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「MRAM」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「MRAM」に関する情報が集まったページです。

新たな磁気メモリの実用化近づく:
東北大学、SOT-MRAMセルの動作実証に成功
東北大学は、400℃の熱処理耐性と無磁場で350ピコ秒の高速動作、10年間データ保持を可能とする熱安定性を実現したスピン軌道トルク(SOT)型磁気トンネル素子の作製に成功した。SOT-MRAMセルとしての動作も確認した。(2019/12/12)

EE Exclusive:
拡大基調が見え始めたMRAM、鍵はエコシステムと製造技術
MRAM(磁気抵抗メモリ)の採用が拡大基調に突入しようとしている。ただし、採用がすぐに進むかどうかは、製造技術の進歩と、ディスクリートおよび組み込みMRAMデバイスの技術をサポートするエコシステムの発展の両方にかかっている。(2019/9/30)

アプライド マテリアルズ:
次世代メモリの本格量産を可能にする新PVD装置
アプライド マテリアルズ ジャパンは、東京都内で記者説明会を行い、MRAM(磁気抵抗メモリ)やReRAM(抵抗変化型メモリ)など新型メモリの量産を可能にするPVD(物理蒸着)装置について、その特長などを紹介した。(2019/9/19)

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版:
拡大基調が見え始めたMRAM、鍵はエコシステムと製造技術 ―― 電子版2019年9月号
EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版 2019年9月号を発行致しました。今回の電子版先行公開記事(EE Exclusive)は、「拡大基調が見え始めたMRAM、鍵はエコシステムと製造技術」です。他にも、Micron Technology幹部インタビュー記事などを掲載しています。(2019/9/17)

150℃でも十分な熱安定性を実現:
東北大学、車載用途に対応可能なMTJ技術を開発
東北大学は、150℃の高温環境でも、十分なデータ保持時間(熱安定性)を確保できる磁気トンネル接合(MTJ)技術を開発した。車載システムへのSTT-MRAM応用が可能となる。(2019/6/17)

福田昭のストレージ通信(150) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(11):
磁気抵抗メモリ(MRAM)の技術動向と製品動向
今回は、MRAMの技術開発状況と製品化動向を取り上げる。特に、最近のMRAM開発で注目されている埋め込みメモリについて解説する。(2019/6/14)

福田昭のストレージ通信(149) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(10):
磁気抵抗メモリ(MRAM)の長所と短所
今回から磁気抵抗メモリ(MRAM)について解説する。まずはMRAMの構造と、長所、短所をそれぞれ説明しよう。(2019/6/11)

福田昭のストレージ通信(146) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(7):
次世代メモリ技術の最有力候補はPCMとMRAM、ReRAM
今回は、次世代メモリの立ち位置を再確認した上で、相変化メモリ(PCM)、磁気抵抗メモリ(MRAM)、抵抗変化メモリ(ReRAM)という3つの最有力候補について解説する。(2019/5/22)

ロジックへの統合が容易:
Samsung、28nm FD-SOIプロセス適用のeMRAMを出荷へ
Samsung Electronics(以下、Samsung)は、28nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター、以下FDS)プロセスをベースにした最初のeMRAM(組み込み型磁気抵抗メモリ)製品の量産を発表した。(2019/3/12)

ISSCC 2019:
Intel、22nm FinEFT適用MRAMの概要を発表
Intelは、22nm FinFETプロセス適用デバイスで採用する、組み込みSTT-MRAM(スピン注入磁化反転方式の磁気抵抗メモリ)向け技術について、詳細を明らかにした。(2019/2/22)

福田昭のストレージ通信(135) 半導体メモリの勢力図(6):
次世代メモリの市場予測と3D XPointメモリの現状
今回は、次世代メモリのうち、MRAM(磁気抵抗メモリ)とクロスポイントメモリ(XPoint)について、市場予測と開発状況を説明する。(2019/2/15)

福田昭のストレージ通信(134) 半導体メモリの勢力図(5):
既存のメモリと次世代のメモリを比較する
今回は、DRAMやNANDフラッシュメモリなど既存のメモリと、MRAM(磁気抵抗メモリ)やReRAM(抵抗変化メモリ)といったエマージング・メモリ(次世代メモリ)の特徴を比較する。(2019/2/8)

