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「シリコン」最新記事一覧

シリコンラボ Si72xx:
耐タンパ性能を強化したホール効果磁気センサー
シリコン・ラボラトリーズは、産業機器、家電、自動車設計向けに電力効率や感度、耐タンパを強化した、ホール効果磁気センサー「Si72xx」ファミリーを発表した。スリープ時の電流は100nA未満となる。(2017/10/5)

TIの協力を得て:
米大学が低コストのパワーSiC「PRESiCE」を発表
2017年9月、米大学がTexas Instruments(TI)の協力を得て、SiC(炭化ケイ素)を用いたパワーデバイスを低コストで製造できる独自技術を開発したと発表した。(2017/9/26)

インターシル ISL71xxxM:
超小型衛星向け、コストにも考慮した耐放射線IC
インターシルが低価格な耐放射線ICを発表した。AEC-Q100と同等の信頼性を確保しながら低コストを意図し、小型/超小型衛星や高高度アビオニクス、一部医療機器での利用にも適する。(2017/9/22)

グラフェンを超える2次元材料:
東北大、シリセンをフラットな構成単位に構築
東北大学の高橋まさえ准教授は、ジグザグ構造のケイ素2次元シート「シリセン」をフラットにできる構成単位の構築に成功した。(2017/9/11)

低温、低圧、大気中でダイアタッチ:
銅やニッケルの電極への銀粒子焼結接合が可能に
欧州で実用化が進むなど、世界中に拡大している次世代パワー半導体接続技術「銀粒子焼結接合」。メタライズ面が銀に限られるのが課題だったが、大阪大学はペースト(溶剤)やシートを新開発し、ニッケル(Ni)や銅(Cu)などの電極の銀粒子焼結接合を可能にした。(2017/9/7)

次世代パワー半導体の生産性改善:
SiCなど難加工材半導体向け研磨パッドを開発
帝人フロンティアは、次世代パワー半導体材料として期待されるSiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)の仕上げ加工を、高速かつ低コストで実現できる研磨パッドを開発した。(2017/8/29)

180cm2の実用サイズで:
Si太陽電池のセル変換効率26.33%を達成 カネカ
カネカは、結晶シリコン太陽電池のセル変換効率で、26.63%を実用サイズ(180cm2)で達成したと発表した。(2017/8/28)

シリコン・ラボ Si4795xなど:
デジタルラジオ規格対応の車載ICソリューション
シリコン・ラボラトリーズは、AMやFMレシーバーおよびデジタルラジオチューナーの「Global Eagle(Si4795x)」「Dual Eagle(Si4796x/Si4797x)」ファミリー、デジタルラジオプロセッサの「Digital Falcon(Si469x)」を発表した。(2017/8/24)

福田昭のストレージ通信(70) 強誘電体メモリの再発見(14):
新材料「二酸化ハフニウム」が強誘電体になる条件
強誘電体の二酸化ハフニウムがを作製するには、添加物をドーピングする方法と、二酸化ジルコニウムとの混晶による方法の2種類がある。今回は、これらの方法において二酸化ハフニウムが強誘電体となる条件と、結晶構造との関係について解説する。(2017/8/22)

福田昭のストレージ通信(69) 強誘電体メモリの再発見(13):
新材料「二酸化ハフニウム」における強誘電性の発見
今回は、強誘電体の二酸化ハフニウムを作製する2つの方法と、二酸化ハフニウムが誘電体としての性質を大きく変化させる原因について解説する。(2017/8/17)

太陽光:
シリコンを上回る新記録、ペロブスカイト+Siの太陽電池
ベルギーのIMECなどが、ペロブスカイトとシリコンを組みわせたのタンデム構造の太陽電池モジュールを開発。従来のシリコン太陽電池を上回る23.9%の変換効率を達成した。(2017/8/16)

