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「シリコン」最新記事一覧

車載半導体:
電気自動車にSiCパワー半導体を採用するなら、電池容量は60kWhが目安
インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは、2016年内に買収を完了する予定のWolfspeedと創出していくシナジーについて説明した。同社は、発電や電気自動車のインバータに向けたSiCパワー半導体や、5G通信の普及をにらんだGaN-on-SiCウエハーのRFパワー半導体を強みとする。(2016/7/26)

SiCウエハー製造でもシェアを追う方針:
Infineonによる“CreeのSiC事業買収”の狙い
Infineon Technologiesは2016年7月21日、このほど発表したCreeのSiCウエハー/デバイス事業に関する説明を行い、SiCデバイスとともに、SiCウエハーの外販を強化していく方針を明らかにした。(2016/7/22)

発光デバイスや太陽電池への応用期待:
希少元素を使わない赤く光る窒化物半導体を発見
東京工業大学と京都大学の共同研究チームは2016年6月、希少元素を使わずに、赤色発光デバイスや太陽電池に応用できる新たな窒化物半導体を発見、合成したと発表した。(2016/6/27)

再生可能エネルギーの拡大策(1):
もっと増やせる太陽光発電、コスト低減と長期安定稼働で課題解決
太陽光に偏重する再生可能エネルギーの制度改革が進む一方で、今後も有望な電力源になる太陽光発電を長期的に拡大する対策が始まる。国際的に見て割高な発電コストの低減に取り組みながら、発電設備を安定して稼働させるためのガイドラインやサポート体制の整備を全国規模で推進していく。(2016/6/20)

PCIM Europe 2016:
SiC技術、成熟期はすぐそこに――ローム
パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、ROHM SemiconductorはSiCパワーデバイスの製品群を展示した。コスト面ではシリコンに比べて不利なSiCだが、業界では6インチウエハーへの移行も始まっていて、低コスト化が進むと期待されている。(2016/6/13)

SiC/GaNに期待はあれど:
パワー半導体、シリコンの置き換えは何年も先
ドイツで開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2016」では、SiCとGaNを用いたパワー半導体が多く展示された。パワーエレクトロニクス業界に40年以上身を置く、ECPE(European Center for Power Electronics)のプレジデントを務めるLeo Lorenz氏に、現在のパワー半導体の動向について話を聞いた。(2016/6/13)

絶縁型モーター制御デバイスのリーダー「Avago」が生まれ変わった:
PR:高効率モーター駆動に向けて革新的製品を生み続ける新生Broadcomに迫る
高効率化に向けて、最新のモーター駆動/制御技術が集結した展示会「TECHNO-FRONTIER 2016 第34回モータ技術展」の中でも、ひときわ大きな注目を集めたのが2016年2月にAvago Technologiesから社名変更したBroadcomのブースだ。ここでは、注目を集めたSiC/GaNパワーデバイスに対応する次世代型アイソレーションデバイスや新コンセプトのエンコーダーなど、新生Broadcomのモーター駆動/制御向けデバイスを詳しく紹介していこう。(2016/5/30)

GaNにはGaNの設計を:
GaNに対する疑念を晴らす
新しいMOSFET技術が登場すると、ユーザーは新しいデバイスを接続してどの程度効率が改善されたかを測定します。多くの人が既存の設計のMOSFETをGaNに置き換える際にもこれと同じ方法を使ってしまい、性能の測定結果に失望してきました。GaNの本当の利点を引き出すには、通常、システム設計を変更しなければなりません。GaNを既存のMOSFET技術に対する完全な互換品(ドロップイン置換品)と見なすのではなく、さらなる高密度・高効率設計を実現する手段と捉えるべきです。(2016/5/27)

PCIM Europe 2016:
SiCを取り巻く環境、「この2年で変わった」
ドイツ・ニュルンベルクで開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日)に出展した米国のUSCi(United Silicon Carbide, inc.)は、SiCパワー半導体に対する認識がここ数年で大きく変わったと語る。(2016/5/18)

GaNデバイスの潜在能力を最大限引き出す:
TIが600V動作GaN製品、駆動回路を内蔵
日本テキサス・インスツルメンツ(日本TI)は、動作電圧600V、オン抵抗70mΩのGaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)とその駆動回路を、ワンパッケージに統合した出力電流12Aのパワーステージ「LMG3410」を開発、エンジニアリングサンプル(ES)品の出荷を始めた。(2016/4/26)

