ITmedia総合  >  キーワード一覧  > 

  • 関連の記事

「シリコン」最新記事一覧

三菱電機 XシリーズLV100タイプ:
最大級の電流密度を誇るパワー半導体モジュール
三菱電機は電鉄や電力などの大型産業機器向けに、大容量パワー半導体モジュール「HVIGBTモジュールXシリーズ LV100タイプ」2種を発表した。大電流密度により、インバーターの高出力化や高効率化に寄与する。(2017/6/26)

太陽光:
「成膜のコストを10分の1に」 GaAs太陽電池の普及へ、低コストな製造法を開発
産業技術総合研究所 太陽光発電研究センターなどは、ガリウムヒ素(GaAs)太陽電池を低コストで高いスループットで製造できるハイドライド気相成長装置を開発したと発表した。(2017/6/16)

安川電機 Σ-7:
「世界初」のGaNパワー半導体搭載サーボドライブ
安川電機はACサーボドライブ「Σ-7」シリーズの新製品として、GaNパワー半導体を用いたアンプ内蔵タイプの販売を開始した。GaNパワー半導体の採用で入出力の効率を高め、小型化も進めた。(2017/6/5)

三菱電機 XシリーズLV100タイプ:
最大級の電流密度を誇るパワー半導体モジュール
三菱電機は、電鉄や電力などの大型産業機器向けに、大容量パワー半導体モジュール「HVIGBTモジュールXシリーズ LV100タイプ」2種を発表した。大電流密度により、インバーターの高出力化や高効率化に寄与する。(2017/5/17)

情報化施工:
世界記録の効率24.13%、n型単結晶のシリコン太陽電池セル
さらなる効率化に向けた研究開発が進む太陽電池で、新たな世界記録が生まれた。トリナ・ソーラーが、n型の単結晶シリコン型で、バックコンタクト構造を採用する太陽電池セルで、世界最高となる実効変換効率24.13%を達成した。(2017/5/15)

原子間力顕微鏡を活用:
東京大学、原子一個の電気陰性度の測定に成功
東京大学は、原子間力顕微鏡(AFM)を用い、固体表面上にある原子個々の電気陰性度を測定することに成功した。さまざまな触媒表面や反応性分子の化学活性度を原子レベルで測定することが可能となる。(2017/5/9)

Geスピントロニクス素子実現へ:
Ge中のスピン伝導現象を解明、阪大など
大阪大学らの研究グループは、ゲルマニウム(Ge)中のスピン伝導現象を解明した。半導体素子のさらなる高速化と低消費電力化を可能にする研究成果として注目される。(2017/5/9)

AEC-Q101準拠GaNでいよいよ自動車にも:
PR:GaNで魅力をプラス! GaNパワートランジスタで差異化を図った製品が続々登場
GaNパワーデバイスを用いた機器の製品化が相次いでいる。先日開催された展示会「TECHNO-FRONTIER 2017」でも、GaNのメリットを生かした革新的な製品が披露され大きな注目を集めた。そこで本稿では、車載向け信頼性基準AEC-Q101準拠品なども登場しているGaNパワートランジスタを搭載した製品を詳しく見ていきながら、GaNの魅力や、GaNは本当に使えるデバイスなのかを確かめていく。(2017/4/24)

電気特性劣化の要因特定が可能に:
多結晶Siトランジスタの性能と結晶性の関係を評価
東芝は、薄膜多結晶シリコン(Si)トランジスタのチャネル(電流経路)部の性能と結晶性の関係を可視化する技術を開発した。その結果、個々の多結晶トランジスタの性能が結晶粒の平均的な大きさだけでなく、トランジスタのチャネル部を横断する結晶粒界の有無にも大きく依存することが明らかになった。(2017/4/10)

富士経済 次世代パワー半導体市場調査:
パワー半導体市場で順調に伸びるSiCとGaN、2025年には2000億円を視野に
より高い通電性と低電力損失を目指した素材の本格展開が進むパワー半導体。2025年にはSiCとGaNが1860億円の市場にまで成長するとの予測。富士経済調べ。(2017/4/5)