約24%の変換効率:
ぺロブスカイトとSiのタンデム太陽電池で新記録
IMECなどが、ぺロブスカイトとシリコンのタンデム太陽電池モジュールで約24%の変換効率を達成した。アパーチャ面積4×4cmの積層型太陽電池モジュールとしては過去最高の値だという。(2017/8/14)

−270℃で650cm2/Vsに達する:
有機半導体の電荷移動度、極低温でSi並みに
産業技術総合研究所(産総研)と東京大学が、フォノン散乱で高移動度有機半導体の電荷移動度やスピン緩和時間が定まることを明らかにした。−270℃の極低温で分子の揺らぎを抑えれば、高移動度有機半導体の電荷移動度は650cm2/Vsに達するという。(2017/8/3)

電気抵抗は半分以下に:
富士電機、トレンチゲート構造のSiC-MOSFET
富士電機は、トレンチゲート構造の「SiC-MOSFET」を開発した。プレーナーゲート構造を用いた素子に比べて、電気抵抗は5割以上も小さくなる。(2017/7/10)

シリコン・ラボ Si54x:
低ジッタで任意の周波数に対応できる水晶発振器
シリコン・ラボラトリーズは、最低80フェムト秒の低ジッタ性能を備え、任意の周波数に対応する水晶発振器「Si54x」シリーズを発表した。オプションで、シングル、デュアル、クアッドの出力周波数を切り替え可能な機能を搭載できる。(2017/7/7)

三菱電機 XシリーズLV100タイプ:
最大級の電流密度を誇るパワー半導体モジュール
三菱電機は電鉄や電力などの大型産業機器向けに、大容量パワー半導体モジュール「HVIGBTモジュールXシリーズ LV100タイプ」2種を発表した。大電流密度により、インバーターの高出力化や高効率化に寄与する。(2017/6/26)

太陽光:
「成膜のコストを10分の1に」 GaAs太陽電池の普及へ、低コストな製造法を開発
産業技術総合研究所 太陽光発電研究センターなどは、ガリウムヒ素(GaAs)太陽電池を低コストで高いスループットで製造できるハイドライド気相成長装置を開発したと発表した。(2017/6/16)

安川電機 Σ-7:
「世界初」のGaNパワー半導体搭載サーボドライブ
安川電機はACサーボドライブ「Σ-7」シリーズの新製品として、GaNパワー半導体を用いたアンプ内蔵タイプの販売を開始した。GaNパワー半導体の採用で入出力の効率を高め、小型化も進めた。(2017/6/5)

三菱電機 XシリーズLV100タイプ:
最大級の電流密度を誇るパワー半導体モジュール
三菱電機は、電鉄や電力などの大型産業機器向けに、大容量パワー半導体モジュール「HVIGBTモジュールXシリーズ LV100タイプ」2種を発表した。大電流密度により、インバーターの高出力化や高効率化に寄与する。(2017/5/17)

情報化施工:
世界記録の効率24.13%、n型単結晶のシリコン太陽電池セル
さらなる効率化に向けた研究開発が進む太陽電池で、新たな世界記録が生まれた。トリナ・ソーラーが、n型の単結晶シリコン型で、バックコンタクト構造を採用する太陽電池セルで、世界最高となる実効変換効率24.13%を達成した。(2017/5/15)

原子間力顕微鏡を活用:
東京大学、原子一個の電気陰性度の測定に成功
東京大学は、原子間力顕微鏡(AFM)を用い、固体表面上にある原子個々の電気陰性度を測定することに成功した。さまざまな触媒表面や反応性分子の化学活性度を原子レベルで測定することが可能となる。(2017/5/9)

Geスピントロニクス素子実現へ:
Ge中のスピン伝導現象を解明、阪大など
大阪大学らの研究グループは、ゲルマニウム(Ge)中のスピン伝導現象を解明した。半導体素子のさらなる高速化と低消費電力化を可能にする研究成果として注目される。(2017/5/9)