エアコンやPV装置向け、電力損失を大幅改善:
フルSiCパワーモジュール、三菱電機が拡充
三菱電機は、「テクノフロンティア 2016」で、SiC(炭化ケイ素)パワーモジュール製品について、主な用途別に最新のフルSiC IPM(Intelligent Power Module)/PFC(Power Factor Module)などを紹介した。(2016/4/22)

エピ欠陥を1/20にする表面処理技術で実現:
SiC高品質薄板化エピウエハーの製品化に成功
新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は2016年4月14日、東洋炭素がNEDOプロジェクトで開発した技術を応用してSiC高品質薄板化エピウエハーを製品化し、サンプル出荷を開始したと発表した。(2016/4/15)

もはや「次世代」ではなくなった!:
PR:高効率を求めるなら、迷わず「GaN」を選ぶ時代が到来
GaNパワートランジスタの本格的な普及が始まった。長く実用化を阻んできた品質/信頼性面の課題がクリアされ、2015年から量産がスタートした。従来のシリコンパワートランジスタを大きく上回る高い変換効率を求め、サーバやエアコンの電源、太陽光発電パワーコンディショナーへの搭載が進んでいる。“次世代パワーデバイス”から“実用的な最新パワーデバイス”へと進化したGaNパワーデバイスを紹介していこう。(2016/4/4)

発電コスト、14円/kWhに向けて前進:
高品質の単結晶Siを低コストで、新製造法を開発
東北大学金属材料研究所の教授を務める藤原航三氏らによる研究チームは、高品質の単結晶シリコン(Si)を低コストで製造できる技術「LCZ法」を開発した。2020年の発電コスト目標として掲げられている14円/kWhを実現する技術の1つになるとみられている。(2016/3/29)

高効率太陽電池:
シリコンを用いた高効率太陽電池、「限界」を突破するには
安価な部材を使い、製造しやすく、高効率な太陽電池を作りたい。米NRELとスイスCSEMが2016年1月に発表した手法では、シリコン技術をベースに異種の半導体を組み合わせた。2層を上下に並べて機械的に接続し、29.8%という高い変換効率を得た。どのような特徴がある技術なのか、NRELのDavid Young氏に開発ポイントを聞いた。(2016/3/28)

蓄電・発電機器:
電気自動車の充電時間を短縮できる全固体電池、トヨタと東工大が開発
次世代の電気自動車に搭載する高性能のリチウムイオン電池の研究開発が活発に進んでいる。トヨタ自動車と東京工業大学の研究グループは電解液を使わない全固体電池の性能を向上させることに成功した。リチウムイオンの伝導率を従来の2倍に高めて、充電・放電時間を3分の1以下に短縮できる。(2016/3/23)

MRAMでギガヘルツ動作が可能に?:
スピン軌道トルク用いた第3の新方式、動作を実証
東北大学電気通信研究所の大野英男教授、電気通信研究所の深見俊輔准教授らは、従来の2つの方式とは異なる新しいスピン軌道トルク磁化反転方式を開発し、その動作実証に成功したと発表した。今後の技術開発によって、低消費電力で高性能なメモリや集積回路の実現が期待される。(2016/3/23)

燃料電池車:
トヨタから1年遅れ、それでもホンダは燃料電池車を普通のセダンにしたかった
ホンダは2016年3月10日、セダンタイプの新型燃料電池車「CLARITY FUEL CELL(クラリティ フューエルセル)」を発売した。水素タンクの充填時間は3分程度、満充填からの走行距離は750Kmとし、パッケージングも含めてガソリンエンジン車とそん色ない使い勝手を目指した。(2016/3/11)

約6億円を投じる3カ年計画:
欧州、III-V族半導体の開発プログラムを始動
欧州が、III-V族化合物半導体の開発に本腰を入れる。IBMをはじめ、ドイツやフランスの研究機関、イギリスの大学など、欧州の知識を集結させて、III-V族半導体を用いたトランジスタの研究開発を進める。(2016/3/9)

災害時に液体水素がなくても大丈夫!:
シリコン産廃を燃料電池の水素供給源にする技術
大阪大学産業科学研究所の小林研究室は、「スマートエネルギーWeek2016」で、シリコン(Si)産業廃棄物を原材料として作製したナノ粒子を用い、大量の水素を効率よく発生させることができるプロセスのデモ展示を行った。燃料電池への水素供給源として利用できる。(2016/3/7)

