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「DRAM」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

Dynamic Random Access Memory

関連キーワード

湯之上隆のナノフォーカス(14):
メモリ不況の夜明けは近い、市場動向から見たDRAMとNANDの挙動
世界半導体市場統計(WSTS)のデータを用いて市場動向をグラフにしてみたところ、両者の挙動が大きく異なることを発見した。本稿では、その挙動を示すとともに、その理由を考察する。その上で、二つのメモリ市場の未来を展望する。(2019/6/17)

メモリ内のデータを読み取られる恐れ、“Rowhammer”利用した新手の攻撃手法「RAMBleed」が判明
DRAMの設計に起因する脆弱性「Rowhammer」を使った「RAMBleed」と呼ばれる攻撃が発見された。発見した研究チームによると「Rowhammerが整合性を脅かすだけでなく、機密性をも脅かすことが実証された」としている。(2019/6/13)

似て非なる両者を比較
いまさら聞けない「フラッシュメモリ」と「DRAM/SRAM」の違いは?
「半導体メモリ」という言葉でひとくくりにされることもある「フラッシュメモリ」と「DRAM/SRAM」。だがこの2種類のメモリは全くの別物だ。両者の違いを整理する。(2019/4/23)

利益は前年同期比で60%減か:
Samsung、19年Q1の業績は大幅悪化 メモリ不況で
Samsung Electronics(以下、Samsung)は、DRAMおよびNAND型フラッシュメモリチップの価格が継続的に下落する中、2019年第1四半期の売上高、利益とも大幅に減少する見込みだ。(2019/4/9)

共同CEOのHaijun Zhao氏:
清華紫光集団がSMICのCEOを引き抜きか、DRAM強化で
中国のほぼ全ての半導体資産を管理する国有持ち株会社Tsinghua Unigroup(清華紫光集団、以下Tsinghua)は、中国国内のDRAM業界を再構築すべく、SMIC(Semiconductor Manufacturing International Corporation)の共同CEO(最高経営責任者)であるHaijun Zhao氏を引き抜く考えのようだ。(2019/4/4)

福田昭のストレージ通信(140) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(3):
DRAMのスケーリング論
今回はDRAMのスケーリングと、次世代メモリへのニーズが高まっている背景を取り上げる。(2019/4/2)

ATP DDR3 8Gb DRAM搭載DRAMモジュール:
供給不足を補うDDR3 DRAMモジュール
ATP Electronicsは、大容量の「ATP DDR3 8Gb DRAM」を搭載したDRAMモジュールを発表した。DDR4プラットフォームにアップグレードできないネットワークや組み込み機器に対応し、DDR3 DRAMの供給不足を補うことができる。(2019/3/29)

福田昭のストレージ通信(134) 半導体メモリの勢力図(5):
既存のメモリと次世代のメモリを比較する
今回は、DRAMやNANDフラッシュメモリなど既存のメモリと、MRAM(磁気抵抗メモリ)やReRAM(抵抗変化メモリ)といったエマージング・メモリ(次世代メモリ)の特徴を比較する。(2019/2/8)

福田昭のストレージ通信(133) 半導体メモリの勢力図(4):
鈍化するNANDフラッシュとDRAMの市場成長
今回は、NANDフラッシュメモリとDRAMの市場成長と価格変動について取り上げる。後半では、プレーナー型NANDフラッシュと3D NANDフラッシュの製造コストを比較する。(2019/2/1)

福田昭のデバイス通信(177) Intelの「始まり」を振り返る(10):
Intelの創業7年目(1974年):DRAMが「特殊なメモリ」だった理由
今回は、Intel創業7年目となる1974年の半導体メモリに関連する状況を解説する。(2019/1/23)

ISS 2019:
折り曲げ可能なスマホから3D DRAMまで、SEMIイベント
エンジニアたちは現在、折りたたみ式スマートフォンや折り曲げ可能なディスプレイ、次世代DRAMなどの実現に向けて取り組む上で、大きな課題に直面している。しかしそこには、新しいクラスのヘルスケアデバイスや3Dチップスタックを提供することが可能な、数々のチャンスが広がっている。(2019/1/21)

福田昭のストレージ通信(130) 半導体メモリの勢力図(1):
DRAMとNANDフラッシュのベンダー別シェア
2018年に開催された「フラッシュメモリサミット」では、さまざまな講演が行われた。今回から始まるシリーズでは、半導体メモリ市場を分析した講演「Flash Market Update 2018」の内容を紹介する。(2019/1/10)

