ITmedia総合  >  キーワード一覧  >  S

  • 関連の記事

「SiC」最新記事一覧

製品群は「極めて補完的」だが:
オンセミ、フェアチャイルドブランドは維持せず
2016年9月19日(米国時間)に、フェアチャイルド・セミコンダクターの買収完了を発表したオン・セミコンダクター。同社は、“世界初のICメーカー”の名は残さずに製品群を統合していく。(2016/9/23)

CEATEC 2016 開催直前情報:
注目のUSB Type-C関連製品を展示、テクトロニクス
テクトロニクスは、2016年10月4〜7日に開催される「CEATEC JAPAN 2016」で、「IoT」「高効率パワー」「USB Type-C」の3つをテーマに、最新の製品群を展示する。光アイソレーションにより1GHzの周波数帯域と120dBの同相モード除去比を実現した差動プローブや、電波環境をフィールドでモニタリングできるUSBリアルタイム・スペクトラム・アナライザーを紹介する。(2016/9/16)

SiCはシリコンデバイス採用のトリガー:
“後発・ローム”がパワーデバイスで成長できる理由
ロームはパワーMOSFETやIGBTなどのパワーデバイス分野で売り上げ規模を拡大させている。パワーデバイス市場では、後発のローム。なぜ、後発ながら、自動車や産業機器などの領域でビジネスを獲得できているのか。ローム役員に聞いた。(2016/9/15)

試聴動画だけで45分の大盤振る舞い、「ラブライブ!」ファイナルライブBlu-rayが話題
9月28日発売、2日分収録のフルセットは6枚組の超ボリューム。(2016/9/5)

電子ブックレット:
パワー半導体、シリコンの置き換えは何年も先
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回のテーマはパワー半導体。「SiCやGaNを使う次世代パワー半導体に期待はあるが、シリコンから置き換わるのは何年も先だろう」と専門家は見ています。(2016/9/4)

EE Times Japan Weekly Top10:
また、硬い物を切ってしまった……SiCのスライス技術
EE Times Japanで2016年8月20日〜26日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/8/29)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/08/25
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年8月25日)(2016/8/26)

結晶配向情報を高精度に検出:
SiC/GaNウエハーの欠陥解析装置――東陽テクニカ
東陽テクニカは、「イノベーション・ジャパン2016」(2016年8月25〜26日)で、「サブナノ結晶配向情報検出ウエハーマッピング装置」の開発成果を展示した。SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)ウエハー基板の量産化に貢献する品質・信頼性評価技術として期待される。(2016/8/26)

満を持してダイアログが投入:
“オールGaN”のパワーICでアダプターが1/2に小型化
Dialog Semiconductor(ダイアログ・セミコンダクター)が、GaNパワーICを発表した。これによって同社は、GaNパワー半導体市場に本格的に参入する。同社は2016年8月24日、東京都内で記者説明会を開催し、GaNパワーIC「SmartGaN DA8801」の詳細を説明した。(2016/8/26)

高い周波数の差動信号波形も正確に測定:
新型プローブ、これまで見えなかった信号を観測
テクトロニクスは、光アイソレーション型差動プローブ「TIVMシリーズ」6製品の販売を始めた。新製品を用いることで、これまでコモンモードノイズに埋もれて見えなかった信号の観測が可能となる。(2016/8/24)

ディスコ KABRA:
SiCウエハーの高速生産を可能にするスライス技術
ディスコは2016年8月、レーザー加工によるインゴットスライスの新手法「KABRA(カブラ)」プロセスを開発した。ウエハー1枚を切り出すのに必要な加工時間が、2時間から25分へと大幅に短縮。素材ロスも低減し、インゴット1本から取れるウエハーの枚数も増加するという。(2016/8/24)