蓄電・発電機器:
貼れるフィルム型の太陽電池、積水化学が印刷技術で量産へ
積水化学工業は2017年3月、フィルム型色素増感太陽電池のロール・ツー・ロール方式での量産技術を完成させ、パイロット生産機をつくば事業所(茨城県つくば市)に導入した。(2017/4/4)

TechFactory通信 編集後記:
歌う電車と次世代パワー半導体
ファソラシドレミファソー。(2017/4/1)

ダイヤモンドを上回る耐熱性:
硬い透明セラミックス、シリコンと窒素から合成
東京工業大学は、シリコンと窒素の原子が結合した化合物から、硬い透明セラミックスを合成することに成功した。開発した物質は全物質中で3番目の硬さを持ち、耐熱性はダイヤモンドを上回る。(2017/3/22)

車載半導体:
オンセミがIBMからミリ波技術を買収、車載向けセンサーと設計拠点を拡充
オン・セミコンダクターは、IBMから車載用ミリ波技術を取得した。これにより、オン・セミコンダクターは車載向けのカメラとミリ波レーダーのセンサーフュージョンに対応できるようになる。センサーフュージョンの設計開発拠点を英国に新設することも明らかにした。(2017/3/15)

蓄電・発電機器:
高性能リチウム電池、産廃シリコンを利用
リチウムイオン蓄電池の性能を高める手法として、実用化が進む「シリコン負極」。容量を従来の3倍程度に高めることが可能だ。しかし、負極の構造が複雑になり、原料コスト、製造コストがかさむ。東北大学と大阪大学の共同研究チームは、半導体産業の産業廃棄物であるシリコン切粉を原料として用い、製造コストを引き下げる技術を開発した。試作した蓄電池の性能は高い。(2017/2/24)

Si切粉を負極材に変える新技術:
産業廃棄物をリチウムイオン電池材にリサイクル
東北大学と大阪大学の研究グループは、産業廃棄物となっていたシリコン(Si)切粉を、高性能なリチウムイオン電池負極材料に変えることができるリサイクル方法を開発した。(2017/2/23)

蓄電・発電機器:
太陽電池が反応する波長の光に変換、1000℃の熱で発電効率40%以上に
京都大学と大阪ガスの共同研究チームが太陽電池の発電効率を40%以上に高める新技術を開発した。太陽電池の素材にもなるシリコンを微細な3次元構造で形成して光源を作る。この光源に1000℃の熱を加えると、太陽光のうち発電に利用できる波長の光だけを放出する特性が生まれる。(2017/1/5)

SEMICON Japan 2016レポート:
SiCを約300μm厚に、ワイヤ放電でスライス
三菱電機は、「SEMICON Japan 2016」において、直径4インチのSiC(炭化ケイ素)素材を、ウエハー厚み約300μmでスライス加工する「マルチワイヤ放電スライス技術」を紹介した。(2016/12/16)

シリコン・ラボ Thunderboard Sense:
バッテリー駆動の無線センサーノード向け開発キット
シリコン・ラボラトリーズは、バッテリー駆動の無線センサーノードに必要となるハードウェアとソフトウェアを全て搭載した、センサークラウド開発キット「Thunderboard Sense」を発表した。(2016/12/14)

IEDM 2016:
進む7nmプロセスの開発、TSMCとIBMが成果を発表
米サンフランシスコで開催された「IEDM 2016」では、TSMCとIBMがそれぞれ最新プロセス技術について発表し、会場を大いに沸かせたようだ。(2016/12/8)

3分の1スケーリングで実証:
東工大、微細化でIGBTのオン抵抗を半減
東京工業大学は、微細加工技術によりシリコンパワートランジスタの性能を向上させることに成功したと発表した。従来に比べオン抵抗を約50%低減できることを実証した。(2016/12/7)

採用事例も紹介:
窒化ガリウム、D級オーディオの音質と効率を向上
窒化ガリウム(GaN)ベースのスイッチング・トランジスタを用いたD級オーディオ・アンプの実用化が始まっている。これまでD級オーディオシステムで用いられてきたシリコン(Si)ベースのトランジスタはどういった課題を抱えてきたのかを振り返りつつ、GaNベースのトランジスタを紹介する。(2016/12/9)