パナソニック「世界最高記録」:
Si系太陽電池でモジュール変換効率23.8%達成
パナソニックは2016年3月2日、シリコン(Si)系太陽電池のモジュール変換効率で23.8%を達成したと発表した。(2016/3/2)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(1):
システム設計の要諦は電力管理
今回から、2015年12月に開催された「IEDM2015」でARM Researchが講演した、メモリ技術の解説をお届けしよう。まずは、システム設計が抱える課題から紹介していきたい。(2016/2/17)

電子デバイスや二次電池電極の材料応用に期待:
二層シリセン合成に成功、大気中でも構造安定
豊田中央研究所の中野秀之主席研究員らは、大気中で安定的に取り扱うことができる二層シリセンの合成に成功した。今回の研究成果は車両の走行制御用電子デバイスや二次電池の電極材料として応用が期待される。(2016/2/10)

福田昭のデバイス通信(61):
IEDMで発表されていた3D Xpointの基本技術(後編)
前編に続き、IntelとMicron Technologyの次世代不揮発性メモリ「3D XPoint」について解説しよう。今回は、「オボニック・スレッショルド・スイッチ(OTS:Ovonic Threshold Switch)」と、材料について詳しく見ていきたい。(2016/2/1)

シリコン・ラボ Si1133/Si1153:
高精度UV測定と日光下性能に優れた光学センサー
シリコン・ラボラトリーズは、紫外線保護とジェスチャー認識を強化する光学センサー「Si1133」「Si1153」を発表した。高精度の紫外線測定や日光下での性能、近接センシングに優れている。(2016/2/1)

手作業の測定からインライン検査まで対応:
GaN基板などの欠陥を高速・高感度に検出
レーザーテックは、「第33回 エレクトロテスト ジャパン」で、ハイブリッドレーザーマイクロスコープ「OPTELICS HYBRID」を中心に、半導体材料やデバイスの表面形状測定/観察を行うための装置を紹介した。(2016/1/20)

蓄電・発電機器:
ガスから作る太陽電池、効率23%でコスト半減
製造時に原料が無駄になり、消費電力も大きい。現在主流の結晶シリコン太陽電池の「弱点」だ。長州産業は米Crystal Solarと共同でこの問題を解き、製品に直結する成果を得た。現在最高水準にある製品と同等の変換効率23%を実現し、コストを半減できるという。シリコンウエハーを「ガス」から直接作り上げることで実現した。(2015/12/17)

蓄電・発電技術:
容量2倍のリチウム電池、重さは変わらず
炭素以外の優れた材料を電極に取り込む。これがリチウムイオン蓄電池の容量を増やす秘訣だ。日立マクセルのULSiON技術は、炭素とシリコンを利用して蓄電池のエネルギー密度を約2倍に高めるというもの。蓄電池の利用時間が2倍に延び、ユーザーの利便性が高まる。(2015/12/16)

効率は87%を達成:
GaNの「最小」ACアダプター、充電時間も1/3に
富士通研究所は、窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)パワーデバイスを用いて、モバイル端末などの急速充電を可能にする12W出力の小型ACアダプターを開発したと発表した。(2015/12/9)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(13):
スピン論理で低消費・高密度の回路を構築
13回にわたりお届けしてきたIEDM 2015のプレビューは、今回が最終回となる。本稿ではセッション32〜35を紹介する。折り曲げられるトランジスタや、電子のスピンを利用した論理回路、疾患を素早く検知する人工知能ナノアレイ技術などに関連する研究成果が発表される。(2015/12/4)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(12):
可視光と赤外光の画像を同時に撮影
カンファレンス3日目に行われるセッション30では、オリンパスが、可視光と赤外光を同時に別々の画像として撮像するマルチバンド・イメージセンサーについて講演する。セッション31では、シリコン基板上にIII-V族化合物デバイスを作成する、次世代の電子デバイスや光デバイスについての発表が相次いで行われる。(2015/12/2)

太陽光:
進む太陽光離れ、パネル出荷量は23%減少と失速が顕著に
太陽光発電協会は日本国内における2015年度第2四半期(2015年7〜9月)の太陽電池出荷量の調査を行い、その結果を発表した。FITによる買取価格の引き下げなどにより、国内の太陽電池の需要減少が影響したことで、出荷量の減少傾向は加速している。(2015/12/2)