AEC-Q101準拠GaNでいよいよ自動車にも:
PR:GaNで魅力をプラス! GaNパワートランジスタで差異化を図った製品が続々登場
GaNパワーデバイスを用いた機器の製品化が相次いでいる。先日開催された展示会「TECHNO-FRONTIER 2017」でも、GaNのメリットを生かした革新的な製品が披露され大きな注目を集めた。そこで本稿では、車載向け信頼性基準AEC-Q101準拠品なども登場しているGaNパワートランジスタを搭載した製品を詳しく見ていきながら、GaNの魅力や、GaNは本当に使えるデバイスなのかを確かめていく。(2017/4/24)

電気特性劣化の要因特定が可能に:
多結晶Siトランジスタの性能と結晶性の関係を評価
東芝は、薄膜多結晶シリコン(Si)トランジスタのチャネル(電流経路)部の性能と結晶性の関係を可視化する技術を開発した。その結果、個々の多結晶トランジスタの性能が結晶粒の平均的な大きさだけでなく、トランジスタのチャネル部を横断する結晶粒界の有無にも大きく依存することが明らかになった。(2017/4/10)

富士経済 次世代パワー半導体市場調査:
パワー半導体市場で順調に伸びるSiCとGaN、2025年には2000億円を視野に
より高い通電性と低電力損失を目指した素材の本格展開が進むパワー半導体。2025年にはSiCとGaNが1860億円の市場にまで成長するとの予測。富士経済調べ。(2017/4/5)

蓄電・発電機器:
貼れるフィルム型の太陽電池、積水化学が印刷技術で量産へ
積水化学工業は2017年3月、フィルム型色素増感太陽電池のロール・ツー・ロール方式での量産技術を完成させ、パイロット生産機をつくば事業所(茨城県つくば市)に導入した。(2017/4/4)

TechFactory通信 編集後記:
歌う電車と次世代パワー半導体
ファソラシドレミファソー。(2017/4/1)

ダイヤモンドを上回る耐熱性:
硬い透明セラミックス、シリコンと窒素から合成
東京工業大学は、シリコンと窒素の原子が結合した化合物から、硬い透明セラミックスを合成することに成功した。開発した物質は全物質中で3番目の硬さを持ち、耐熱性はダイヤモンドを上回る。(2017/3/22)

車載半導体:
オンセミがIBMからミリ波技術を買収、車載向けセンサーと設計拠点を拡充
オン・セミコンダクターは、IBMから車載用ミリ波技術を取得した。これにより、オン・セミコンダクターは車載向けのカメラとミリ波レーダーのセンサーフュージョンに対応できるようになる。センサーフュージョンの設計開発拠点を英国に新設することも明らかにした。(2017/3/15)

蓄電・発電機器:
高性能リチウム電池、産廃シリコンを利用
リチウムイオン蓄電池の性能を高める手法として、実用化が進む「シリコン負極」。容量を従来の3倍程度に高めることが可能だ。しかし、負極の構造が複雑になり、原料コスト、製造コストがかさむ。東北大学と大阪大学の共同研究チームは、半導体産業の産業廃棄物であるシリコン切粉を原料として用い、製造コストを引き下げる技術を開発した。試作した蓄電池の性能は高い。(2017/2/24)

Si切粉を負極材に変える新技術:
産業廃棄物をリチウムイオン電池材にリサイクル
東北大学と大阪大学の研究グループは、産業廃棄物となっていたシリコン(Si)切粉を、高性能なリチウムイオン電池負極材料に変えることができるリサイクル方法を開発した。(2017/2/23)

蓄電・発電機器:
太陽電池が反応する波長の光に変換、1000℃の熱で発電効率40%以上に
京都大学と大阪ガスの共同研究チームが太陽電池の発電効率を40%以上に高める新技術を開発した。太陽電池の素材にもなるシリコンを微細な3次元構造で形成して光源を作る。この光源に1000℃の熱を加えると、太陽光のうち発電に利用できる波長の光だけを放出する特性が生まれる。(2017/1/5)