「究極のパワーデバイス実現へ」:
反転層型ダイヤモンドMOSFETの動作実証に成功
金沢大学理工研究域電子情報学系の松本翼助氏、徳田規夫氏らの研究グループは、「世界初」となるダイヤモンド半導体を用いた反転層チャンネルMOSFETを作製し、動作実証に成功したと発表した。(2016/8/24)

省エネ機器:
超省エネ社会に貢献、「ダイヤモンド」パワーデバイスの実用へ前進
さまざな機器の省エネを実現するとして、高性能化に期待が掛かるパワーデバイス。実用化はまだ先とみられているが、「究極のパワーデバイス材料」として注目されているのがダイヤモンドだ。金沢大学などの共同研究グループは。こうしたダイヤモンド半導体を用いたパワーデバイスの実用化で課題となっていた反転層チャネルMOSFETの作製に成功した。(2016/8/24)

大人と子どもを見分ける「ムーブアイ極」搭載、三菱の新しい「霧ヶ峰」
三菱電機はルームエアコン「霧ヶ峰」の新製品として、温冷感の異なる大人と子どもを見分けて快適性を向上させる新製品「FZシリーズ」および「Zシリーズ」を発表した。(2016/8/23)

業界を革新させるプロセスとなるか:
“他にないスライス技術”がSiCの生産効率を4倍へ
半導体製造装置メーカーであるディスコは、今までにない手法を用いたレーザー加工によるインゴットスライス手法「KABRA(カブラ)」プロセスを開発したと発表した。SiC(炭化ケイ素)ウエハー生産の高速化、取り枚数増を実現し、従来方式と比較して生産性を4倍向上させることが可能という。(2016/8/22)

ディスコ KABRA:
SiCウェーハの高速生産と素材ロス減を実現する新しいインゴットスライス手法
ディスコは、従来にないレーザー加工によるインゴットスライス手法「KABRA(Key Amorphous-Black Repetitive Absorption)」プロセスを開発した。(2016/8/22)

オン・セミコンダクター 副社長 David Somo氏:
PR:強みは5万品種に上る製品群、IoT向けプラットフォーム構築を目指す
2006年以降だけで11件にも及ぶM&Aを実施し、積極的に製品群の拡大を行ってきたオン・セミコンダクター(ON Semiconductor)。手掛ける製品は4万8000品種に上る。広範な製品群を武器に、センサー、マイコン、無線接続機能向けの製品をさらに充実させ、IoT(モノのインターネット)機器開発に向けたプラットフォームを構築するというシナリオを描いている。コーポレートストラテジ&マーケティング担当副社長のDavid Somo氏に同社の技術/製品戦略などについて聞いた。(2016/8/22)

サンケン電気 執行役員兼技術本部副本部長 中道秀機氏:
PR:自動車、産業、Power IoT―― パワエレ総合力を結集し成長市場に挑む
サンケン電気は、IGBT、MOSFETといったパワー半導体素子から、電源ユニットやUPS、パワコンなどの大型機器までを扱う総合パワーエレクトロニクスメーカーとして、自動車をはじめとした成長市場でエコ/省エネを実現する技術、製品の提供を行っている。さらには、間もなく迎えようとしているIoT(モノのインターネット)時代の新たな電源のカタチとして“Power IoT”を提唱。「素子だけでなく、モジュール、システムレベルでの提案が行えるサンケン電気ならではの強みを生かして、Power IoTなどの新しい価値提供を行っていく」という同社執行役員で技術本部副本部長を務める中道秀機氏に、技術/製品開発戦略を聞いた。(2016/8/22)

エアコンの通年エネルギー消費効率向上へ:
三菱電機、SiC-MOSFET搭載の新型IPM
三菱電機は、インバーター駆動用パワー半導体モジュールの新製品として、新開発のSiC(炭化ケイ素)-MOSFETを搭載したインバーター駆動用パワー半導体モジュール「超小型フルSiC DIPIPM」(PSF15S92F6)を発売した。(2016/8/19)