米企業開発のイメージセンサー:
量子ドットセンサー、CMOSセンサーの脅威に?
米国のInVisage Technologiesが、量子ドットフィルムを用いたイメージセンサー「Quantum13」を発表した。同社は「Quantum13は、シリコン(Si)のイメージセンサーの性能に勝る」と強調している。(2015/11/17)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(6):
ナノワイヤと非シリコン材料で「ムーアの限界」を突破
今回はセッション13〜15の概要を取り上げたい。セッション15では、「モア・ムーア(More Moore)」と「モアザン・ムーア(More Than Moore)」の両方に関する研究成果が発表される。「モアザン」については、フランスの研究チームが折り曲げ可能なCMOS回路を紹介する。(2015/11/13)

パワー半導体で世界最高レベルの研究拠点へ:
6インチウエハーによるSiCチップ試作ライン構築
つくばイノベーションアリーナ(TIA)は、6インチ級SiC(炭化ケイ素)ウエハーを用いたパワー半導体デバイスの量産研究開発を目的に、新たな第3ラインを産業技術総合研究所(産総研)西事業所内に構築する。(2015/11/12)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(4):
抵抗変化メモリとGaNデバイス
今回のプレビューでは、セッション7〜9を紹介する。セッション7では抵抗変化メモリ(ReRAM)の信頼性に関する発表が相次ぐ。セッション8では、3次元集積回路の製造技術がテーマだ。セッション9では、富士通と東京工業大学が試作した、96GHzの周波数で出力が3W/mmと高いInAlGaN/GaN HEMTなどが発表される。(2015/11/10)

車載半導体:
77GHz帯ミリ波レーダーがどんどん安くなる、「単眼カメラよりも安価」
77GHz帯ミリ波レーダー向けのMMICを提供するInfineon Technologies(インフィニオン)は、製品世代を進めるごとにシステムコストを30%低減する目標を立てている。既に現時点で「単眼カメラよりも77GHz帯ミリ波レーダーの方が安価になっている」という顧客もいるという。(2015/11/6)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(3):
3D NANDフラッシュの物理解析が進む
今回はセッション4〜6の講演を紹介する。セッション4では、人間の脳をモデルにした計算アーキテクチャなどが焦点となる。セッション5では3D NAND型フラッシュメモリ関連の発表が行われ、セッション6ではIGZO材料による20nmノードの高周波FETなどが発表される予定だ。(2015/11/6)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(2):
IV族レーザーと高密度3D NAND技術
今回は、「IEDM 2015」で開催される予定のセッションから、セッション2と3を紹介する。セッション2では、IV族元素でレーザーを試作した研究成果や、GeのナノワイヤでCMOS回路を試作した研究成果が発表される。セッション3では、主にメモリ技術がテーマとなる。(2015/11/4)

最先端パワエレ技術で社会に貢献中!!:
PR:「フライホイール」の長所を引き出し20年以上メンテ不要の蓄電システムを実現――サンケン電気の総合力
再生可能エネルギーの不安定さを補う蓄電池として現在一般的なのは化学バッテリーであるリチウムイオンやNAS電池だ。しかしこれらの化学バッテリーよりも寿命が長く環境耐性のある機械式バッテリー「フライホイール」が注目を浴びている。しかし、フライホイールは価格/電力効率面で課題を抱え、実用化が思うように進んでいない。その中で、半導体デバイスからパワエレシステムまでを扱うサンケン電気が、その総合力を生かして、実用性に富むフライホイール蓄電システムをこのほど開発した。(2015/10/15)

SiC/GaNだけでなく新世代パワーMOSFETでも:
次世代パワー半導体ではシミュレータが不可欠に
SiC/GaNを用いた次世代パワー半導体を使うパワーエレクトロニクスの設計において、シミュレータを使うという新しい動きがある。これまでは“ノウハウ”で乗り切れていたが、次世代パワー半導体ではノイズなど無視できない問題が顕著になってきたからだ。(2015/10/7)

IoT向けサブギガ無線回路設計を簡素化:
村田の高周波マッチング素子、シリコンラボ製向け
村田製作所は、Silicon Laboratories製トランシーバICと組み合わせて使う高周波マッチングデバイスを開発し、2015年10月より量産を開始する。サブギガヘルツ帯の無線通信機能を搭載するIoT(モノのインターネット)機器などに向ける。(2015/9/4)

