiCの生産効率を4倍へ
半導体製造装置メーカーであるディスコは、今までにない手法を用いたレーザー加工によるインゴットスライス手法「KABRA(カブラ)」プロセスを開発したと発表した。SiC(炭化ケイ素)ウエハー生産の高速化、取り枚数増を実現し、従来方式と比較して生産性を4倍向上させることが可能という。(2016/8/22)

ディスコ KABRA:
SiCウェーハの高速生産と素材ロス減を実現する新しいインゴットスライス手法
ディスコは、従来にないレーザー加工によるインゴットスライス手法「KABRA(Key Amorphous-Black Repetitive Absorption)」プロセスを開発した。(2016/8/22)

オン・セミコンダクター 副社長 David Somo氏:
PR:強みは5万品種に上る製品群、IoT向けプラットフォーム構築を目指す
2006年以降だけで11件にも及ぶM&Aを実施し、積極的に製品群の拡大を行ってきたオン・セミコンダクター(ON Semiconductor)。手掛ける製品は4万8000品種に上る。広範な製品群を武器に、センサー、マイコン、無線接続機能向けの製品をさらに充実させ、IoT(モノのインターネット)機器開発に向けたプラットフォームを構築するというシナリオを描いている。コーポレートストラテジ&マーケティング担当副社長のDavid Somo氏に同社の技術/製品戦略などについて聞いた。(2016/8/22)

サンケン電気 執行役員兼技術本部副本部長 中道秀機氏:
PR:自動車、産業、Power IoT―― パワエレ総合力を結集し成長市場に挑む
サンケン電気は、IGBT、MOSFETといったパワー半導体素子から、電源ユニットやUPS、パワコンなどの大型機器までを扱う総合パワーエレクトロニクスメーカーとして、自動車をはじめとした成長市場でエコ/省エネを実現する技術、製品の提供を行っている。さらには、間もなく迎えようとしているIoT(モノのインターネット)時代の新たな電源のカタチとして“Power IoT”を提唱。「素子だけでなく、モジュール、システムレベルでの提案が行えるサンケン電気ならではの強みを生かして、Power IoTなどの新しい価値提供を行っていく」という同社執行役員で技術本部副本部長を務める中道秀機氏に、技術/製品開発戦略を聞いた。(2016/8/22)

エアコンの通年エネルギー消費効率向上へ:
三菱電機、SiC-MOSFET搭載の新型IPM
三菱電機は、インバーター駆動用パワー半導体モジュールの新製品として、新開発のSiC(炭化ケイ素)-MOSFETを搭載したインバーター駆動用パワー半導体モジュール「超小型フルSiC DIPIPM」(PSF15S92F6)を発売した。(2016/8/19)

企業動向を振り返る 2016年7月版:
ARMを手中に収めたソフトバンク/アナログ半導体大手ADIが競合リニアを買収
過去1カ月間のエレクトロニクス関連企業の動向をピックアップしてお届け! 2016年7月は、ソフトバンクグループによるARM買収や、Analog DevicesによるLinear Technology買収など、大きな買収劇が繰り広げられました。(2016/8/18)

半導体パッケージ基板向けに:
太陽誘電とGEが電子部品内蔵技術で協業
太陽誘電とGEベンチャーズの両社は2016年7月、2014年末から半導体パッケージ基板などに応用可能なワイヤボンド不要の電子部品内蔵基板技術分野で協業していることを明らかにした。(2016/7/26)

車載半導体:
電気自動車にSiCパワー半導体を採用するなら、電池容量は60kWhが目安
インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは、2016年内に買収を完了する予定のWolfspeedと創出していくシナジーについて説明した。同社は、発電や電気自動車のインバータに向けたSiCパワー半導体や、5G通信の普及をにらんだGaN-on-SiCウエハーのRFパワー半導体を強みとする。(2016/7/26)

SiCウエハー製造でもシェアを追う方針:
Infineonによる“CreeのSiC事業買収”の狙い
Infineon Technologiesは2016年7月21日、このほど発表したCreeのSiCウエハー/デバイス事業に関する説明を行い、SiCデバイスとともに、SiCウエハーの外販を強化していく方針を明らかにした。(2016/7/22)

アルミニウムの耐熱性に着目:
SiCパワー半導体が300℃でも動作する基板構造
昭和電工と大阪大学の菅沼克昭氏が推進するプロジェクトは2016年7月19日、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体が300℃の高温域においても安定的に動作する基板構造を開発したと発表した。(2016/7/20)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/07/14
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年7月14日)(2016/7/15)

Creeから分社化したパワー&RF事業:
InfineonがWolfspeedを買収へ、SiC事業を強化
Infineon Technologiesが、米Creeからパワー&RF事業部として分社化したWolfspeedを8億5000万米ドルで買収する。(2016/7/15)

SiC/GaNはこれから:
中国のパワー市場は発展途上でも、日米欧を猛追
中国 上海で開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Asia 2016」では、地元のIGBTデバイス/モジュールメーカーが目立った。専門家は、中国のパワーエレクトロニクス技術は、欧米や日本にまだ及ばないものの、猛スピードで追い上げているという。(2016/7/6)

東芝:
銀座線1000系車両向けに非常走行用電源装置を納入
東芝は、東京地下鉄(東京メトロ)の銀座線1000系車両向けに、リチウムイオン二次電池と充放電制御装置を組み合わせた非常走行用電源装置を納入したと発表した。(2016/7/6)