蓄電・発電機器:
太陽電池の出荷に回復の兆し、第2四半期は前年比94%、発電事業用は110%
2015年度に入ってから太陽電池モジュールの出荷量が前年を下回っていたが、直近の2016年度の第2四半期は回復の兆しが見られる。国内の出荷量は前年比94%の166万kWに達した。このうち5割以上を占める発電事業用が前年比110%と伸びて、第1四半期から1.5倍以上に拡大している。(2016/12/2)

企業動向を振り返る 2016年10月版:
過去最高金額の達成あり、当局による無効あり、激動続く半導体業界M&A
過去1カ月間のエレクトロニクス関連企業の動向をピックアップしてお届けする「企業動向を振り返る」。2016年10月も動きは止まらず、クアルコムがNXPを5兆円近くで買収する合意に達しました。この金額は半導体史上最高額のM&Aとなります。(2016/11/21)

大いなるポテンシャル:
シリコンが次の手、村田製作所のキャパシター戦略
2016年10月に村田製作所が買収したフランスのIPDiAは、シリコンキャパシターを事業として手掛けるほぼ唯一のメーカーだ。積層セラミックコンデンサーに比べてかなり高価なシリコンキャパシターは、その用途は限られている。それにもかかわらず、なぜ村田製作所はIPDiAの買収に至ったのか。(2016/11/18)

太陽光:
理論限界を突破、シリコン利用の太陽電池で30.2%
量産可能な太陽電池で変換効率30%の壁を突破したい。ドイツのフラウンホーファー研究所はこの目的に一歩近づいた。シリコン基板と他の材料を組み合わせたこと、組み合わせる際に、マイクロエレクトロニクス分野で実績のあるウエハー接合装置を利用したことが特徴だ。高い変換効率と低コストを両立させる技術開発だといえる。(2016/11/15)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(5):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリの多様な材料組成
今回から「抵抗変化メモリ(ReRAM)の研究開発動向」の本格的な解説に入る。まずは、過去の国際学会で発表された論文から、ReRAMの材料組成の傾向をみていく。(2016/11/14)

コンデンサー事業の強化目指して:
村田製作所、仏Siキャパシターメーカー買収
村田製作所は2016年10月12日、フランスに本社を置くシリコン(Si)キャパシターメーカーを買収すると発表した。(2016/10/13)

福田昭のデバイス通信(92):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(Applied Materials編)
Applied Materialsの講演では、MOSFETの微細化ロードマップと、微細化の手法および課題が解説された。7nm世代のFinFETでは、フィンを狭く、高くするとともにコンタクト用の金属材料を変える必要が出てくる。FinFETの限界が見え始める5nm世代では、微細化の手法として主に2つの選択肢がある。(2016/10/7)

福田昭のデバイス通信(90):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(imec編)
imecは次世代のリソグラフィ技術を展望するフォーラムの講演で、半導体デバイスの微細化ロードマップを披露した。このロードマップでは、微細化の方向が3つに整理されている。シリコンデバイスの微細化、シリコン以外の材料の採用、CMOSではないデバイスの採用だ。imecは、CMOSロジックを微細化していく時の課題についても解説した。(2016/9/27)

マクニカ Mpression IoTメッシュネットワーク・スターターキット:
メッシュネットワークを用いた計測/評価をすぐに開始できるIoTデバイス開発キット
マクニカは、メッシュネットワークを利用したIoTデバイスの試作に適した開発キットの提供開始を発表した。(2016/9/16)

マクニカ、メッシュネットワーク利用のIoTデバイス開発キット
Dust Networksを利用したメッシュネットワークの開発キットをマクニカが販売開始した。自動接続機能も備えており、電源を入れるだけでメッシュネットワークを利用した環境測定と評価が行える。(2016/9/9)

蓄電・発電機器:
燃えにくくて軽い太陽電池、電気自動車の屋根や住宅の壁にも
太陽電池の研究開発を担う産業技術総合研究所が、難燃性で軽量の太陽電池モジュールを開発した。太陽電池を保護する封止材にシリコーンゴムを採用したほか、表面をガラスから高分子フィルムに、裏面をアルミ合金で構成して重さを約半分に抑えた。車載用や住宅用の製品開発へつなげる。(2016/9/8)

