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「シリコン」最新記事一覧

IEDM 2016:
進む7nmプロセスの開発、TSMCとIBMが成果を発表
米サンフランシスコで開催された「IEDM 2016」では、TSMCとIBMがそれぞれ最新プロセス技術について発表し、会場を大いに沸かせたようだ。(2016/12/8)

3分の1スケーリングで実証:
東工大、微細化でIGBTのオン抵抗を半減
東京工業大学は、微細加工技術によりシリコンパワートランジスタの性能を向上させることに成功したと発表した。従来に比べオン抵抗を約50%低減できることを実証した。(2016/12/7)

蓄電・発電機器:
太陽電池の出荷に回復の兆し、第2四半期は前年比94%、発電事業用は110%
2015年度に入ってから太陽電池モジュールの出荷量が前年を下回っていたが、直近の2016年度の第2四半期は回復の兆しが見られる。国内の出荷量は前年比94%の166万kWに達した。このうち5割以上を占める発電事業用が前年比110%と伸びて、第1四半期から1.5倍以上に拡大している。(2016/12/2)

企業動向を振り返る 2016年10月版:
過去最高金額の達成あり、当局による無効あり、激動続く半導体業界M&A
過去1カ月間のエレクトロニクス関連企業の動向をピックアップしてお届けする「企業動向を振り返る」。2016年10月も動きは止まらず、クアルコムがNXPを5兆円近くで買収する合意に達しました。この金額は半導体史上最高額のM&Aとなります。(2016/11/21)

大いなるポテンシャル:
シリコンが次の手、村田製作所のキャパシター戦略
2016年10月に村田製作所が買収したフランスのIPDiAは、シリコンキャパシターを事業として手掛けるほぼ唯一のメーカーだ。積層セラミックコンデンサーに比べてかなり高価なシリコンキャパシターは、その用途は限られている。それにもかかわらず、なぜ村田製作所はIPDiAの買収に至ったのか。(2016/11/18)

太陽光:
理論限界を突破、シリコン利用の太陽電池で30.2%
量産可能な太陽電池で変換効率30%の壁を突破したい。ドイツのフラウンホーファー研究所はこの目的に一歩近づいた。シリコン基板と他の材料を組み合わせたこと、組み合わせる際に、マイクロエレクトロニクス分野で実績のあるウエハー接合装置を利用したことが特徴だ。高い変換効率と低コストを両立させる技術開発だといえる。(2016/11/15)

シリコン・ラボ Thunderboard Sense:
バッテリー駆動の無線センサーノード向け開発キット
シリコン・ラボラトリーズは、バッテリー駆動の無線センサーノードに必要となるハードウェアとソフトウェアを全て搭載した、センサークラウド開発キット「Thunderboard Sense」を発表した。(2016/11/14)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(5):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリの多様な材料組成
今回から「抵抗変化メモリ(ReRAM)の研究開発動向」の本格的な解説に入る。まずは、過去の国際学会で発表された論文から、ReRAMの材料組成の傾向をみていく。(2016/11/14)

コンデンサー事業の強化目指して:
村田製作所、仏Siキャパシターメーカー買収
村田製作所は2016年10月12日、フランスに本社を置くシリコン(Si)キャパシターメーカーを買収すると発表した。(2016/10/13)

福田昭のデバイス通信(92):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(Applied Materials編)
Applied Materialsの講演では、MOSFETの微細化ロードマップと、微細化の手法および課題が解説された。7nm世代のFinFETでは、フィンを狭く、高くするとともにコンタクト用の金属材料を変える必要が出てくる。FinFETの限界が見え始める5nm世代では、微細化の手法として主に2つの選択肢がある。(2016/10/7)

福田昭のデバイス通信(90):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(imec編)
imecは次世代のリソグラフィ技術を展望するフォーラムの講演で、半導体デバイスの微細化ロードマップを披露した。このロードマップでは、微細化の方向が3つに整理されている。シリコンデバイスの微細化、シリコン以外の材料の採用、CMOSではないデバイスの採用だ。imecは、CMOSロジックを微細化していく時の課題についても解説した。(2016/9/27)