高集積MRAM実現に向けて:
磁力の弱いナノ薄膜磁石を磁気のない金属から作製
東北大学材料科学高等研究所(AIMR)の鈴木和也助教と水上成美教授らの研究グループは2018年12月、磁気のない金属からナノ薄膜磁石(マンガンナノ薄膜磁石)を作ることに成功したと発表した。高集積MRAM(磁気抵抗メモリ)を実現するための材料開発に新たな視点を与える研究成果だとする。(2018/12/14)

スイッチング電流の測定技術確立:
STT-MRAMの不良解析を高精度・高効率で実現
東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター(CIES)の遠藤哲郎センター長らによる研究グループは、アドバンテストと共同でスピン注入型磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)のスイッチング電流を、高い精度で高速に測定する技術を確立した。(2018/11/5)

BiSbをSOT-MRAMに応用:
トポロジカル絶縁体で高性能純スピン注入源開発
東京工業大学は、トポロジカル絶縁体であるBiSb(ビスマスアンチモン)の(012)面方位を用いて、高性能の純スピン注入源を開発した。次世代スピン軌道トルク磁気抵抗メモリ(SOT-MRAM)を実現できる可能性が高まった。(2018/8/2)

福田昭のストレージ通信(110) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(10):
2xnm技術で試作した40Mビット埋め込みMRAM(後編)
2xnm世代のCMOSロジック製造技術によって記憶容量が40Mビット(5Mバイト)の埋め込みMRAMマクロを試作した結果を報告する後編である。ここでは、長期信頼性(書き換えサイクル数とデータ保持期間)とはんだ付け耐熱性に関する試験結果を紹介する。(2018/7/20)

福田昭のストレージ通信(109) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(9):
2xnm技術で試作した40Mビット埋め込みMRAM(前編)
2xnm世代のCMOSロジック製造技術によって記憶容量が40Mビット(5Mバイト)の埋め込みMRAMマクロを試作した結果を、前後編で報告する。前編では、高温動作での読み出し電圧マージンの確保と、低温動作での書き込み電圧マージンの維持について紹介する。(2018/7/18)

福田昭のストレージ通信(108) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(8):
磁気トンネル接合(MTJ)におけるSRAM代替用とフラッシュ代替用の違い
SRAM代替用MRAMとフラッシュメモリ代替用MRAMでは、磁気トンネル接合(MTJ)の特性がどのように異なるのだろうか。(2018/7/6)

Computer Weekly日本語版
期待のストレージクラスメモリ、Z-NAND、3D XPoint、MRAM
ダウンロード無料のPDFマガジン「Computer Weekly日本語版」提供中!(2018/6/30)

福田昭のストレージ通信(107) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(7):
埋め込みMRAMの磁気トンネル接合(MTJ)に要求される条件
多層配線の製造工程に磁気トンネル接合(MTJ)の製造プロセスを組み込むと、どのようなことがMTJに要求されるようになるのか。今回は、その要求を解説する。(2018/6/29)

SCMの時代がやって来た(前編)
期待のストレージクラスメモリ、Z-NAND、3D XPoint、MRAMを理解しよう
不揮発性で既存のSSDよりもはるかに高速な「ストレージクラスメモリ」。IntelとMicronの3D XPointを筆頭に、Z-NANDやMRAMなどが市場に登場している。有望な技術はどれだろうか。(2018/6/27)

福田昭のストレージ通信(106) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(6):
埋め込みMRAMのメモリセルと製造プロセス
今回は、ロジックへの埋め込みに向けたMRAMのメモリセルと製造プロセスについて解説する。(2018/6/21)

福田昭のストレージ通信(105) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(5):
MRAMのメモリセルと読み書きの原理
今回は、MRAMのメモリセルの構造と、データの読み出しと書き込みの原理をご説明する。(2018/6/12)

福田昭のストレージ通信(104) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(4):
IoT/自動車向けMRAMに対する要求仕様とデータ書き換え特性
埋め込みフラッシュメモリの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-F)と、埋め込みSRAMの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-S)が、IoT(モノのインターネット)や自動車で使われる場合、どういった仕様が要求されるのか。データの書き換え特性を中心に解説する。(2018/6/4)

福田昭のストレージ通信(103) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(3):
埋め込みMRAM技術がフラッシュとSRAMを置き換えへ
今回は、GLOBALFOUNDRIESが提供する埋め込みMRAMマクロの概要を解説する。(2018/5/25)

書き込み電流も同時に評価:
STT-MRAM用テスト装置、測定が2万倍高速に
東北大学とキーサイト・テクノロジーは、STT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)の信頼性評価を高速かつ正確に行う技術を開発した。従来システムに比べ2万倍も高速に測定することができる。(2018/5/17)