企業動向を振り返る 2016年7月版:
ARMを手中に収めたソフトバンク/アナログ半導体大手ADIが競合リニアを買収
過去1カ月間のエレクトロニクス関連企業の動向をピックアップしてお届け! 2016年7月は、ソフトバンクグループによるARM買収や、Analog DevicesによるLinear Technology買収など、大きな買収劇が繰り広げられました。(2016/8/18)

半導体パッケージ基板向けに:
太陽誘電とGEが電子部品内蔵技術で協業
太陽誘電とGEベンチャーズの両社は2016年7月、2014年末から半導体パッケージ基板などに応用可能なワイヤボンド不要の電子部品内蔵基板技術分野で協業していることを明らかにした。(2016/7/26)

車載半導体:
電気自動車にSiCパワー半導体を採用するなら、電池容量は60kWhが目安
インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは、2016年内に買収を完了する予定のWolfspeedと創出していくシナジーについて説明した。同社は、発電や電気自動車のインバータに向けたSiCパワー半導体や、5G通信の普及をにらんだGaN-on-SiCウエハーのRFパワー半導体を強みとする。(2016/7/26)

SiCウエハー製造でもシェアを追う方針:
Infineonによる“CreeのSiC事業買収”の狙い
Infineon Technologiesは2016年7月21日、このほど発表したCreeのSiCウエハー/デバイス事業に関する説明を行い、SiCデバイスとともに、SiCウエハーの外販を強化していく方針を明らかにした。(2016/7/22)

アルミニウムの耐熱性に着目:
SiCパワー半導体が300℃でも動作する基板構造
昭和電工と大阪大学の菅沼克昭氏が推進するプロジェクトは2016年7月19日、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体が300℃の高温域においても安定的に動作する基板構造を開発したと発表した。(2016/7/20)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/07/14
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年7月14日)(2016/7/15)

Creeから分社化したパワー&RF事業:
InfineonがWolfspeedを買収へ、SiC事業を強化
Infineon Technologiesが、米Creeからパワー&RF事業部として分社化したWolfspeedを8億5000万米ドルで買収する。(2016/7/15)

SiC/GaNはこれから:
中国のパワー市場は発展途上でも、日米欧を猛追
中国 上海で開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Asia 2016」では、地元のIGBTデバイス/モジュールメーカーが目立った。専門家は、中国のパワーエレクトロニクス技術は、欧米や日本にまだ及ばないものの、猛スピードで追い上げているという。(2016/7/6)

東芝:
銀座線1000系車両向けに非常走行用電源装置を納入
東芝は、東京地下鉄(東京メトロ)の銀座線1000系車両向けに、リチウムイオン二次電池と充放電制御装置を組み合わせた非常走行用電源装置を納入したと発表した。(2016/7/6)

杉山淳一の「週刊鉄道経済」:
東海道新幹線の新型車両「N700S」はリニア時代の布石
JR東海が東海道新幹線向けに新型電車「N700S」を発表した。最高速度は変わらず、最新技術は省エネルギーと安全性と乗り心地に振り向けられた。さらにN700Sには新たな使命として「標準化車両」というキーワードを与えられている。高品質な車両を国内外問わず提供するという。しかし本音は「東海道新幹線の変化に対応し、その価値を維持する」ではないか。(2016/7/1)

PCIM Asia 2016 リポート:
中国ではEVと家電向けパワエレを強化、三菱電機
三菱電機の中国法人は、中国 上海で開催されているパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Asia 2016」(2016年6月28〜30日)に出展し、鉄道車両や産業用途、電気自動車(EV)向けのIPM(Intelligent Power Module)やIGBTなどを展示した。(2016/6/30)

Society 5.0を世界に先駆けて実現へ:
産総研、2030年に向けた研究戦略を策定
産業技術総合研究所(産総研)は、2030年に向けた産総研の研究戦略を策定した。2030年の産業像や社会像を見据え、「超スマート社会(Society 5.0)」の実現など、大きく4つの研究目標を定め開発に取り組む。(2016/6/30)