マクニカ Mpression IoTメッシュネットワーク・スターターキット:
メッシュネットワークを用いた計測/評価をすぐに開始できるIoTデバイス開発キット
マクニカは、メッシュネットワークを利用したIoTデバイスの試作に適した開発キットの提供開始を発表した。(2016/9/16)

マクニカ、メッシュネットワーク利用のIoTデバイス開発キット
Dust Networksを利用したメッシュネットワークの開発キットをマクニカが販売開始した。自動接続機能も備えており、電源を入れるだけでメッシュネットワークを利用した環境測定と評価が行える。(2016/9/9)

蓄電・発電機器:
燃えにくくて軽い太陽電池、電気自動車の屋根や住宅の壁にも
太陽電池の研究開発を担う産業技術総合研究所が、難燃性で軽量の太陽電池モジュールを開発した。太陽電池を保護する封止材にシリコーンゴムを採用したほか、表面をガラスから高分子フィルムに、裏面をアルミ合金で構成して重さを約半分に抑えた。車載用や住宅用の製品開発へつなげる。(2016/9/8)

既存技術による量子コンピュータ集積化の実現へ:
通常のシリコンで高性能「量子ビット」を実装
理化学研究所は2016年8月、産業で用いられる通常のシリコンを用いた半導体ナノデバイスで、量子計算に必要な高い精度を持つ「量子ビット」を実現した。既存の半導体集積化技術を用いた量子ビット素子実装が可能なため、大規模量子計算機の実現に向けた重要なステップになるとしている。(2016/8/24)

「究極のパワーデバイス実現へ」:
反転層型ダイヤモンドMOSFETの動作実証に成功
金沢大学理工研究域電子情報学系の松本翼助氏、徳田規夫氏らの研究グループは、「世界初」となるダイヤモンド半導体を用いた反転層チャンネルMOSFETを作製し、動作実証に成功したと発表した。(2016/8/24)

省エネ機器:
超省エネ社会に貢献、「ダイヤモンド」パワーデバイスの実用へ前進
さまざな機器の省エネを実現するとして、高性能化に期待が掛かるパワーデバイス。実用化はまだ先とみられているが、「究極のパワーデバイス材料」として注目されているのがダイヤモンドだ。金沢大学などの共同研究グループは。こうしたダイヤモンド半導体を用いたパワーデバイスの実用化で課題となっていた反転層チャネルMOSFETの作製に成功した。(2016/8/24)

業界を革新させるプロセスとなるか:
“他にないスライス技術”がSiCの生産効率を4倍へ
半導体製造装置メーカーであるディスコは、今までにない手法を用いたレーザー加工によるインゴットスライス手法「KABRA(カブラ)」プロセスを開発したと発表した。SiC(炭化ケイ素)ウエハー生産の高速化、取り枚数増を実現し、従来方式と比較して生産性を4倍向上させることが可能という。(2016/8/22)

ディスコ KABRA:
SiCウェーハの高速生産と素材ロス減を実現する新しいインゴットスライス手法
ディスコは、従来にないレーザー加工によるインゴットスライス手法「KABRA(Key Amorphous-Black Repetitive Absorption)」プロセスを開発した。(2016/8/22)

シリコン・ラボ Si838x:
最大8チャンネルを搭載したデジタルアイソレーター
シリコン・ラボラトリーズは2016年8月、最高2Mビット/秒の高速チャンネルを可能にした、PLC入力デジタルアイソレーター「Si838x」ファミリーを発表した。1デバイス当たり最大8チャンネルを搭載し、50kV/マイクロ秒の高いノイズ耐性を備えたという。(2016/8/17)

車載半導体:
電気自動車にSiCパワー半導体を採用するなら、電池容量は60kWhが目安
インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは、2016年内に買収を完了する予定のWolfspeedと創出していくシナジーについて説明した。同社は、発電や電気自動車のインバータに向けたSiCパワー半導体や、5G通信の普及をにらんだGaN-on-SiCウエハーのRFパワー半導体を強みとする。(2016/7/26)