福田昭のストレージ通信(102) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(2):
微細化限界に達したフラッシュをMRAMで置き換え
埋め込みフラッシュメモリが直面する課題は、微細化の限界である。GLOBALFOUNDRIESは、2xnm以下の技術世代に向けた埋め込み不揮発性メモリとして、MRAM(磁気抵抗メモリ)を考えている。(2018/5/15)

福田昭のストレージ通信(101) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(1):
記憶容量と書き換え回数から最適な埋め込みメモリを選択
半導体デバイス技術に関する国際会議「IEDM」で行われたセミナー「Embedded MRAM Technology for IoT & Automotive(IoTと自動車に向けた埋め込みMRAM技術)」の概要を今回からシリーズで紹介する。(2018/5/9)

100GビットのSTT-MRAM実現へ:
磁気トンネル接合素子、直径3.8nmで動作確認
東北大学電気通信研究所の大野英男教授らによる研究グループは、不揮発性磁気メモリ「STT-MRAM(スピン移行トルク−磁気抵抗RAM)」の大容量化を可能とする磁気トンネル接合素子の新方式を提案し、動作実証に成功した。(2018/2/19)

市場の見通しは明るい:
「MRAMの導入は速く進む」 STTが強気な見解
MRAMを手掛ける数少ない新興企業の1つSpin Transfer Technologies(STT)は、MRAMの根本的な課題を解決する技術の開発を進めているという。CEOに着任したばかりのTom Sparkman氏は、「MRAMの導入は、予想よりもはるかに速く進むのではないか」との見方を示す。(2017/9/15)

高信頼性と低消費電力を実現:
電圧トルクMRAM、書き込みエラー率を低減
産業技術総合研究所(産総研)は、電圧書込み方式磁気メモリ(電圧トルクMRAM)の書込みエラー率を従来の200分の1に低減する技術を開発した。(2017/7/18)

大容量化と高性能化を可能に:
MRAMの3次元積層プロセス技術を開発
産業技術総合研究所(産総研)の薬師寺啓研究チーム長らは、不揮発性磁気メモリー「MRAM」の大容量化、高性能化につながる3次元積層プロセス技術を開発した。(2017/5/22)

Everspinが発表:
STT-MRAM採用のストレージアクセラレーター
MRAM(磁気メモリ)を手掛けるEverspin Technologiesが、STT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)を採用したストレージアクセラレーターを発表した。同社にとって初となる、システムレベルのMRAM製品だという。(2017/3/13)

大容量化と大量生産を加速:
MRAM、参照層スペーサーにイリジウム採用
産業技術総合研究所(産総研)は、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の性能向上や大量生産を可能とする参照層を開発した。(2017/3/2)

電圧トルクMRAM実用化へ:
MRAMの書き込みエラー率、新型回路で低減
東芝と産業技術総合研究所(産総研)は、不揮発性磁気メモリ(MRAM)のための新たな電圧駆動書き込み方式を開発した。消費電力が極めて小さい高速メモリ「電圧トルクMRAM」の実用化に弾みをつける。(2016/12/7)

“完成形”にこだわらず:
次世代不揮発メモリ、まずは出荷を――Everspin
次世代不揮発メモリは幾つか候補はあるものの、実用化には至っていないものも多い。MRAM(磁気抵抗メモリ)メーカーEverspin TechnologiesでCEOを務めるPhillip LoPresti氏は、“完成形”にこだわらず、まずは量産して市場に投入することが重要だと主張する。(2016/9/27)

ギガビット未満の混載MRAMもサポート:
GFの7nm FinFETプロセス、2018年にも製造開始へ
GLOBALFOUNDRIES(GF)が、7nm FinFETプロセスの開発計画を発表した。2018年後半には同プロセスでの製造を開始する予定だという。さらに、同じく2018年には、22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)プロセスで製造するチップにおいて、ギガビット未満の低容量の混載MRAM(磁気抵抗メモリ)をサポートする予定だ。(2016/9/21)