SEMICON Japan 2016レポート:
SiCを約300μm厚に、ワイヤ放電でスライス
三菱電機は、「SEMICON Japan 2016」において、直径4インチのSiC(炭化ケイ素)素材を、ウエハー厚み約300μmでスライス加工する「マルチワイヤ放電スライス技術」を紹介した。(2016/12/16)

シリコン・ラボ Thunderboard Sense:
バッテリー駆動の無線センサーノード向け開発キット
シリコン・ラボラトリーズは、バッテリー駆動の無線センサーノードに必要となるハードウェアとソフトウェアを全て搭載した、センサークラウド開発キット「Thunderboard Sense」を発表した。(2016/12/14)

IEDM 2016:
進む7nmプロセスの開発、TSMCとIBMが成果を発表
米サンフランシスコで開催された「IEDM 2016」では、TSMCとIBMがそれぞれ最新プロセス技術について発表し、会場を大いに沸かせたようだ。(2016/12/8)

3分の1スケーリングで実証:
東工大、微細化でIGBTのオン抵抗を半減
東京工業大学は、微細加工技術によりシリコンパワートランジスタの性能を向上させることに成功したと発表した。従来に比べオン抵抗を約50%低減できることを実証した。(2016/12/7)

採用事例も紹介:
窒化ガリウム、D級オーディオの音質と効率を向上
窒化ガリウム(GaN)ベースのスイッチング・トランジスタを用いたD級オーディオ・アンプの実用化が始まっている。これまでD級オーディオシステムで用いられてきたシリコン(Si)ベースのトランジスタはどういった課題を抱えてきたのかを振り返りつつ、GaNベースのトランジスタを紹介する。(2016/12/9)

蓄電・発電機器:
太陽電池の出荷に回復の兆し、第2四半期は前年比94%、発電事業用は110%
2015年度に入ってから太陽電池モジュールの出荷量が前年を下回っていたが、直近の2016年度の第2四半期は回復の兆しが見られる。国内の出荷量は前年比94%の166万kWに達した。このうち5割以上を占める発電事業用が前年比110%と伸びて、第1四半期から1.5倍以上に拡大している。(2016/12/2)

企業動向を振り返る 2016年10月版:
過去最高金額の達成あり、当局による無効あり、激動続く半導体業界M&A
過去1カ月間のエレクトロニクス関連企業の動向をピックアップしてお届けする「企業動向を振り返る」。2016年10月も動きは止まらず、クアルコムがNXPを5兆円近くで買収する合意に達しました。この金額は半導体史上最高額のM&Aとなります。(2016/11/21)

大いなるポテンシャル:
シリコンが次の手、村田製作所のキャパシター戦略
2016年10月に村田製作所が買収したフランスのIPDiAは、シリコンキャパシターを事業として手掛けるほぼ唯一のメーカーだ。積層セラミックコンデンサーに比べてかなり高価なシリコンキャパシターは、その用途は限られている。それにもかかわらず、なぜ村田製作所はIPDiAの買収に至ったのか。(2016/11/18)

太陽光:
理論限界を突破、シリコン利用の太陽電池で30.2%
量産可能な太陽電池で変換効率30%の壁を突破したい。ドイツのフラウンホーファー研究所はこの目的に一歩近づいた。シリコン基板と他の材料を組み合わせたこと、組み合わせる際に、マイクロエレクトロニクス分野で実績のあるウエハー接合装置を利用したことが特徴だ。高い変換効率と低コストを両立させる技術開発だといえる。(2016/11/15)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(5):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリの多様な材料組成
今回から「抵抗変化メモリ(ReRAM)の研究開発動向」の本格的な解説に入る。まずは、過去の国際学会で発表された論文から、ReRAMの材料組成の傾向をみていく。(2016/11/14)