SiCウエハー製造でもシェアを追う方針:
Infineonによる“CreeのSiC事業買収”の狙い
Infineon Technologiesは2016年7月21日、このほど発表したCreeのSiCウエハー/デバイス事業に関する説明を行い、SiCデバイスとともに、SiCウエハーの外販を強化していく方針を明らかにした。(2016/7/22)

発光デバイスや太陽電池への応用期待:
希少元素を使わない赤く光る窒化物半導体を発見
東京工業大学と京都大学の共同研究チームは2016年6月、希少元素を使わずに、赤色発光デバイスや太陽電池に応用できる新たな窒化物半導体を発見、合成したと発表した。(2016/6/27)

再生可能エネルギーの拡大策(1):
もっと増やせる太陽光発電、コスト低減と長期安定稼働で課題解決
太陽光に偏重する再生可能エネルギーの制度改革が進む一方で、今後も有望な電力源になる太陽光発電を長期的に拡大する対策が始まる。国際的に見て割高な発電コストの低減に取り組みながら、発電設備を安定して稼働させるためのガイドラインやサポート体制の整備を全国規模で推進していく。(2016/6/20)

PCIM Europe 2016:
SiC技術、成熟期はすぐそこに――ローム
パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、ROHM SemiconductorはSiCパワーデバイスの製品群を展示した。コスト面ではシリコンに比べて不利なSiCだが、業界では6インチウエハーへの移行も始まっていて、低コスト化が進むと期待されている。(2016/6/13)

SiC/GaNに期待はあれど:
パワー半導体、シリコンの置き換えは何年も先
ドイツで開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2016」では、SiCとGaNを用いたパワー半導体が多く展示された。パワーエレクトロニクス業界に40年以上身を置く、ECPE(European Center for Power Electronics)のプレジデントを務めるLeo Lorenz氏に、現在のパワー半導体の動向について話を聞いた。(2016/6/13)

絶縁型モーター制御デバイスのリーダー「Avago」が生まれ変わった:
PR:高効率モーター駆動に向けて革新的製品を生み続ける新生Broadcomに迫る
高効率化に向けて、最新のモーター駆動/制御技術が集結した展示会「TECHNO-FRONTIER 2016 第34回モータ技術展」の中でも、ひときわ大きな注目を集めたのが2016年2月にAvago Technologiesから社名変更したBroadcomのブースだ。ここでは、注目を集めたSiC/GaNパワーデバイスに対応する次世代型アイソレーションデバイスや新コンセプトのエンコーダーなど、新生Broadcomのモーター駆動/制御向けデバイスを詳しく紹介していこう。(2016/5/30)

GaNにはGaNの設計を:
GaNに対する疑念を晴らす
新しいMOSFET技術が登場すると、ユーザーは新しいデバイスを接続してどの程度効率が改善されたかを測定します。多くの人が既存の設計のMOSFETをGaNに置き換える際にもこれと同じ方法を使ってしまい、性能の測定結果に失望してきました。GaNの本当の利点を引き出すには、通常、システム設計を変更しなければなりません。GaNを既存のMOSFET技術に対する完全な互換品(ドロップイン置換品)と見なすのではなく、さらなる高密度・高効率設計を実現する手段と捉えるべきです。(2016/5/27)

PCIM Europe 2016:
SiCを取り巻く環境、「この2年で変わった」
ドイツ・ニュルンベルクで開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日)に出展した米国のUSCi(United Silicon Carbide, inc.)は、SiCパワー半導体に対する認識がここ数年で大きく変わったと語る。(2016/5/18)

GaNデバイスの潜在能力を最大限引き出す:
TIが600V動作GaN製品、駆動回路を内蔵
日本テキサス・インスツルメンツ(日本TI)は、動作電圧600V、オン抵抗70mΩのGaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)とその駆動回路を、ワンパッケージに統合した出力電流12Aのパワーステージ「LMG3410」を開発、エンジニアリングサンプル(ES)品の出荷を始めた。(2016/4/26)

エアコンやPV装置向け、電力損失を大幅改善:
フルSiCパワーモジュール、三菱電機が拡充
三菱電機は、「テクノフロンティア 2016」で、SiC(炭化ケイ素)パワーモジュール製品について、主な用途別に最新のフルSiC IPM(Intelligent Power Module)/PFC(Power Factor Module)などを紹介した。(2016/4/22)