Publickey:
メモリ容量を最大8倍に拡張してくれるNVMe SSD Western Digital「Ultrastar Memory Extension Drive」発表
仮想記憶の仕組みを用いて、メモリ容量を最大8倍にまで拡大できるSSDをWestern Digitalが発表しました。安価なNVMe SSDでも、高価なDRAMを何百GBも購入するのに近い性能を得られる、コストパフォーマンスの高さが最大の魅力です。(2018/11/16)

低データレートでの消費電力を劇的に低減:
PR:モバイルDRAMの省電力に新機能、ディープパワーダウンとセルフリフレッシュモードが融合
スマートフォンなどモバイル機器の多くは、待機状態の割合が長く、待機時の消費電力削減が重要です。モバイル機器に搭載されるDRAM(モバイルDRAM)も低データレートでの消費電力削減が求められています。そうした中で、ウィンボンドは、低データレートで動作するモバイルDRAMの消費電力を劇的に低減させる新機能を開発しました。(2018/11/14)

NANDフラッシュの世代交代はいつ?
3D XPointだけじゃない NANDやDRAMに代わる新たなメモリテクノロジー
NANDフラッシュはメモリ市場で優位に立っている。だが、コストとスケーリングの限界により、徐々にIntelの「3D XPoint」などの新たなテクノロジーにその立場を明け渡すことになるだろう。(2018/11/9)

米司法省、中国と台湾の半導体企業などを起訴 米MicronからDRAM技術盗んだ罪
台湾の聯華電子と中国国有の福建省晋華集成電路および、米Micron Technologyの台湾子会社従業員だった台湾人3人が、経済スパイに関与した罪で米大陪審に起訴された。(2018/11/2)

10〜12月は前年比5%下落か:
DRAMの価格下落が加速
メモリチップ価格の追跡を手掛ける市場調査会社TrendForceによると、DRAM価格は2018年第4四半期(10〜12月)に同年前期比で約5%下落する見込みだという。(2018/10/5)

好況、不況を繰り返す:
DRAM市場、2018年は好調も2019年以降は低迷か
実績あるメモリ技術は、これまで長い間、好況と不況のサイクルを繰り返してきた。3D(3次元) NAND型フラッシュメモリの価格が下落しても、DRAMはまだ堅調な成長を遂げている。しかし、その状況はどれくらいの間続くのだろうか。(2018/9/26)

サーバ1台で10台分のインメモリ性能:
サーバ主記憶の拡張技術で処理性能が3.6倍に――富士通が実証実験
富士通研究所と富士通は、フラッシュメモリを利用してサーバの主記憶容量(DRAM)を仮想的に拡張する技術「MMGIC」の実証実験をインドSify Technologiesの協力を得て実施した。その結果、同技術を適用すると、サーバ1台で10台分と同等の処理性能を発揮することを確認した。(2018/9/20)

チップ市場全体の成長をけん引:
DRAM市場が好調、18年には1000億ドル超の可能性も
市場調査会社によれば、価格上昇の波に乗るDRAM市場は、2018年に前年比で30%以上の成長を遂げ、1000億米ドル規模に達すると予測されるという。(2018/8/13)

韓国・利川に:
SK Hynix、31億米ドルを投じメモリ新工場建設へ
SK Hynixは2018年7月27日、約31億米ドルを投じて、韓国にある本社に新たなDRAM製造施設を建設する計画を発表した。(2018/7/31)

Androidに存在するメモリ関連の脆弱性「RAMpage」、重要情報流出の恐れ
RAMpageは「Rowhammer」と呼ばれるDRAMの設計上の問題に関連して、欧州や米国の研究チームが発見した脆弱性だ。(2018/6/29)

4400MT/秒の転送速度を達成:
Cadence、7nmプロセスでDDR5インタフェースを試作
Cadence Design Systems(以下、ケイデンス)は2018年5月1日(現地時間)、規格策定中であるDDR5 DRAMの初期バージョンに対応するインタフェースIP(Intellectual Property)を、テストチップとして初めて試作したと発表した。(2018/5/8)

Android端末に「Rowhammer攻撃」、ChromeやFirefoxに脆弱性
DRAMの設計上の弱点を突く「Rowhammer攻撃」を仕掛け、Webブラウザのセキュリティ対策をかわせてしまう脆弱性が発見された。(2018/5/7)

DRAMだけでも10ドル以上だが……:
AI搭載IoT機器の普及には、安価なチップが不可欠
スマートホーム向けの照明システムの開発を手掛ける米Noon Homeは、IoTに機械学習を取り込むために、より安価なSoC(System on Chip)やDRAMの重要性を主張している。(2018/4/11)