既存技術による量子コンピュータ集積化の実現へ:
通常のシリコンで高性能「量子ビット」を実装
理化学研究所は2016年8月、産業で用いられる通常のシリコンを用いた半導体ナノデバイスで、量子計算に必要な高い精度を持つ「量子ビット」を実現した。既存の半導体集積化技術を用いた量子ビット素子実装が可能なため、大規模量子計算機の実現に向けた重要なステップになるとしている。(2016/8/24)

「究極のパワーデバイス実現へ」:
反転層型ダイヤモンドMOSFETの動作実証に成功
金沢大学理工研究域電子情報学系の松本翼助氏、徳田規夫氏らの研究グループは、「世界初」となるダイヤモンド半導体を用いた反転層チャンネルMOSFETを作製し、動作実証に成功したと発表した。(2016/8/24)

省エネ機器:
超省エネ社会に貢献、「ダイヤモンド」パワーデバイスの実用へ前進
さまざな機器の省エネを実現するとして、高性能化に期待が掛かるパワーデバイス。実用化はまだ先とみられているが、「究極のパワーデバイス材料」として注目されているのがダイヤモンドだ。金沢大学などの共同研究グループは。こうしたダイヤモンド半導体を用いたパワーデバイスの実用化で課題となっていた反転層チャネルMOSFETの作製に成功した。(2016/8/24)

業界を革新させるプロセスとなるか:
“他にないスライス技術”がSiCの生産効率を4倍へ
半導体製造装置メーカーであるディスコは、今までにない手法を用いたレーザー加工によるインゴットスライス手法「KABRA(カブラ)」プロセスを開発したと発表した。SiC(炭化ケイ素)ウエハー生産の高速化、取り枚数増を実現し、従来方式と比較して生産性を4倍向上させることが可能という。(2016/8/22)

ディスコ KABRA:
SiCウェーハの高速生産と素材ロス減を実現する新しいインゴットスライス手法
ディスコは、従来にないレーザー加工によるインゴットスライス手法「KABRA(Key Amorphous-Black Repetitive Absorption)」プロセスを開発した。(2016/8/22)

シリコン・ラボ Si838x:
最大8チャンネルを搭載したデジタルアイソレーター
シリコン・ラボラトリーズは2016年8月、最高2Mビット/秒の高速チャンネルを可能にした、PLC入力デジタルアイソレーター「Si838x」ファミリーを発表した。1デバイス当たり最大8チャンネルを搭載し、50kV/マイクロ秒の高いノイズ耐性を備えたという。(2016/8/17)

車載半導体:
電気自動車にSiCパワー半導体を採用するなら、電池容量は60kWhが目安
インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは、2016年内に買収を完了する予定のWolfspeedと創出していくシナジーについて説明した。同社は、発電や電気自動車のインバータに向けたSiCパワー半導体や、5G通信の普及をにらんだGaN-on-SiCウエハーのRFパワー半導体を強みとする。(2016/7/26)

SiCウエハー製造でもシェアを追う方針:
Infineonによる“CreeのSiC事業買収”の狙い
Infineon Technologiesは2016年7月21日、このほど発表したCreeのSiCウエハー/デバイス事業に関する説明を行い、SiCデバイスとともに、SiCウエハーの外販を強化していく方針を明らかにした。(2016/7/22)

発光デバイスや太陽電池への応用期待:
希少元素を使わない赤く光る窒化物半導体を発見
東京工業大学と京都大学の共同研究チームは2016年6月、希少元素を使わずに、赤色発光デバイスや太陽電池に応用できる新たな窒化物半導体を発見、合成したと発表した。(2016/6/27)

再生可能エネルギーの拡大策(1):
もっと増やせる太陽光発電、コスト低減と長期安定稼働で課題解決
太陽光に偏重する再生可能エネルギーの制度改革が進む一方で、今後も有望な電力源になる太陽光発電を長期的に拡大する対策が始まる。国際的に見て割高な発電コストの低減に取り組みながら、発電設備を安定して稼働させるためのガイドラインやサポート体制の整備を全国規模で推進していく。(2016/6/20)

PCIM Europe 2016:
SiC技術、成熟期はすぐそこに――ローム
パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、ROHM SemiconductorはSiCパワーデバイスの製品群を展示した。コスト面ではシリコンに比べて不利なSiCだが、業界では6インチウエハーへの移行も始まっていて、低コスト化が進むと期待されている。(2016/6/13)