ギガビット級MRAMの開発に道筋:
マンガン系合金ナノ薄膜からTMR素子を作製
東北大学の鈴木和也氏らは2016年7月、垂直磁化マンガン系合金ナノ薄膜を用いたトンネル磁気抵抗(TMR)素子の開発に成功した。ギガビット級の不揮発性磁気抵抗メモリ(MRAM)の開発につながる成果だとみている。(2016/8/1)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(14):
スピン注入型MRAMの不都合な真実
STT-MRAMの基礎を解説するシリーズ。最終回となる今回は、磁気トンネル接合(MTJ)を構成する固定層や磁性層に焦点を当てる。スピン注入型MRAMのMTJは、47層もの層で構成されている。これほどの層が必要なのにはきちんとした理由があるのだが、実は同時にそれがSTT-MRAMの弱点にもなっている。(2016/6/21)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(11):
スピン注入型MRAMの微細化(スケーリング)
STT-MRAMの記憶容量を拡大する最も基本的な方法が、微細化だ。現時点でSTT-MRAMは、研究レベルでかなりのレベルまで微細化できることが分かっている。実際の研究結果を交えて紹介しよう。(2016/6/7)

IMEC Technology Forum:
次世代メモリ、STT-MRAMが優勢か
IMECは、STT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)を次世代メモリの最有力候補とみているようだ。(2016/6/2)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(7):
MRAMの記憶素子「磁気トンネル接合」
今回は、磁気トンネル接合素子に焦点を当てる。磁気トンネル接合素子においてどのように2値のデータを保持できるのか、その仕組みを解説したい。(2016/5/24)

「商品化を大きく促進させる成果」:
2Mb STT-MRAMのセル面積を歩留り維持し30%縮小
東北大学は2016年5月、2Mビット容量のSTT-MRAMのメモリセル面積を、歩留り率を維持しながら、従来比30%縮小できる技術を開発し、実証したと発表した。(2016/5/19)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(3):
強磁性、常磁性、反磁性の違い
今回は、STT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)の動作原理と物理的な作用を説明する。(2016/4/26)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(2):
STT-MRAMの概要と応用の可能性
STT-MRAMを解説するシリーズの2回目となる今回は、STT-MRAMにおける論理値(「0」か「1」か)の判別方法やメモリアレイセルの構造などを説明する。(2016/4/22)

SSDがターゲット:
Everspin、256MビットのST-MRAMをサンプル出荷
MRAMメーカーのEverspin Technologiesが、56MビットのST-MRAM(スピン注入磁化反転型MRAM)のサンプル出荷を開始した。(2016/4/20)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(1):
STT-MRAMの基礎――情報の蓄積に磁気を使う
次世代不揮発メモリの候補の1つに、STT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)がある。データの読み書きが高速で、書き換え可能回数も多い。今回から始まるシリーズでは、STT-MRAMの基本動作やSTT-MRAが求められている理由を、「IEDM2015」の講演内容に沿って説明していこう。(2016/4/19)

スピンホール効果と交換バイアスを利用:
MRAM開発に新しい道? 欧州が研究成果を発表
MRAMの開発を加速させる可能性がある新しい技術を、オランダの大学が発表した。スピンホール効果と交換バイアスを利用するもので、研究チームは、処理速度や記録密度、コストの面でMRAMが抱える課題を解決できると見込んでいる。(2016/3/11)

東芝など「全メモリで世界最高電力性能」:
STT-MRAMでSRAM比1/10以下の消費電力を達成
東芝と東京大学は2016年2月1日、「あらゆる種類のメモリと比べ世界最高の電力性能」というMRAMを開発したと発表した。(2016/2/2)

大容量STT-MRAMの開発を加速:
産総研、TMR素子の記憶安定性を約2倍に向上
産業技術総合研究所(産総研)の薬師寺啓氏は、スピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)に用いられる垂直磁化トンネル磁気抵抗(TMR)素子の記憶安定性を従来の2倍に向上させることに成功した。素子サイズが20nm以下の大容量SST-MRAMを実現することが可能となる。(2015/12/22)



2013年のα7発売から5年経ち、キヤノン、ニコン、パナソニック、シグマがフルサイズミラーレスを相次いで発表した。デジタルだからこそのミラーレス方式は、技術改良を積み重ねて一眼レフ方式に劣っていた点を克服してきており、高級カメラとしても勢いは明らかだ。

言葉としてもはや真新しいものではないが、半導体、デバイス、ネットワーク等のインフラが成熟し、過去の夢想であったクラウドのコンセプトが真に現実化する段階に来ている。
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これからの世の中を大きく変えるであろうテクノロジーのひとつが自動運転だろう。現状のトップランナーにはIT企業が目立ち、自動車市場/交通・輸送サービス市場を中心に激変は避けられない。日本の産業構造にも大きな影響を持つ、まさに破壊的イノベーションとなりそうだ。