福田昭のデバイス通信(129) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(5):
ISSCC技術講演の2日目午前ハイライト(その2)、GPS不要の超小型ナビ、16Gビット高速大容量DRAMなど
「ISSCC 2018」2日目午前に行われるセッションのうち、セッション9〜12の見どころを紹介する。76GHz〜81GHz帯を使用する車載用ミリ波レーダー送受信回路や、超小型の慣性式ナビゲーションシステム、GDDR6準拠の16GビットDRAMなどが登場する。(2018/1/9)

データ転送速度は3600Mbps:
Samsung、10nmクラスの8Gb DDR4 DRAMを量産開始
Samsung Electronicsが、10nmクラスのプロセスを採用した第2世代の8GビットDDR4 DRAMの量産を開始したと発表した。(2017/12/25)

2017年は260億ドルに増大:
Samsungが設備投資費を倍増、中国には痛手か
DRAMの強いニーズを受け、Samsung Electronicsは半導体設備投資費を拡大する。2016年の113億米ドルから倍増し、2017年は260億米ドルとなる見込みだ。メモリに力を入れる中国にとっては、Samsungとの差がさらに大きく開く可能性もある。(2017/11/27)

福田昭のストレージ通信(86) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(7):
まとめ:新世代のメモリを創造する二酸化ハフニウム/ジルコニウム
今回は、強誘電体メモリに関する2つのシリーズ「強誘電体メモリの再発見」と「反強誘電体が起爆するDRAM革命」の要点をまとめる。2011年に二酸化ハフニウム強誘電体が公表されてからの研究成果を振り返るとともに、これからの課題についても触れておきたい。(2017/11/2)

ハードウェアの転換期
真のDRAM代替メモリとは 未来のITインフラで起こるメモリ技術の革新
未来のデータセンターにおけるDRAMの代替を探る動きが進んでいる。業界専門家によると、データセンターハードウェアには今後、数多くの革新がもたらされる見通しだ。(2017/11/2)

福田昭のストレージ通信(85) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(6):
「不揮発性DRAM」へのアプローチ(後編)
後編では、NaMLabやドレスデン工科大学などの共同研究グループが試作した、3次元構造の反強誘電体キャパシターアレイと、その特性を紹介する。(2017/10/27)

福田昭のストレージ通信(84) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(5):
「不揮発性DRAM」へのアプローチ(前編)
今回から、「不揮発性DRAM」の実現を目指す研究開発について解説する。二酸化ジルコニウムは、その結晶構造から、工夫次第で強誘電体のような不揮発性を付加できる可能性がある。(2017/10/20)

需要と供給のバランスが取れず:
メモリ価格の高騰はしばらく続く
DRAMとNAND型フラッシュメモリは価格は上昇していて、この傾向は今後もしばらく続くという。(2017/9/1)

「ソフトウェア定義メモリ」がもたらすチャンスと課題
「NVDIMM」「DRAM」強化で“ソフトウェア定義メモリ”実現、驚きの性能とは?
NVDIMMとDRAMの役割が拡大し、ソフトウェア定義メモリが実現することで、今後、企業データセンターの柔軟性が向上することが予想される。ただし幾つか課題もある。(2017/8/31)

主要ベンダーと製品も紹介
いまさら聞けない次世代メモリ技術「3D XPoint」とは
IntelとMicron Technologyが共同開発した次世代メモリ/ストレージ技術「3D XPoint」。両社によれば、DRAMとNANDフラッシュメモリの間を埋める新しい技術になるという。(2017/8/24)

応用範囲の拡大で需要が増加:
2017Q2のDRAM世界売上高、過去最高の165億ドルに
2017年第2四半期(4〜6月期)のDRAM世界売上高が、過去最高の165億米ドル以上となった。DRAMeXchangeの予測によると、DRAMの販売価格は2017年の残りの期間、引き続き上昇し続けるという。(2017/8/23)

価格差は平行線のまま
SSDとHDDの性能とコストを徹底比較、“王位継承”は起きるのか?
SSDはHDDと比べると桁違いに高速だ。データセンターではSSDの採用が増え、DRAMの導入も始まっている。それでも当面のところ、HDDは生き残っていきそうだ。(2017/8/9)

価格上昇につながる可能性も:
Micronの台湾DRAM工場が稼働停止、供給に影響か
Micron Technologyの子会社であるInotera MemoriesのDRAM製造工場の稼働が停止したことで、DRAMの世界供給量が低下する可能性が出てきた。それにより、価格の上昇も懸念されている。(2017/7/7)

季節的な要因で売上高がやや減少:
モバイル向けDRAM、2017Q2には価格が10%上昇か
DRAMeXchangeによると、2017年第1四半期におけるモバイル向けDRAMの世界売上高は、前四半期に比べて1.7%減とわずかに低下した。ただし、2017年第2四半期には価格が10%上昇するとみられている。(2017/5/31)