SiC/GaNに期待はあれど:
パワー半導体、シリコンの置き換えは何年も先
ドイツで開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2016」では、SiCとGaNを用いたパワー半導体が多く展示された。パワーエレクトロニクス業界に40年以上身を置く、ECPE(European Center for Power Electronics)のプレジデントを務めるLeo Lorenz氏に、現在のパワー半導体の動向について話を聞いた。(2016/6/13)

絶縁型モーター制御デバイスのリーダー「Avago」が生まれ変わった:
PR:高効率モーター駆動に向けて革新的製品を生み続ける新生Broadcomに迫る
高効率化に向けて、最新のモーター駆動/制御技術が集結した展示会「TECHNO-FRONTIER 2016 第34回モータ技術展」の中でも、ひときわ大きな注目を集めたのが2016年2月にAvago Technologiesから社名変更したBroadcomのブースだ。ここでは、注目を集めたSiC/GaNパワーデバイスに対応する次世代型アイソレーションデバイスや新コンセプトのエンコーダーなど、新生Broadcomのモーター駆動/制御向けデバイスを詳しく紹介していこう。(2016/5/30)

GaNにはGaNの設計を:
GaNに対する疑念を晴らす
新しいMOSFET技術が登場すると、ユーザーは新しいデバイスを接続してどの程度効率が改善されたかを測定します。多くの人が既存の設計のMOSFETをGaNに置き換える際にもこれと同じ方法を使ってしまい、性能の測定結果に失望してきました。GaNの本当の利点を引き出すには、通常、システム設計を変更しなければなりません。GaNを既存のMOSFET技術に対する完全な互換品(ドロップイン置換品)と見なすのではなく、さらなる高密度・高効率設計を実現する手段と捉えるべきです。(2016/5/27)

PCIM Europe 2016:
SiCを取り巻く環境、「この2年で変わった」
ドイツ・ニュルンベルクで開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日)に出展した米国のUSCi(United Silicon Carbide, inc.)は、SiCパワー半導体に対する認識がここ数年で大きく変わったと語る。(2016/5/18)

GaNデバイスの潜在能力を最大限引き出す:
TIが600V動作GaN製品、駆動回路を内蔵
日本テキサス・インスツルメンツ(日本TI)は、動作電圧600V、オン抵抗70mΩのGaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)とその駆動回路を、ワンパッケージに統合した出力電流12Aのパワーステージ「LMG3410」を開発、エンジニアリングサンプル(ES)品の出荷を始めた。(2016/4/26)

エアコンやPV装置向け、電力損失を大幅改善:
フルSiCパワーモジュール、三菱電機が拡充
三菱電機は、「テクノフロンティア 2016」で、SiC(炭化ケイ素)パワーモジュール製品について、主な用途別に最新のフルSiC IPM(Intelligent Power Module)/PFC(Power Factor Module)などを紹介した。(2016/4/22)



Twitter&TweetDeckライクなSNS。オープンソースで誰でもインスタンス(サーバ)を立てられる分散型プラットフォームを採用している。日本国内でも4月になって大きくユーザー数を増やしており、黎明期ならではの熱さが感じられる展開を見せている。+ こういったモノが大好きなITmedia NEWS編集部を中心に、当社でもインスタンス/アカウントを立ち上げました! →お知らせ記事

意欲的なメディアミックスプロジェクトとしてスタートしたものの、先行したスマホゲームはあえなくクローズ。しかしその後に放映されたTVアニメが大ヒットとなり、多くのフレンズ(ファン)が生まれた。動物園の賑わい、サーバルキャットの写真集完売、主題歌ユニットのミュージックステーション出演など、アニメ最終回後もその影響は続いている。

ITを活用したビジネスの革新、という意味ではこれまでも多くのバズワードが生まれているが、デジタルトランスフォーメーションについては競争の観点で語られることも多い。よくAmazonやUberが例として挙げられるが、自社の競合がこれまでとは異なるIT企業となり、ビジネスモデルレベルで革新的なサービスとの競争を余儀なくされる。つまり「IT活用の度合いが競争優位を左右する」という今や当たり前の事実を、より強調して表現した言葉と言えるだろう。