省エネ機器:
次期新幹線は電力消費量を7%削減、駆動システムとバッテリーを小型・軽量に
JR東海は2020年度に投入する次期新幹線の車両製作に着手する。東海道・山陽新幹線の主力車両「N700系」をフルモデルチェンジして電力消費量を7%削減する計画だ。中核の駆動システムを小型・軽量化するほか、リチウムイオンバッテリーを採用して停電時にもトイレを使えるようにする。(2016/6/29)

東海道・山陽新幹線に新型「N700S」 JR東海、2020年度に導入へ
JR東海が東海道・山陽新幹線の新型車両「N700S」を2020年度に導入する方針を発表。小型・軽量化を進めるほか、ブレーキシステムなど安全面の機能を強化する。(2016/6/24)

JR東海が新たな新幹線「N700S」を2020年に投入 新駆動システムで消費電力7%減、全座席にコンセントも
先頭形状は「N700」を踏襲しながら“翼を広げたような形”に。(2016/6/24)

Bellnix RxxP22005D/RKZ-xx2005D:
+20/−5V出力のSiC MOSFET用絶縁型DC-DCコンバーター
ベルニクスは、SiC MOSFET用として+20/−5V出力の絶縁型DC-DCコンバーター「RxxP22005D」「RKZ-xx2005D」シリーズの販売を開始した。(2016/6/17)

蓄電・発電機器:
停電しても最寄駅まで走れる、銀座線に東芝製の蓄電池を搭載
一般的な鉄道車両は架線から得た電力で走行する。では、もし災害時などに電力が遮断された場合はどうすればよいのかーー。こうした非常時に有効な東芝製の非常用電源装置を東京メトロの銀座線1000系が採用した。停電しても最寄り駅まで乗客を運ぶ電力を賄えるという。(2016/6/16)

STMicroelectronics AEC-Q101:
EV/HEV向けSiCパワー半導体およびAEC-Q101認定取得スケジュールを発表
STマイクロエレクトロニクスは、ハイブリッド自動車と電気自動車向けに、高効率なSiCパワー半導体を発表。同時に、車載用製品規格「AEC-Q101」の認定取得スケジュールを公表している。(2016/6/15)

PCIM Europe 2016:
SiC技術、成熟期はすぐそこに――ローム
パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、ROHM SemiconductorはSiCパワーデバイスの製品群を展示した。コスト面ではシリコンに比べて不利なSiCだが、業界では6インチウエハーへの移行も始まっていて、低コスト化が進むと期待されている。(2016/6/13)

SiC/GaNに期待はあれど:
パワー半導体、シリコンの置き換えは何年も先
ドイツで開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2016」では、SiCとGaNを用いたパワー半導体が多く展示された。パワーエレクトロニクス業界に40年以上身を置く、ECPE(European Center for Power Electronics)のプレジデントを務めるLeo Lorenz氏に、現在のパワー半導体の動向について話を聞いた。(2016/6/13)

ベルニクス RxxP22005D/RKZ-xx2005D:
+20/−5VのSiC MOSFET用DC-DCコンバーター
ベルニクスは2016年5月、SiC MOSFETを効率良くスイッチできる絶縁型DC-DCコンバーター「RxxP22005D」「RKZ-xx2005D」シリーズを発売した。(2016/6/6)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/06/02
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年6月2日)(2016/6/3)

STマイクロエレクトロニクス:
SiCパワー半導体製造を6インチウエハーに移行へ
STマイクロエレクトロニクスは、ハイブリッド自動車と電気自動車向けのSiCパワー半導体とAEC-Q101認定取得スケジュールを発表した。2016年末までに6インチウエハーへ移行する。(2016/6/1)