シリコンラボ Si5348:
低ジッタ・省電力のパケットネットワーク同期装置クロックIC
シリコン・ラボラトリーズは、パケットネットワーク同期装置クロックICの新製品「Si5348」を発表した。従来品に比べ、80%の低ジッタ化、50%の小型化、35%の省電力化を達成している。(2015/8/26)

インフィニオン テクノロジーズジャパン 部長 北爪昇氏:
PR:シリコンでも次世代材料でも、あらゆるパワー半導体で進化を実現する新生インフィニオン
新生インフィニオンが本格的に始動した。Infineon Technologies(インフィニオン テクノロジーズ)は、International Rectifier(IR:インターナショナル・レクティファイアー)を2015年1月に事業統合した。パワー半導体の分野で、圧倒的事業規模を誇る。加えて開発力、製品力、システム提案力でその存在感をさらに高めていく。同社日本法人でパワーマネジメント&ディスクリート部長を務める北爪昇氏に聞いた。(2015/8/24)

バイオマーカーや量子暗号通信への応用に期待:
東工大、ゲルマニウム導入で光るダイヤを開発
東京工業大学の岩崎孝之助教らによる研究グループは、ダイヤモンド中の空孔(V)、とゲルマニウム(Ge)から成る新しいカラーセンターの形成に世界で初めて成功した。生細胞イメージング用のバイオマーカーや量子暗号通信への応用が期待されている。(2015/8/11)

福田昭のデバイス通信(36):
次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料(4)〜CMOSの実現手法と試作例
本シリーズは、次々世代のMOSFETで非シリコン材料がチャンネル材料の候補になっていることを説明してきた。最終回は、本シリーズのまとめであるCMOSデバイスの実現手法と試作例を紹介する。従来と同様のCMOSデバイスを非シリコン材料で実現する手法は2つある。(2015/8/7)

福田昭のデバイス通信(35):
次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料(3)〜III-V族半導体の「新たなる希望」
前回は、ゲルマニウム(Ge)をチャンネル材料とするMOSFETの研究開発の歴史と現状を紹介した。今回はもう1つの材料であるインジウム・ガリウム・ヒ素(InGaAs)である。InGaAsの歴史と背景にあるIII-V族化合物半導体とともに、研究開発の状況を解説する。(2015/8/5)

福田昭のデバイス通信(34):
次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料(2)〜ゲルマニウムの復活
前回は、シリコン(Si)を代替する半導体材料の候補を紹介した。今回はゲルマニウム(Ge)をチャンネル材料とするMOSFETの研究開発の歴史と現状を紹介する。歴史上、初めてのトランジスタの材料はシリコンではなく、ゲルマニウムだった。(2015/8/3)

【講座】回路設計の新潮流を基礎から学ぶ:
PR:抵抗ブリッジ方式の圧力センサ向けAFE、Cortex-M0コア搭載で独自アルゴリズムを実装可能に
(2015/7/31)

Si系太陽電池表面に塗布するだけ:
Siナノ粒子で太陽電池の変換効率が改善
物質・材料研究機構(NIMS)のMrinal Dutta博士らによる研究グループは、直径が最大5nmのシリコンナノ粒子を用いて、シリコン系太陽電池のエネルギー変換効率を向上させる方法を開発した。これまで10%程度であった太陽電池のエネルギー変換効率を、最大12.9%に高めることができた。(2015/7/31)



7月29日で無料アップグレード期間が終了する、Microsoftの最新OS。とんでもないレベルで普及している自社の基幹製品を無料でアップグレードさせるというビジネス上の決断が、今後の同社の経営にどのような影響をもたらすのか、その行方にも興味が尽きない。

ドイツ政府が中心となって推進する「第四次産業革命」。製造業におけるインターネット活用、スマート化を志向するもので、Internet of Things、Industrial Internetなど名前はさまざまだが、各国で類似のビジョンの実現を目指した動きが活発化している。

資金繰りが差し迫る中、台湾の鴻海精密工業による買収で決着がついた。寂しい話ではあるが、リソースとして鴻海の生産能力・規模を得ることで、特にグローバルで今後どのような巻き返しがあるのか、明るい話題にも期待したい。