エピ欠陥を1/20にする表面処理技術で実現:
SiC高品質薄板化エピウエハーの製品化に成功
新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は2016年4月14日、東洋炭素がNEDOプロジェクトで開発した技術を応用してSiC高品質薄板化エピウエハーを製品化し、サンプル出荷を開始したと発表した。(2016/4/15)

もはや「次世代」ではなくなった!:
PR:高効率を求めるなら、迷わず「GaN」を選ぶ時代が到来
GaNパワートランジスタの本格的な普及が始まった。長く実用化を阻んできた品質/信頼性面の課題がクリアされ、2015年から量産がスタートした。従来のシリコンパワートランジスタを大きく上回る高い変換効率を求め、サーバやエアコンの電源、太陽光発電パワーコンディショナーへの搭載が進んでいる。“次世代パワーデバイス”から“実用的な最新パワーデバイス”へと進化したGaNパワーデバイスを紹介していこう。(2016/4/4)

発電コスト、14円/kWhに向けて前進:
高品質の単結晶Siを低コストで、新製造法を開発
東北大学金属材料研究所の教授を務める藤原航三氏らによる研究チームは、高品質の単結晶シリコン(Si)を低コストで製造できる技術「LCZ法」を開発した。2020年の発電コスト目標として掲げられている14円/kWhを実現する技術の1つになるとみられている。(2016/3/29)

高効率太陽電池:
シリコンを用いた高効率太陽電池、「限界」を突破するには
安価な部材を使い、製造しやすく、高効率な太陽電池を作りたい。米NRELとスイスCSEMが2016年1月に発表した手法では、シリコン技術をベースに異種の半導体を組み合わせた。2層を上下に並べて機械的に接続し、29.8%という高い変換効率を得た。どのような特徴がある技術なのか、NRELのDavid Young氏に開発ポイントを聞いた。(2016/3/28)

蓄電・発電機器:
電気自動車の充電時間を短縮できる全固体電池、トヨタと東工大が開発
次世代の電気自動車に搭載する高性能のリチウムイオン電池の研究開発が活発に進んでいる。トヨタ自動車と東京工業大学の研究グループは電解液を使わない全固体電池の性能を向上させることに成功した。リチウムイオンの伝導率を従来の2倍に高めて、充電・放電時間を3分の1以下に短縮できる。(2016/3/23)

MRAMでギガヘルツ動作が可能に?:
スピン軌道トルク用いた第3の新方式、動作を実証
東北大学電気通信研究所の大野英男教授、電気通信研究所の深見俊輔准教授らは、従来の2つの方式とは異なる新しいスピン軌道トルク磁化反転方式を開発し、その動作実証に成功したと発表した。今後の技術開発によって、低消費電力で高性能なメモリや集積回路の実現が期待される。(2016/3/23)

燃料電池車:
トヨタから1年遅れ、それでもホンダは燃料電池車を普通のセダンにしたかった
ホンダは2016年3月10日、セダンタイプの新型燃料電池車「CLARITY FUEL CELL(クラリティ フューエルセル)」を発売した。水素タンクの充填時間は3分程度、満充填からの走行距離は750Kmとし、パッケージングも含めてガソリンエンジン車とそん色ない使い勝手を目指した。(2016/3/11)

約6億円を投じる3カ年計画:
欧州、III-V族半導体の開発プログラムを始動
欧州が、III-V族化合物半導体の開発に本腰を入れる。IBMをはじめ、ドイツやフランスの研究機関、イギリスの大学など、欧州の知識を集結させて、III-V族半導体を用いたトランジスタの研究開発を進める。(2016/3/9)

災害時に液体水素がなくても大丈夫!:
シリコン産廃を燃料電池の水素供給源にする技術
大阪大学産業科学研究所の小林研究室は、「スマートエネルギーWeek2016」で、シリコン(Si)産業廃棄物を原材料として作製したナノ粒子を用い、大量の水素を効率よく発生させることができるプロセスのデモ展示を行った。燃料電池への水素供給源として利用できる。(2016/3/7)