杉山淳一の「週刊鉄道経済」:
東海道新幹線の新型車両「N700S」はリニア時代の布石
JR東海が東海道新幹線向けに新型電車「N700S」を発表した。最高速度は変わらず、最新技術は省エネルギーと安全性と乗り心地に振り向けられた。さらにN700Sには新たな使命として「標準化車両」というキーワードを与えられている。高品質な車両を国内外問わず提供するという。しかし本音は「東海道新幹線の変化に対応し、その価値を維持する」ではないか。(2016/7/1)

PCIM Asia 2016 リポート:
中国ではEVと家電向けパワエレを強化、三菱電機
三菱電機の中国法人は、中国 上海で開催されているパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Asia 2016」(2016年6月28〜30日)に出展し、鉄道車両や産業用途、電気自動車(EV)向けのIPM(Intelligent Power Module)やIGBTなどを展示した。(2016/6/30)

Society 5.0を世界に先駆けて実現へ:
産総研、2030年に向けた研究戦略を策定
産業技術総合研究所(産総研)は、2030年に向けた産総研の研究戦略を策定した。2030年の産業像や社会像を見据え、「超スマート社会(Society 5.0)」の実現など、大きく4つの研究目標を定め開発に取り組む。(2016/6/30)

省エネ機器:
次期新幹線は電力消費量を7%削減、駆動システムとバッテリーを小型・軽量に
JR東海は2020年度に投入する次期新幹線の車両製作に着手する。東海道・山陽新幹線の主力車両「N700系」をフルモデルチェンジして電力消費量を7%削減する計画だ。中核の駆動システムを小型・軽量化するほか、リチウムイオンバッテリーを採用して停電時にもトイレを使えるようにする。(2016/6/29)

東海道・山陽新幹線に新型「N700S」 JR東海、2020年度に導入へ
JR東海が東海道・山陽新幹線の新型車両「N700S」を2020年度に導入する方針を発表。小型・軽量化を進めるほか、ブレーキシステムなど安全面の機能を強化する。(2016/6/24)

JR東海が新たな新幹線「N700S」を2020年に投入 新駆動システムで消費電力7%減、全座席にコンセントも
先頭形状は「N700」を踏襲しながら“翼を広げたような形”に。(2016/6/24)

Bellnix RxxP22005D/RKZ-xx2005D:
+20/−5V出力のSiC MOSFET用絶縁型DC-DCコンバーター
ベルニクスは、SiC MOSFET用として+20/−5V出力の絶縁型DC-DCコンバーター「RxxP22005D」「RKZ-xx2005D」シリーズの販売を開始した。(2016/6/17)

蓄電・発電機器:
停電しても最寄駅まで走れる、銀座線に東芝製の蓄電池を搭載
一般的な鉄道車両は架線から得た電力で走行する。では、もし災害時などに電力が遮断された場合はどうすればよいのかーー。こうした非常時に有効な東芝製の非常用電源装置を東京メトロの銀座線1000系が採用した。停電しても最寄り駅まで乗客を運ぶ電力を賄えるという。(2016/6/16)

STMicroelectronics AEC-Q101:
EV/HEV向けSiCパワー半導体およびAEC-Q101認定取得スケジュールを発表
STマイクロエレクトロニクスは、ハイブリッド自動車と電気自動車向けに、高効率なSiCパワー半導体を発表。同時に、車載用製品規格「AEC-Q101」の認定取得スケジュールを公表している。(2016/6/15)

PCIM Europe 2016:
SiC技術、成熟期はすぐそこに――ローム
パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、ROHM SemiconductorはSiCパワーデバイスの製品群を展示した。コスト面ではシリコンに比べて不利なSiCだが、業界では6インチウエハーへの移行も始まっていて、低コスト化が進むと期待されている。(2016/6/13)

SiC/GaNに期待はあれど:
パワー半導体、シリコンの置き換えは何年も先
ドイツで開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2016」では、SiCとGaNを用いたパワー半導体が多く展示された。パワーエレクトロニクス業界に40年以上身を置く、ECPE(European Center for Power Electronics)のプレジデントを務めるLeo Lorenz氏に、現在のパワー半導体の動向について話を聞いた。(2016/6/13)

ベルニクス RxxP22005D/RKZ-xx2005D:
+20/−5VのSiC MOSFET用DC-DCコンバーター
ベルニクスは2016年5月、SiC MOSFETを効率良くスイッチできる絶縁型DC-DCコンバーター「RxxP22005D」「RKZ-xx2005D」シリーズを発売した。(2016/6/6)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/06/02
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年6月2日)(2016/6/3)

STマイクロエレクトロニクス:
SiCパワー半導体製造を6インチウエハーに移行へ
STマイクロエレクトロニクスは、ハイブリッド自動車と電気自動車向けのSiCパワー半導体とAEC-Q101認定取得スケジュールを発表した。2016年末までに6インチウエハーへ移行する。(2016/6/1)



多くの予想を裏切り、第45代アメリカ合衆国大統領選挙に勝利。貿易に関しては明らかに保護主義的になり、海外人材の活用も難しくなる見込みであり、特にグローバル企業にとっては逆風となるかもしれない。

携帯機としても据え置き機としても使える、任天堂の最新ゲーム機。本体+ディスプレイ、分解可能なコントローラ、テレビに接続するためのドックといった構成で、特に携帯機としての複数人プレイの幅が広くなる印象だ。

アベノミクスの中でも大きなテーマとされている働き方改革と労働生産性の向上。その実現のためには人工知能等も含むITの活用も重要であり、IT業界では自ら率先して新たな取り組みを行う企業も増えてきている。