2017年第2四半期に:
Samsungの売上高がIntelを超える可能性も
DRAMとNANDフラッシュメモリの価格が上昇していることから、2017年第2四半期(4〜6月期)におけるSamsung Electronicsの売上高が、Intelを超える可能性が出てきた。(2017/5/8)

ソニー DRMA積層型イメージセンサー:
CMOSイメージセンサーにDRAMを積層、3層構造をソニーが世界初
ソニーは、DRAMを積層した3層構造の積層型CMOSイメージセンサーを開発した。高速読み出しを実現したことで、スマートフォンでもスーパースローモーション動画の撮影などが可能となる。(2017/2/22)

Weekly Top 10:
ソニーのDRAM積層CMOSイメージセンサーに高い関心
EE Times Japanで2017年2月4〜10日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2017/2/14)

ソニーがISSCCで発表:
CMOSイメージセンサーにDRAMを積層
ソニーは、DRAMを積層した3層構造の積層型CMOSイメージセンサーを開発した。高速読み出しを実現したことで、スマートフォンでもスーパースローモーション動画の撮影などが可能となる。(2017/2/8)

ソニー、スマホでスーパースローモーション撮影実現 DRAM搭載の3層CMOSイメージセンサー開発
スマートフォンなど小型機器向けの新型CMOSイメージセンサーをソニーが開発。(2017/2/7)

福田昭のストレージ通信(53) 抵抗変化メモリの開発動向(12):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセル選択スイッチ技術(前編)
抵抗変化メモリ(ReRAM)の記憶容量当たりの製造コストをDRAM以下にするためには、セレクタを2端子のスイッチにする必要がある。2端子セレクタを実現する技術としては、“本命”があるわけではなく、さまざまな技術が研究されている。(2016/12/27)

SnDアーキテクチャはもう限界だ:
PR:これからの組み込み機器のメモリ構成は「SRAM/FRAM+NORフラッシュ」
産業機器をはじめとした組み込み機器のメモリ構成が変わりつつある。これまで、組み込み機器のメモリは「DRAM+NANDフラッシュ」という構成が一般的だったが、今後組み込み向けの低容量、高信頼DRAM/NANDフラッシュの調達難が予想され、代替メモリへの切り替えが必要になっている。そこで、新たなメモリ構成として有力視されているのが、さらなる進化が見込まれるSRAM/FRAM、そしてNORフラッシュだ。(2016/12/1)

ET2016 レポート:
産業機器向けSSD製品、信頼性や低背で差異化
イノディスク・ジャパンは、「Embedded Technology 2016」「IoT Technology 2016」で、産業機器向けのフラッシュストレージ製品やDRAMモジュールの新製品を展示した。(2016/11/24)

IC Insightsが上方修正:
2016年の半導体市場、DRAMの回復で成長の見通し
IC Insightsによると、半導体IC市場はDRAMが回復基調にあることを受け、2016〜2017年にかけて、それぞれ1%、4%の売り上げ成長率を達成するという。(2016/10/25)

相変化メモリの課題が解決
フラッシュメモリより高速な不揮発性メモリ「PCM」がいよいよ実用化
フラッシュメモリより高速で1万倍の耐久力があり、DRAMより低コストで不揮発性。それが相変化メモリ(PCM)だ。フラッシュストレージよりさらに高速なストレージが、もうすぐ登場するかもしれない。(2016/8/9)

Computer Weekly:
フラッシュメモリより高速な不揮発性メモリ「PCM」がいよいよ実用化
フラッシュメモリより高速で1万倍の耐久力があり、DRAMより低コストで不揮発性。それが相変化メモリ(PCM)だ。フラッシュストレージよりさらに高速なストレージが、もうすぐ登場するかもしれない。(2016/8/3)



2013年のα7発売から5年経ち、キヤノン、ニコン、パナソニック、シグマがフルサイズミラーレスを相次いで発表した。デジタルだからこそのミラーレス方式は、技術改良を積み重ねて一眼レフ方式に劣っていた点を克服してきており、高級カメラとしても勢いは明らかだ。

言葉としてもはや真新しいものではないが、半導体、デバイス、ネットワーク等のインフラが成熟し、過去の夢想であったクラウドのコンセプトが真に現実化する段階に来ている。
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これからの世の中を大きく変えるであろうテクノロジーのひとつが自動運転だろう。現状のトップランナーにはIT企業が目立ち、自動車市場/交通・輸送サービス市場を中心に激変は避けられない。日本の産業構造にも大きな影響を持つ、まさに破壊的イノベーションとなりそうだ。