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» 2011年07月13日 16時13分 UPDATE

東芝、韓国HynixとMRAMを共同開発

東芝が韓国Hynix SemiconductorとMRAM(磁気抵抗変化メモリ)技術を共同開発へ。早期の本格的な実用化を加速する。

[ITmedia]

 東芝は7月13日、韓国Hynix SemiconductorとMRAM(磁気抵抗変化メモリ)技術を共同開発することで合意したと発表した。韓国内にあるHynixの研究施設で両社の技術者が共同で開発に当たる。将来の製造面での協業も今後協議していく。

 MRAMは、フラッシュメモリと同様に電源を切ってもデータを保持できる不揮発性メモリ。低消費電力かつ書き込み速度が高速なのが特徴で、東芝は自社のNANDフラッシュと組み合わせることで新しいアプリケーションを創出できると期待している。

 東芝、HynixともMRAM技術の研究開発で実績があり、両社で組むことで開発コスト負担を抑えつつ、MRAMの本格的な実用化を加速する狙い。

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