パナソニック「世界最高記録」:
Si系太陽電池でモジュール変換効率23.8%達成
パナソニックは2016年3月2日、シリコン(Si)系太陽電池のモジュール変換効率で23.8%を達成したと発表した。(2016/3/2)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(1):
システム設計の要諦は電力管理
今回から、2015年12月に開催された「IEDM2015」でARM Researchが講演した、メモリ技術の解説をお届けしよう。まずは、システム設計が抱える課題から紹介していきたい。(2016/2/17)

電子デバイスや二次電池電極の材料応用に期待:
二層シリセン合成に成功、大気中でも構造安定
豊田中央研究所の中野秀之主席研究員らは、大気中で安定的に取り扱うことができる二層シリセンの合成に成功した。今回の研究成果は車両の走行制御用電子デバイスや二次電池の電極材料として応用が期待される。(2016/2/10)

福田昭のデバイス通信(61):
IEDMで発表されていた3D Xpointの基本技術(後編)
前編に続き、IntelとMicron Technologyの次世代不揮発性メモリ「3D XPoint」について解説しよう。今回は、「オボニック・スレッショルド・スイッチ(OTS:Ovonic Threshold Switch)」と、材料について詳しく見ていきたい。(2016/2/1)

シリコン・ラボ Si1133/Si1153:
高精度UV測定と日光下性能に優れた光学センサー
シリコン・ラボラトリーズは、紫外線保護とジェスチャー認識を強化する光学センサー「Si1133」「Si1153」を発表した。高精度の紫外線測定や日光下での性能、近接センシングに優れている。(2016/2/1)

手作業の測定からインライン検査まで対応:
GaN基板などの欠陥を高速・高感度に検出
レーザーテックは、「第33回 エレクトロテスト ジャパン」で、ハイブリッドレーザーマイクロスコープ「OPTELICS HYBRID」を中心に、半導体材料やデバイスの表面形状測定/観察を行うための装置を紹介した。(2016/1/20)

蓄電・発電機器:
ガスから作る太陽電池、効率23%でコスト半減
製造時に原料が無駄になり、消費電力も大きい。現在主流の結晶シリコン太陽電池の「弱点」だ。長州産業は米Crystal Solarと共同でこの問題を解き、製品に直結する成果を得た。現在最高水準にある製品と同等の変換効率23%を実現し、コストを半減できるという。シリコンウエハーを「ガス」から直接作り上げることで実現した。(2015/12/17)

蓄電・発電技術:
容量2倍のリチウム電池、重さは変わらず
炭素以外の優れた材料を電極に取り込む。これがリチウムイオン蓄電池の容量を増やす秘訣だ。日立マクセルのULSiON技術は、炭素とシリコンを利用して蓄電池のエネルギー密度を約2倍に高めるというもの。蓄電池の利用時間が2倍に延び、ユーザーの利便性が高まる。(2015/12/16)

効率は87%を達成:
GaNの「最小」ACアダプター、充電時間も1/3に
富士通研究所は、窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)パワーデバイスを用いて、モバイル端末などの急速充電を可能にする12W出力の小型ACアダプターを開発したと発表した。(2015/12/9)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(13):
スピン論理で低消費・高密度の回路を構築
13回にわたりお届けしてきたIEDM 2015のプレビューは、今回が最終回となる。本稿ではセッション32〜35を紹介する。折り曲げられるトランジスタや、電子のスピンを利用した論理回路、疾患を素早く検知する人工知能ナノアレイ技術などに関連する研究成果が発表される。(2015/12/4)



多くの予想を裏切り、第45代アメリカ合衆国大統領選挙に勝利。貿易に関しては明らかに保護主義的になり、海外人材の活用も難しくなる見込みであり、特にグローバル企業にとっては逆風となるかもしれない。

携帯機としても据え置き機としても使える、任天堂の最新ゲーム機。本体+ディスプレイ、分解可能なコントローラ、テレビに接続するためのドックといった構成で、特に携帯機としての複数人プレイの幅が広くなる印象だ。

アベノミクスの中でも大きなテーマとされている働き方改革と労働生産性の向上。その実現のためには人工知能等も含むITの活用も重要であり、IT業界では自ら率先して新たな取り組みを行う企業も増えてきている。