コンデンサー事業の強化目指して:
村田製作所、仏Siキャパシターメーカー買収
村田製作所は2016年10月12日、フランスに本社を置くシリコン(Si)キャパシターメーカーを買収すると発表した。(2016/10/13)

福田昭のデバイス通信(92):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(Applied Materials編)
Applied Materialsの講演では、MOSFETの微細化ロードマップと、微細化の手法および課題が解説された。7nm世代のFinFETでは、フィンを狭く、高くするとともにコンタクト用の金属材料を変える必要が出てくる。FinFETの限界が見え始める5nm世代では、微細化の手法として主に2つの選択肢がある。(2016/10/7)

福田昭のデバイス通信(90):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(imec編)
imecは次世代のリソグラフィ技術を展望するフォーラムの講演で、半導体デバイスの微細化ロードマップを披露した。このロードマップでは、微細化の方向が3つに整理されている。シリコンデバイスの微細化、シリコン以外の材料の採用、CMOSではないデバイスの採用だ。imecは、CMOSロジックを微細化していく時の課題についても解説した。(2016/9/27)

マクニカ Mpression IoTメッシュネットワーク・スターターキット:
メッシュネットワークを用いた計測/評価をすぐに開始できるIoTデバイス開発キット
マクニカは、メッシュネットワークを利用したIoTデバイスの試作に適した開発キットの提供開始を発表した。(2016/9/16)

マクニカ、メッシュネットワーク利用のIoTデバイス開発キット
Dust Networksを利用したメッシュネットワークの開発キットをマクニカが販売開始した。自動接続機能も備えており、電源を入れるだけでメッシュネットワークを利用した環境測定と評価が行える。(2016/9/9)

蓄電・発電機器:
燃えにくくて軽い太陽電池、電気自動車の屋根や住宅の壁にも
太陽電池の研究開発を担う産業技術総合研究所が、難燃性で軽量の太陽電池モジュールを開発した。太陽電池を保護する封止材にシリコーンゴムを採用したほか、表面をガラスから高分子フィルムに、裏面をアルミ合金で構成して重さを約半分に抑えた。車載用や住宅用の製品開発へつなげる。(2016/9/8)

既存技術による量子コンピュータ集積化の実現へ:
通常のシリコンで高性能「量子ビット」を実装
理化学研究所は2016年8月、産業で用いられる通常のシリコンを用いた半導体ナノデバイスで、量子計算に必要な高い精度を持つ「量子ビット」を実現した。既存の半導体集積化技術を用いた量子ビット素子実装が可能なため、大規模量子計算機の実現に向けた重要なステップになるとしている。(2016/8/24)

「究極のパワーデバイス実現へ」:
反転層型ダイヤモンドMOSFETの動作実証に成功
金沢大学理工研究域電子情報学系の松本翼助氏、徳田規夫氏らの研究グループは、「世界初」となるダイヤモンド半導体を用いた反転層チャンネルMOSFETを作製し、動作実証に成功したと発表した。(2016/8/24)



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意欲的なメディアミックスプロジェクトとしてスタートしたものの、先行したスマホゲームはあえなくクローズ。しかしその後に放映されたTVアニメが大ヒットとなり、多くのフレンズ(ファン)が生まれた。動物園の賑わい、サーバルキャットの写真集完売、主題歌ユニットのミュージックステーション出演など、アニメ最終回後もその影響は続いている。

ITを活用したビジネスの革新、という意味ではこれまでも多くのバズワードが生まれているが、デジタルトランスフォーメーションについては競争の観点で語られることも多い。よくAmazonやUberが例として挙げられるが、自社の競合がこれまでとは異なるIT企業となり、ビジネスモデルレベルで革新的なサービスとの競争を余儀なくされる。つまり「IT活用の度合いが競争優位を左右する」という今や当たり前の事実を、より強調して表現した言葉と言えるだろう。