絶縁型モーター制御デバイスのリーダー「Avago」が生まれ変わった:
PR:高効率モーター駆動に向けて革新的製品を生み続ける新生Broadcomに迫る
高効率化に向けて、最新のモーター駆動/制御技術が集結した展示会「TECHNO-FRONTIER 2016 第34回モータ技術展」の中でも、ひときわ大きな注目を集めたのが2016年2月にAvago Technologiesから社名変更したBroadcomのブースだ。ここでは、注目を集めたSiC/GaNパワーデバイスに対応する次世代型アイソレーションデバイスや新コンセプトのエンコーダーなど、新生Broadcomのモーター駆動/制御向けデバイスを詳しく紹介していこう。(2016/5/30)

省エネ機器:
「グローバル環境先進企業」を目指す三菱電機、総合電機の幅を生かし開発加速
三菱電機は、家庭から宇宙までの幅広い製品分野を持つ強みを生かし、事業部や製品を横断したソリューションを提案することで、エネルギー産業において差別化につなげていく方針だ。(2016/5/24)

電源メーカーにとって:
SiCは好機会でも、GaNはまだ不透明――RECOM
RECOM Powerは「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、SiC-MOSFET専用の2WのDC-DCコンバーターなど同社の製品群を展示した。これまで同社は低電力・中電力のDC-DCコンバーターやAC-DCコンバーターを中核としてきたが、今後は500Wなど高電力市場も視野に入れる。(2016/5/23)

ローム SCT2H12NZ:
高電圧動作の産業機器に最適な1700V耐圧SiC-MOSFET
ロームは高電圧で動作する産業機器向けに、1700V耐圧のSiC-MOSFET「SCT2H12NZ」を開発。オン抵抗は1.15Ωで、産業機器の補機電源として使用される1500V耐圧のSi-MOSFETに比べて8分の1に低減した。(2016/5/23)

PCIM Europe 2016:
SiCを取り巻く環境、「この2年で変わった」
ドイツ・ニュルンベルクで開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日)に出展した米国のUSCi(United Silicon Carbide, inc.)は、SiCパワー半導体に対する認識がここ数年で大きく変わったと語る。(2016/5/18)

人テク展2016 開催直前情報:
自動運転システムに向けた2系統の電動パワーステアリングなどを展示
デンソーは、「人とくるまのテクノロジー展2016」において環境や安全/安心に関する製品や技術を披露する。(2016/5/18)

フランスのGaN専業メーカー:
8インチ基板でGaNデバイスのコスト競争力を強化
パワーエレクトロニクスの最新技術が一堂に会する「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、フランスのGaNパワーデバイスメーカーExaganが、8インチ(200mm)のGaN on Siウエハーや、耐圧650VのGaN FETなどを展示した。(2016/5/17)

米のスタートアップが開発:
ダイヤモンド半導体、実用間近か
ダイヤモンドが近い将来、半導体業界にとって“親友”のような存在になるかもしれない。米国の新興企業であるAkhan Semiconductorが、ダイヤモンド半導体を確実に実現できる見込みであることを明らかにした。(2016/5/17)



7月6日に米国等で、遅れて22日に日本でも配信を開始したスマホ向け位置情報ゲーム。街でスマホを持つ人がすべてポケモンGOプレイヤーに見えてしまうくらいの大ブームとなっているが、この盛り上がりがどれだけ継続するのか、この次に来る動きにも注目したい。

Oculus Riftに続く形で各社から次々と発表されたVRゴーグル。まだマニア向けという印象だが、ゲーム用途を中心に実用段階に進んでおり、決定打になるようなコンテンツが出てくれば、一気に普及が進む可能性もある。

ソフトバンクが買収を発表した半導体企業。既にスマホ市場では圧倒的なリーダーだが、今後IoTの時代が到来することで、ネットにつながるデバイスが爆発的に増加することが予測されており、そこでもスマホ同様のシェアを押さえられるのなら、確かにその成長性には期待が持てる。